| Nr opisu: | 0000113757 |
| Tytuł oryginału: | Influence of nitrogen implantation on electrical properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS structure. |
| Autorzy: | K. Król, M. Sochacki, M. Turek, J. Zuk, M. Przewlocki, T. Gutt, P. Borowicz, M. Guziewicz, Jacek** Szuber, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, J. Szmidt. |
| Źródło: | W: Silicon carbide and related materials 2012. Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation. Ed. by Alexander A. Lebedev, Sergey Yu. Davydov, Pavel A. Ivanov and Mikhail E. Levinshtein. Durnten-Zurich : Trans Tech Publications, 2013, s. 733-736, bibliogr. 6 poz. |
| ISBN: | 978-3-03785-624-6978-3-03785-624-6 |
| Seria: | (Materials Science Forum ; vol. 740/742 0255-5476) |
| Liczba arkuszy wydawniczych: | 0,4 |
| Bazy indeksujące publikację: | Scopus; Web of Science |
| DOI: | |
| Słowa kluczowe polskie: | implantacja jonów ; węglik krzemu ; utlenianie termiczne |
| Słowa kluczowe angielskie: | ion implantation ; silicon carbide ; thermal oxidation ; ion implantation damage |
| Typ publikacji: | RK |
| Język publikacji: | ENG |
| Zasieg terytorialny: | Z |
| Afiliacja: | praca afiliowana w PŚl. |