Nr opisu: | 0000047757 |
Tytuł oryginału: | Analysis of the mechanism of cleaning process of GaAs(100) surface by atomic hydrogen. |
Autorzy: | Paweł* Tomkiewicz, Maciej Krzywiecki, A. Winkler, T. Chasse, Jacek** Szuber. |
¬ródło: | W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 63, bibliogr. 7 poz. |
Organizator: | ECoE CESIS. NANOMET. Department of Electron Technology. Silesian University of Technology. Gliwice |
Typ publikacji: | K |
Język publikacji: | ENG |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
Lokalizacja ¬ródła: | P¦l. sygn. Cz.01 122839 |
Nr opisu: | 0000047880 |
Tytuł oryginału: | Space charge layer properties of wet sulfide treated GaAs sample. |
Autorzy: | Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, J. Mizsei, H. Hasegawa, Jacek** Szuber. |
¬ródło: | W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 64, bibliogr. 5 poz. |
Organizator: | ECoE CESIS. NANOMET. Department of Electron Technology. Silesian University of Technology. Gliwice |
Typ publikacji: | K |
Język publikacji: | ENG |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
Lokalizacja ¬ródła: | P¦l. sygn. Cz.01 122839 |
Nr opisu: | 0000073113 |
Tytuł oryginału: | Surface layer on ferroelectric nanowires of antimony sulfoiodide. |
Autorzy: | Marian Nowak, Piotr Szperlich, Anna Starczewska, Janusz** Szala, D. Stróż, R. Wrzalik. |
¬ródło: | W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 56, bibliogr. 1 poz. |
Organizator: | ECoE CESIS. NANOMET. Department of Electron Technology. Silesian University of Technology. Gliwice |
Typ publikacji: | K |
Język publikacji: | ENG |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
Lokalizacja ¬ródła: | P¦l. sygn. Cz.01 122839 |
Nr opisu: | 0000047881 |
Tytuł oryginału: | Surface state density distribution of INP(100) surface as derived from rigorous analysis of PL efficiency. |
Autorzy: | Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa, Jacek** Szuber. |
¬ródło: | W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 65, bibliogr. 6 poz. |
Organizator: | ECoE CESIS. NANOMET. Department of Electron Technology. Silesian University of Technology. Gliwice |
Typ publikacji: | K |
Język publikacji: | ENG |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
Lokalizacja ¬ródła: | P¦l. sygn. Cz.01 122839 |