Wynik wyszukiwania
Zapytanie: HASEGAWA H
Liczba odnalezionych rekordów: 20



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/20
Nr opisu: 0000063355
Tytuł oryginału: Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future
Autorzy: H. Hasegawa, M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2010 vol. 256 iss. 19, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz.
Impact Factor: 1.795
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik grupy III-V ; pasywacja powierzchni ; MISFET ; dielektryk o wysokiej przenikalno¶ci elektrycznej ; arsenek galu ; GaAs ; fotoluminescencja
Słowa kluczowe angielskie: III-V semiconductor ; surface passivation ; MISFET ; high-k dielectric ; gallium arsenide ; GaAs ; photoluminescence
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


2/20
Nr opisu: 0000056638
Tytuł oryginału: Capacitance-voltage and photoluminescence study of high-k/GaAs interfaces controlled by Si interface control layer
Autorzy: M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: -J. Vac. Sci. Technol., B. 2009 vol. 27 iss. 4, s. 2028-2035
Impact Factor: 1.460
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


3/20
Nr opisu: 0000056791
Tytuł oryginału: Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Mizsei, D. Zahn, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
¬ródło: -Surf. Sci. 2009 vol. 603 iss. 3, s. 498-502, bibliogr. 39 poz.
Impact Factor: 1.798
p-ISSN: 0039-6028
e-ISSN: 1879-2758
Słowa kluczowe polskie: Gats ; pasywacja ; chlorek siarki ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotonapięcie powierzchniowe ; potencjał styku ; sonda Kelvina
Słowa kluczowe angielskie: Gats ; passivation ; sulphur chloride ; interface ; Fermi level ; surface photovoltage ; contact potential ; Kelvin probe
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


4/20
Nr opisu: 0000047684
Tytuł oryginału: Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(1 0 0) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 8046-8049, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 1.576
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: InP ; wyżarzanie ; pasywacja ; oczyszczanie ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotoluminescencja ; MISFET
Słowa kluczowe angielskie: InP ; annealing ; passivation ; cleaning ; interface ; Fermi level ; photoluminescence ; MISFET
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


5/20
Nr opisu: 0000047880
Tytuł oryginału: Space charge layer properties of wet sulfide treated GaAs sample.
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, J. Mizsei, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
¬ródło: W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 64, bibliogr. 5 poz.
Organizator: ECoE CESIS. NANOMET. Department of Electron Technology. Silesian University of Technology. Gliwice
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 122839


6/20
Nr opisu: 0000047881
Tytuł oryginału: Surface state density distribution of INP(100) surface as derived from rigorous analysis of PL efficiency.
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
¬ródło: W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 65, bibliogr. 6 poz.
Organizator: ECoE CESIS. NANOMET. Department of Electron Technology. Silesian University of Technology. Gliwice
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 122839


7/20
Nr opisu: 0000029174
Tytuł oryginału: Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures
Autorzy: H. Hasegawa, T. Sato, S. Kasai, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -Sol. Energy 2006 vol. 80 iss. 6, s. 629-644, bibliogr.
Impact Factor: 1.431
p-ISSN: 0038-092X
DOI:
Słowa kluczowe polskie: stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; spektroskopia tunelowa ; nanostruktura
Słowa kluczowe angielskie: surface states ; surface recombination ; tunnelling spectroscopy ; nanostructure ; Fermi level pinning ; capacitance voltage method
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


8/20
Nr opisu: 0000025312
Tytuł oryginału: Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces
Autorzy: Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, M. Petit, B. Gruzza, C. Robert-Goumet, T. Piwnowski, M. Bugajski, H. Hasegawa.
¬ródło: -Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl. 2006 vol. 26 nr 2/3, s. 378-382, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 1.325
p-ISSN: 0928-4931
e-ISSN: 1873-0191
DOI:
Słowa kluczowe polskie: InP ; powierzchnia ; pasywacja ; azotowanie ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; model zjawisk nierównowagowych
Słowa kluczowe angielskie: InP ; surface ; passivation ; nitridation ; surface states ; photoluminescence ; model of non-equilibrium phenomena
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


9/20
Nr opisu: 0000018246
Tytuł oryginału: Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
¬ródło: -Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 0.459
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe
Słowa kluczowe angielskie: gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


10/20
Nr opisu: 0000007661
Tytuł oryginału: Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: W: 27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.
Organizator: International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter [i in.]
Słowa kluczowe polskie: stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; poziom Fermiego ; pasywacja ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe ; algorytm genetyczny
Słowa kluczowe angielskie: surface states ; surface recombination ; Fermi level ; passivation ; photoluminescence ; surface photovoltage ; genetic algorithm
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 78241


11/20
Nr opisu: 0000123735
Tytuł oryginału: Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, C. Brun, B. Gruzza, H. Hasegawa.
¬ródło: -Thin Solid Films 2003 vol. 436 iss. 1, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Uwagi: Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002
Impact Factor: 1.598
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
DOI:
Słowa kluczowe polskie: InP ; interfejs ; wła¶ciwo¶ci elektroniczne ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; wykrywanie gazu
Słowa kluczowe angielskie: InP ; interface ; electronic properties ; surface states ; Fermi level ; gas sensing
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


12/20
Nr opisu: 0000007316
Tytuł oryginału: Characterization of electronic properties of InP(100) surfaces from computer-aided analysis of photoluminescence
Tytuł w wersji polskiej: Charakteryzacja własno¶ci elektronowych powierzchni InP(100) za pomoc± wspomaganej komputerowo analizy fotoluminescencji
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: -Opt. Appl. 2002 vol. 32 no. 3, s. 227-233, bibliogr. 27 poz.
Impact Factor: 0.291
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


13/20
Nr opisu: 0000007344
Tytuł oryginału: Determination of InP surface state density distribution from excitation-power-dependent photoluminescence spectra using genetic algorithm-based fitting procedure
Tytuł w wersji polskiej: Wyznaczanie rozkładu gęsto¶ci stanów na powierzchni InP z zależno¶ci wydajno¶ci fotoluminescencji od mocy pobudzenia z użyciem procedury dopasowuj±cej opartej na algorytmie genetycznym
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: -Surf. Sci. 2002 vol. 507/510, s. 240-244, bibliogr. 12 poz.
Impact Factor: 2.140
p-ISSN: 0039-6028
e-ISSN: 1879-2758
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


14/20
Nr opisu: 0000007353
Tytuł oryginału: Rigorous analysis of photoluminescence efficiency for characterisation of electronic properties of InP(100) surfaces
Tytuł w wersji polskiej: Rygorystyczna analiza wydajno¶ci fotoluminescencji w celu charakteryzacji własno¶ci elektronowych powierzchni InP(100)
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Sebastian* Arabasz, H. Hasegawa.
¬ródło: -Vacuum 2002 vol. 67 iss. 1, s. 3-10, bibliogr. 38 poz.
Impact Factor: 0.723
p-ISSN: 0042-207X
e-ISSN: 1879-2715
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


15/20
Nr opisu: 0000037775
Tytuł oryginału: Computer analysis of photoluminescence efficienty at InP surface with U-shaped surface state continuum
Tytuł w wersji polskiej: Komputerowo wspomagana analiza wydajno¶ci fotoluminescencji na powierzchni InP z ci±głym rozkładem stanów powierzchniowych w kształcie litery U
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, Jacek** Szuber, H. Hasegawa.
¬ródło: -Vacuum 2001 vol. 63 iss. 1/2, s. 223-227, bibliogr. 19 poz.
Impact Factor: 0.541
p-ISSN: 0042-207X
e-ISSN: 1879-2715
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


16/20
Nr opisu: 0000001895
Tytuł oryginału: Determination of the surface state density distribution and fermi level position on the InP (100) surface from excition-power-dependent photoluminescence efficiency spectra
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Domagała, H. Hasegawa.
¬ródło: -Elektronika 2001 R. 42 nr 8/9, s. 76-78, bibliogr. 13 poz.
p-ISSN: 0033-2089
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2411


17/20
Nr opisu: 0000004956
Tytuł oryginału: Analysis of photoluminescence efficiency and surface recombination velocity of MBE-grown AlGaAs layers.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: W: Proceedings from the Third International Workshop MBE-GPT, Warsaw, Poland, 23-28 May 1999. Amsterdam : Elsevier, 2000, s. 180-183, bibliogr. 9 poz.
Seria: (Thin Solid Films ; vol. 367, nr 1/2 0040-6090)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


18/20
Nr opisu: 0000004359
Tytuł oryginału: Computer analysis of the Fermi level behaviour at SiO2/n-Si and SiO2/n-GaAs interfaces.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, H. Hasegawa.
¬ródło: W: Semiconductor gas sensors - SGS'98. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000, s. 249-252, bibliogr. 16 poz.
Seria: (Electron Technology ; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2959


19/20
Nr opisu: 0000008077
Tytuł oryginału: Computer simulations of the surface photovoltage on Si and GaAs surfaces with U-shaped surface state continuum.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: W: Proceedings of the 19th International Seminar on Surface Physics, Polanica-Zdrój, Poland, 15-19 June 1998. Eds: T. L. Barr [i in.]. [B.m.] : Pergamon Press, 1999, s. 173-177, bibliogr. 18 poz.
Seria: (Vacuum ; vol. 54, nr 1-4 0042-207X)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


20/20
Nr opisu: 0000007635
Tytuł oryginału: Electronic properties of AlxGa1-xAs surface passivated by ultrathin silicon interface control layer
Tytuł w wersji polskiej: Własno¶ci elektronowe powierzchni AlxGa1-xAs pasywowanej ultracienk± warstw± krzemu
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, K. Ikeya, M. Mutoh, T. Saitoh, H. Fujikura, H. Hasegawa.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 1999 vol. 141 iss. 3/4, s. 326-332, bibliogr. 16 poz.
Impact Factor: 1.195
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie