Wynik wyszukiwania
Zapytanie: ADAMOWICZ BOGUSŁAWA
Liczba odnalezionych rekordów: 109



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/109
Nr opisu: 0000139064
Tytuł oryginału: Effect of carrier drift-diffusion transport process on thermal quenching of photoluminescence in GaN
Autorzy: M. Matys, Bogusława Adamowicz, T. Kachi, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Phys., D Appl. Phys. 2021 vol. 54 iss. 5, s. 1-13, bibliogr. 33 poz.
Impact Factor: 3.169
Punktacja MNiSW: 70.000
p-ISSN: 0022-3727
e-ISSN: 1361-6463
DOI:
Słowa kluczowe polskie: GaN ; stan powierzchniowy
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; surface states ; drift diffusion
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: CC-BY open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


2/109
Nr opisu: 0000139111
Tytuł oryginału: All-optical transistor using deep-level defects in nitride semiconductors for room temperature optical computing
Autorzy: M. Matys, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, Bogusława Adamowicz, T. Kachi.
¬ródło: -AIP Adv. 2020 vol. 10 iss. 10, s. 1-25, bibliogr. 25 poz.
Impact Factor: 1.337
Punktacja MNiSW: 70.000
p-ISSN: 2158-3226
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: CC-BY open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


3/109
Nr opisu: 0000127121
Tytuł oryginału: On the interpretation of cathodoluminescence intensity maps of wide band gap nanowires
Autorzy: M. Matys, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Nanotechnology 2019 vol. 30 iss. 3, s. 1-8, bibliogr. 30 poz.
Impact Factor: 3.551
Punktacja MNiSW: 100.000
p-ISSN: 0957-4484
e-ISSN: 1361-6528
DOI:
Słowa kluczowe polskie: szerokopasmowe materiały szczelinowe ; azotek galu ; metoda elementów skończonych
Słowa kluczowe angielskie: wide band gap materials ; gallium nitride ; finite element method
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


4/109
Nr opisu: 0000127652
Tytuł oryginału: Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors
Autorzy: M. Matys, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, J. Kuzmik, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2018 vol. 124 iss. 22, art. no. 224502 s. 1-8, bibliogr. 32 poz.
Impact Factor: 2.328
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


5/109
Nr opisu: 0000120835
Tytuł oryginału: Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors
Autorzy: M. Matys, S. Kaneki, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2017 vol. 122 iss. 22, art. no. 224504 s. 1-8, bibliogr. 31 poz.
Impact Factor: 2.176
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


6/109
Nr opisu: 0000114171
Tytuł oryginału: Mechanism of yellow luminescence in GaN at room temperature
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2017 vol. 121 iss. 6, s. 1-8, bibliogr. 52 poz.
Impact Factor: 2.176
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


7/109
Nr opisu: 0000117236
Tytuł oryginału: Origin of positive fixed charge at insulator/AlGaN interfaces and its control by AlGaN composition
Autorzy: Maciej* Matys, R. Stoklas, M. Blaho, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2017 vol. 110 iss. 24, s. 243505-1 - 243505-5, bibliogr. 26 poz.
Impact Factor: 3.495
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


8/109
Nr opisu: 0000107207
Tytuł oryginału: Characterization of capture cross sections of interface states in dielectric/III-nitride heterojunction structures
Autorzy: Maciej* Matys, R. Stoklas, J. Kuzmik, Bogusława Adamowicz, Z. Yatabe.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2016 vol. 119 iss. 20, art. no. 205304 s. 1-8, bibliogr. 41 poz.
Impact Factor: 2.068
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


9/109
Nr opisu: 0000107795
Tytuł oryginału: High-temperature ultraviolet detection based on surface photovoltage effect in SiN passivated n-GaN films
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, Z. Zytkiewicz, A. Taube, R. Kruszka, A. Piotrowska.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2016 vol. 109 iss. 5, art. nr 051106, s. 1-5, bibliogr. 25 poz.
Impact Factor: 3.411
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


10/109
Nr opisu: 0000104707
Tytuł oryginału: Współpraca Instytutu Fizyki z Japoni±
Autorzy: Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Biul. Pol. ¦l. 2016 nr 2, s. 15
p-ISSN: 1689-8192
Słowa kluczowe polskie: Politechnika ¦l±ska ; Instytut Fizyki ; współpraca międzynarodowa
Słowa kluczowe angielskie: Silesian University of Technology ; Institute of Physics ; international cooperation
Typ publikacji: GD
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.4492
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


11/109
Nr opisu: 0000093840
Tytuł oryginału: Analiza chemiczna AES pasywacyjnych warstw na powierzchni GaN, AlGaN i SiC.
Autorzy: Alina Domanowska, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, M. Sochacki, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube, R. Kruszka, J. Żywicki.
¬ródło: W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 193 + tekst na CD-ROM
ISBN: 978-83-934712-6-3
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Liczba arkuszy wydawniczych: 1
Słowa kluczowe polskie: Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; pasywacja ; analiza chemiczna ; spektroskopia elektronów Augera ; struktura metal-izolator-półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; passivation ; chemical analysis ; Auger electron spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


12/109
Nr opisu: 0000095200
Tytuł oryginału: Direct measurement of donor-like interface state density and energy distribution at insulator/AlGaN interface in metal/Al2O3/AlGaN/GaN by photocapacitance method
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2013 vol. 103 iss. 23, s. 021603-1 - 021603-4, bibliogr. 20 poz.
Impact Factor: 3.515
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


13/109
Nr opisu: 0000093838
Tytuł oryginału: Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Alina Domanowska, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, A. Taube, R. Kruszka.
¬ródło: W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 184 + tekst na CD-ROM
ISBN: 978-83-934712-6-3
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Liczba arkuszy wydawniczych: 1
Słowa kluczowe polskie: fotodetektor ultrafioletu ; GaN ; AlGaN/GaN ; stan powierzchniowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; fotopojemno¶ć ; pasywacja ; struktura metal-izolator-półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: UV photodetector ; GaN ; AlGaN/GaN ; surface condition ; surface photovoltage ; photocapacitance ; passivation ; metal-insulator-semiconductor structure
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


14/109
Nr opisu: 0000088327
Tytuł oryginału: Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry
Autorzy: Maciej* Matys, P. PowroĽnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Opt. Appl. 2013 vol. 43 no. 1, s. 47-52, bibliogr. 7 poz.
Impact Factor: 0.643
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
DOI:
Słowa kluczowe polskie: fotonapięcie powierzchniowe ; azotek galu ; metal/izolator/GaN ; struktura MIS ; detektor ultrafioletu
Słowa kluczowe angielskie: surface photovoltage ; gallium nitride ; metal/insulator/GaN ; MIS structure ; UV detector
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


15/109
Nr opisu: 0000093841
Tytuł oryginału: Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęsto¶ci powierzchniowych na granicy fazowej Al2O3/GaN i Al2O3/AlGaN.
Autorzy: Maciej* Matys, Rafał* Ucka, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
¬ródło: W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 194 + tekst na CD-ROM
ISBN: 978-83-934712-6-3
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Liczba arkuszy wydawniczych: 1
Słowa kluczowe polskie: Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; pasywacja ; fotopojemno¶ć ; stan powierzchniowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; passivation ; photocapacitance ; surface condition ; metal-insulator-semiconductor structure
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


16/109
Nr opisu: 0000085582
Tytuł oryginału: A novel method for the determination of the full energetic distribution of interface state density in metal/insulator/GaN structures from capacitance-voltage and photocapacitance-light intensity measurements.
Autorzy: Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: W: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. ICPS 2012, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd 2012 [online]. [B.m.] : [b.w.], 2012, (plik html) s. 1, bibliogr. 5 poz.
Uwagi: Dostępny w Internecie: http://sciconf.org/icps2012/ip/topic/2/session/29/paper/5?layout=screen [dostęp 15 czerwca 2013]
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


17/109
Nr opisu: 0000084456
Tytuł oryginału: Analytical and numerical analysis of the surface photovoltage in n-GaAs for the determination of surface electronic parameters.
Autorzy: Maciej* Matys, Rafał* Ucka, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: 41st "Jaszowiec" 2012 International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Krynica-Zdrój, Poland, 8 - 15 June, 2012. Warsaw : [b.w.], 2012, s. WeP33, bibliogr. 3 poz.
Organizator: Institute of Physics. Polish Academy of Sciences [et al.]
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


18/109
Nr opisu: 0000082736
Tytuł oryginału: Charakteryzacja wła¶ciwo¶ci chemicznych, optycznych i elektronowych pasywowanych in-situ powierzchni n-GaN.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Alina Domanowska, Piotr* Ko¶cielniak, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Michał* Sitarz, Jacek** Szuber, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube.
¬ródło: W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 152
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; pasywacja ; stan powierzchniowy ; skład chemiczny
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; passivation ; surface condition ; chemical composition
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


19/109
Nr opisu: 0000084466
Tytuł oryginału: Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al2O3/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2012 vol. 101 iss. 23, s. 231608-1 - 231608-4, bibliogr. 18 poz.
Impact Factor: 3.794
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Słowa kluczowe polskie: zwi±zki aluminium ; zwi±zki galu ; półprzewodnik grupy III-V ; struktura MIS ; fotopojemno¶ć ; pasmo walencyjne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy
Słowa kluczowe angielskie: aluminium compounds ; gallium compounds ; III-V semiconductor ; MIS structure ; photocapacitance ; valence band ; wide bandgap semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


20/109
Nr opisu: 0000083702
Tytuł oryginału: Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure.
Autorzy: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: W: Extended abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 2010. Tokyo : Publication Office Business Center for Academic Society Japan, 2010, s. 1231-1232
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


21/109
Nr opisu: 0000071978
Tytuł oryginału: Modelowanie dwuwymiarowe fotonapięcia powierzchniowego w strukturach metal/izolator/GaN o symetrii cylindrycznej.
Autorzy: Maciej* Matys, P. PowroĽnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Ksi±żka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 1-2, bibliogr. 3 poz.
Organizator: Polskie Towarszystwo Próżniowe, Sekcja Cienkich Warstw, Sekcja Nauki o Powierzchni [i in.]
Słowa kluczowe polskie: fotonapięcie powierzchniowe ; metal/izolator/GaN ; symetria cylindryczna
Słowa kluczowe angielskie: surface photovoltage ; metal/insulator/GaN ; cylindrical symmetry
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


22/109
Nr opisu: 0000082739
Tytuł oryginału: Modelowanie fotodetektora ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
Autorzy: Marcin** Miczek, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 157
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: detektor ultrafioletu ; napięcie powierzchniowe ; AlGaN/GaN ; defekt objęto¶ciowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; metal/izolator/półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie: UV detector ; surface tension ; AlGaN/GaN ; volume defect ; surface photovoltage ; MIS
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


23/109
Nr opisu: 0000080343
Tytuł oryginału: Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO2/SiO2/4H-SiC and HfO2/Al2O3/4H-SiC structures
Autorzy: Alina Domanowska, Marcin** Miczek, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, J. Żywicki, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gierałtowska, M. Sochacki.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2012 vol. 258 iss. 21, s. 8354-8359, bibliogr. 43 poz.
Impact Factor: 2.112
Punktacja MNiSW: 30.000
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: węglik krzemu ; pasywacja powierzchni ; fotonapięcie powierzchniowe ; spektroskopia elektronów Augera
Słowa kluczowe angielskie: silicon carbide ; surface passivation ; surface photovoltage ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiling ; interface charge
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


24/109
Nr opisu: 0000071917
Tytuł oryginału: Wpływ stanów powierzchniowych na półprzewodnikowe struktury sensorowe.
Autorzy: Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Ksi±żka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 1-2, bibliogr. 5 poz.
Organizator: Polskie Towarszystwo Próżniowe, Sekcja Cienkich Warstw, Sekcja Nauki o Powierzchni [i in.]
Słowa kluczowe polskie: struktura sensorowa ; półprzewodnik ; wła¶ciwo¶ci elektronowe ; czujnik gazowy
Słowa kluczowe angielskie: sensor structure ; semiconductor ; electronic properties ; gas sensor
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


25/109
Nr opisu: 0000084471
Tytuł oryginału: Analiza wpływu stanów powierzchniowych na fotoluminescencję z azotku galu.
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: V Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2011, Gdańsk, 3-7 lipca 2011. Streszczenia wyst±pień. Pod red. Jarosława Rybickiego i Wojciecha Sadowskiego. Gdańsk : TASK Publishing, 2011, s. 158-159, bibliogr. 3 poz.
Organizator: Katedra Fizyki Ciała Stałego. Wydział FTiMS. Politechnika Gdańska [et al.]
Słowa kluczowe polskie: fotoluminescencja ; stan powierzchniowy ; azotek galu
Słowa kluczowe angielskie: photoluminescence ; surface condition ; gallium nitride
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.O1 139923
Dostęp on-line:


26/109
Nr opisu: 0000071973
Tytuł oryginału: Analysis of chemical shifts in Auger electron spectra versus sputtering time from passivated surfaces
Autorzy: Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Andrzej** Klimasek, Janusz Szewczenko, T. Gutt, H. Przewłocki.
¬ródło: -Opt. Appl. 2011 vol. 41 no. 2, s. 441-447, bibliogr. 8 poz.
Impact Factor: 0.398
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: spektroskopia elektronów Augera ; interfejs ; pasywacja ; algorytm ewolucyjny
Słowa kluczowe angielskie: Auger electron spectroscopy ; interface ; passivation ; evolutionary algorithm
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


27/109
Nr opisu: 0000071687
Tytuł oryginału: Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure for ultraviolet light detection
Autorzy: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50, art. no. 04DF08, bibliogr. 23 poz.
Impact Factor: 1.024
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


28/109
Nr opisu: 0000083622
Tytuł oryginału: Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (INTechFun).
Autorzy: A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki.
¬ródło: W: Dziesi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 129-130
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy
Słowa kluczowe angielskie: nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


29/109
Nr opisu: 0000082601
Tytuł oryginału: Modelowanie wpływu stanów powierzchniowych na zjawiska rekombinacyjne w GaN.
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Dziesi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 167
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; fotoluminescencja ; rekombinacja powierzchniowa ; metoda elementów skończonych ; defekt radiacyjny
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; photoluminescence ; surface recombination ; finite element method ; radiation defect
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


30/109
Nr opisu: 0000082582
Tytuł oryginału: Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
¬ródło: W: Dziesi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 137
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


31/109
Nr opisu: 0000084444
Tytuł oryginału: Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
¬ródło: -Elektronika 2011 R. 52 nr 9, s. 43-45, bibliogr. 6 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 0033-2089
Słowa kluczowe polskie: GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych ; MES
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method ; FEM
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2411


32/109
Nr opisu: 0000068353
Tytuł oryginału: Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metod± spektromikroskopii elektronów Augera
Tytuł w wersji angielskiej: Profiling of chemical content of oxide passivation layers using Auger electron spectromicroscopy
Autorzy: Alina Domanowska, Andrzej** Klimasek, E. Lisiecka, Piotr* Bidziński, Bogusława Adamowicz, Janusz Szewczenko, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gierałtowska, J. Żywicki.
¬ródło: -Elektronika 2011 R. 52 nr 9, s. 63-66, bibliogr. 6 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 0033-2089
Słowa kluczowe polskie: spektromikroskopia ; elektron Augera ; widmo AES
Słowa kluczowe angielskie: spectromicroscopy ; Auger electron ; AES spectrum
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2411
Dostęp on-line:


33/109
Nr opisu: 0000082584
Tytuł oryginału: Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metod± spektromikroskopii elektronów Augera.
Autorzy: Alina Domanowska, Andrzej** Klimasek, E. Lisiecka, Piotr* Bidziński, Bogusława Adamowicz, J. Żywicki, Janusz Szewczenko.
¬ródło: W: Dziesi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 145
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: spektromikroskopia ; elektron Augera ; skład chemiczny ; pasywacja
Słowa kluczowe angielskie: spectromicroscopy ; Auger electron ; chemical composition ; passivation
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


34/109
Nr opisu: 0000123619
Tytuł oryginału: The impact of bulk defects, surface states, and excitons on yellow and ultraviolet photoluminescence in GaN
Autorzy: Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, Z. Żytkiewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, T. Hashizume.
¬ródło: -Acta Phys. Pol. A 2011 vol. 120 no. 6A, s. A-73-A-75, bibliogr. 16 poz.
Uwagi: Referat wygłoszony na: Proceedings of the E-MRS Fall Meeting. Symposium H: Novel materials for electronics, optoelectronics, photovoltaics and energy saving applications, Warsaw, Poland, September 19-23, 2011
Impact Factor: 0.444
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 0587-4246
e-ISSN: 1898-794X
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2936
Dostęp on-line:


35/109
Nr opisu: 0000071269
Tytuł oryginału: The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure
Autorzy: Marcin** Miczek, P. Bidziński, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: -Solid State Commun. 2011 vol. 151 iss. 11, s. 830-833, bibliogr. 37 poz.
Impact Factor: 1.649
p-ISSN: 0038-1098
e-ISSN: 1879-2766
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; struktura MIS ; fotodetektor typu "solar blind"
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; MIS structure ; "solar blind" photodetector
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


36/109
Nr opisu: 0000081093
Tytuł oryginału: Analiza numeryczna zjawisk fotoelektronowych w detektorach promieniowania UV typu MIS na bazie n-GaN.
Autorzy: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: W: IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010, s. 235, bibliogr. 4 poz.
Słowa kluczowe polskie: GaN ; struktura MIS ; COMSOL
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; MIS structure ; COMSOL
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


37/109
Nr opisu: 0000063316
Tytuł oryginału: Analysis of chemical shifts in Auger electron spectra versus sputtering time from passivated surfaces.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Alina Domanowska, Piotr* Bidziński, Andrzej** Klimasek, Janusz Szewczenko, T. Gutt, H. Przewłocki.
¬ródło: W: 10th Electron Technology Conference ELTE 2010 and 34th International Microelectronics and Packaging IMAPS-CPMT Poland Conference, Wrocław, 22-25 September 2010. Book of abstracts. Eds: A. Dziedzic, K. Malecha, J. Radojewski. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2010, s. 131-132, bibliogr. 4 poz.
Organizator: Faculty of Microsystem Electronics and Photonics. Wrocław University of Technology [et al.]
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


38/109
Nr opisu: 0000082623
Tytuł oryginału: Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (InTechFun).
Autorzy: A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, M. Wzorek, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki.
¬ródło: W: Dziewi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 30.05-02.06.2010]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2010, s. 29-30
Organizator: Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Uwagi: Pełny tekst na CD-ROM
Słowa kluczowe polskie: nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; technika laserowa ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy
Słowa kluczowe angielskie: nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; laser technique ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


39/109
Nr opisu: 0000063105
Tytuł oryginału: Modeling of metal/insulator/GaN ultraviolet photodetector by finite element method.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Piotr* Bidziński, T. Hashizume.
¬ródło: W: 18th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications. MIKON-2010, Vilnius, Lithuania, June 14-16, 2010. Conference proceedings. Picataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010, s. 1-3, bibliogr. 7 poz.
Słowa kluczowe polskie: GaN ; metal/izolator/półprzewodnik ; fotodekoder UV ; modelowanie komputerowe ; metoda elementów skończonych ; COMSOL
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; MIS ; UV photodecoder ; computer modelling ; finite element method ; COMSOL
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


40/109
Nr opisu: 0000081095
Tytuł oryginału: Profile składu chemicznego nanowarstw pasywacyjnych na podstawie analizy numerycznej widm elektronów Augera.
Autorzy: Alina Domanowska, Piotr* Bidziński, Andrzej** Klimasek, J. Żywicki, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010, s. 145, bibliogr. 2 poz.
Słowa kluczowe polskie: spektroskopia elektronów Augera ; analiza numeryczna
Słowa kluczowe angielskie: Auger electron spectroscopy ; numerical analysis
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


41/109
Nr opisu: 0000063311
Tytuł oryginału: Simulations of UV - induced photoeffects in insulator/n-GaN MIS structure.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Piotr* Bidziński.
¬ródło: W: 10th Electron Technology Conference ELTE 2010 and 34th International Microelectronics and Packaging IMAPS-CPMT Poland Conference, Wrocław, 22-25 September 2010. Book of abstracts. Eds: A. Dziedzic, K. Malecha, J. Radojewski. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2010, s. 69, bibliogr. 5 poz.
Organizator: Faculty of Microsystem Electronics and Photonics. Wrocław University of Technology [et al.]
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


42/109
Nr opisu: 0000063355
Tytuł oryginału: Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future
Autorzy: H. Hasegawa, M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2010 vol. 256 iss. 19, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz.
Impact Factor: 1.795
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik grupy III-V ; pasywacja powierzchni ; MISFET ; dielektryk o wysokiej przenikalno¶ci elektrycznej ; arsenek galu ; GaAs ; fotoluminescencja
Słowa kluczowe angielskie: III-V semiconductor ; surface passivation ; MISFET ; high-k dielectric ; gallium arsenide ; GaAs ; photoluminescence
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


43/109
Nr opisu: 0000056638
Tytuł oryginału: Capacitance-voltage and photoluminescence study of high-k/GaAs interfaces controlled by Si interface control layer
Autorzy: M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: -J. Vac. Sci. Technol., B. 2009 vol. 27 iss. 4, s. 2028-2035
Impact Factor: 1.460
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


44/109
Nr opisu: 0000057117
Tytuł oryginału: Simulations of capacitance-voltage-temperature behavior of metal/insulator/AlGaN and metal/insulator/AlGaN/GaN structures
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 4, art. no. 04C092
Impact Factor: 1.138
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


45/109
Nr opisu: 0000056791
Tytuł oryginału: Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Mizsei, D. Zahn, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
¬ródło: -Surf. Sci. 2009 vol. 603 iss. 3, s. 498-502, bibliogr. 39 poz.
Impact Factor: 1.798
p-ISSN: 0039-6028
e-ISSN: 1879-2758
Słowa kluczowe polskie: Gats ; pasywacja ; chlorek siarki ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotonapięcie powierzchniowe ; potencjał styku ; sonda Kelvina
Słowa kluczowe angielskie: Gats ; passivation ; sulphur chloride ; interface ; Fermi level ; surface photovoltage ; contact potential ; Kelvin probe
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


46/109
Nr opisu: 0000073357
Tytuł oryginału: Własno¶ci optyczne, chemiczne, elektronowe i morfologiczne struktur AlGaN/GaN.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, D. Pundyk, Mirosława Kępińska, Piotr* Bobek, Andrzej** Klimasek, T. Hashizume.
¬ródło: W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 62, bibliogr. 2 poz.
Organizator: Instytut Technologii Elektronowej [et al.]
Słowa kluczowe polskie: heterozł±cze ; własno¶ci optyczne ; własno¶ci chemiczne ; własno¶ci elektronowe ; AlGaN/GaN
Słowa kluczowe angielskie: heterojunction ; optical properties ; chemical properties ; electron properties ; AlGaN/GaN
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


47/109
Nr opisu: 0000047661
Tytuł oryginału: A novel III-V semiconductor material for NO2 detection and monitoring
Autorzy: K. Wierzbowska, L. Bideux, Bogusława Adamowicz, A. Pauly.
¬ródło: -Sens. Actuators, A Phys. 2008 vol. 142 iss. 1, s. 237-241, bibliogr. 9 poz.
p-ISSN: 0924-4247
e-ISSN: 1873-3069
DOI:
Słowa kluczowe polskie: NO2 ; dwutlenek azotu ; InP ; fosforek indu ; XPS ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; spektroskopia elektronów Augera
Słowa kluczowe angielskie: NO2 ; nitrogen dioxide ; InP ; indium phosphide ; XPS ; X-ray photoelectron spectroscopy ; Auger electron spectroscopy
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


48/109
Nr opisu: 0000073181
Tytuł oryginału: Badania struktury cienkich warstw SnO2 oraz ich wła¶ciwo¶ci sensorowych w atmosferze zawieraj±cej tlen.
Autorzy: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz, Jacek Izydorczyk, E. Papis, E. Kamińska, A. Piotrowska, Janusz Mazurkiewicz, Waldemar Kwa¶ny, Jacek* Mazur, Jerzy Bodzenta, Wiesław Jakubik, Andrzej** Klimasek, J. Żywicki.
¬ródło: W: II Krajowa Konferencja Nanotechnologii, Kraków, 25-28 czerwca 2008. Ksi±żka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2008, s. Sr-P-10
Organizator: Polskie Towarzystwo Chemiczne [i in.]
Słowa kluczowe polskie: SnO2 ; nanowarstwa ; wła¶ciwo¶ci sensorowe
Słowa kluczowe angielskie: SnO2 ; nanolayer ; sensor properties
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


49/109
Nr opisu: 0000041977
Tytuł oryginału: Badania wpływu stanów powierzchniowych na wła¶ciwo¶ci elektronowe warstw sensorowych SnO2. Rozprawa doktorska.
Autorzy: Weronika Izydorczyk.
Miejsce i rok obrony: Gliwice, 2008
Opis fizyczny: , 132 k., bibliogr. 130 poz.
Uczelnia i wydział: Politechnika ¦l±ska. Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki.
Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz
Słowa kluczowe polskie: czujnik gazu ; warstwa sensorowa ; ditlenek cyny ; SnO2 ; zjawisko powierzchniowe ; adsorpcja tlenu ; wła¶ciwo¶ci fizyczne ; wła¶ciwo¶ci chemiczne
Słowa kluczowe angielskie: gas sensor ; sensor layer ; tin dioxide ; SnO2 ; surface phenomenon ; oxygen adsorption ; physical properties ; chemical properties
Typ publikacji: D
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.Ab. R-4442
Dostęp BCP¦:


50/109
Nr opisu: 0000048349
Tytuł oryginału: Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AIGaN/GaN heterostructure capacitors
Autorzy: Marcin** Miczek, C. Mizue, T. Hashizume, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2008 vol. 103 iss. 10, art. no. 104510 s. 1-11, bibliogr. 55 poz.
Impact Factor: 2.201
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


51/109
Nr opisu: 0000050150
Tytuł oryginału: Response to oxygen and chemical properties of SnO2 thin-film gas sensors
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Weronika Izydorczyk, Jacek Izydorczyk, Andrzej** Klimasek, Wiesław Jakubik, J. Żywicki.
¬ródło: -Vacuum 2008 vol. 82 iss. 10, s. 966-970, bibliogr. 16 poz.
Impact Factor: 1.114
p-ISSN: 0042-207X
e-ISSN: 1879-2715
Słowa kluczowe polskie: dwutlenek cyny ; RGTO ; adsorpcja tlenu ; spektroskopia elektronów Augera ; czujnik gazowy
Słowa kluczowe angielskie: tin dioxide ; RGTO technology ; oxygen adsorption ; Auger electron spectroscopy ; gas sensor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


52/109
Nr opisu: 0000041375
Tytuł oryginału: Response to oxygen and chemical properties of SnO2 thin-film gas sensors.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Weronika Izydorczyk, Jacek Izydorczyk, Andrzej** Klimasek, Wiesław Jakubik, J. Żywicki.
¬ródło: W: Proceedings of the 9th Electron Technology Conference. ELTE 2007, Cracow, 4-7 September 2007. Ed. by B. Dziurdzia, T. Pisarkiewicz. [B.m.] : Elsevier, 2008, s. 966-970, bibliogr. 16 poz.
Seria: (Vacuum ; vol. 82, iss. 10 0042-207X)
Słowa kluczowe polskie: GaN ; technika wzrostu MOVPE ; podłoża proszkowe nanokrystaliczne
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; MOVPE growth technique ; nanocrystalline powder substrates
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


53/109
Nr opisu: 0000047684
Tytuł oryginału: Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(1 0 0) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 8046-8049, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 1.576
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: InP ; wyżarzanie ; pasywacja ; oczyszczanie ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotoluminescencja ; MISFET
Słowa kluczowe angielskie: InP ; annealing ; passivation ; cleaning ; interface ; Fermi level ; photoluminescence ; MISFET
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


54/109
Nr opisu: 0000039315
Tytuł oryginału: Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AIGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Hashizume, Andrzej** Klimasek, P. Bobek, J. Żywicki.
¬ródło: -Opt. Appl. 2007 vol. 37 no. 4, s. 327-334, bibliogr. 25 poz.
Impact Factor: 0.284
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: azotek galu ; HEMT ; bramka izolowana ; pasywacja ; C-V ; spektroskopia elektronów Augera
Słowa kluczowe angielskie: gallium nitride ; HEMT ; insulated gate ; passivation ; C-V ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiles
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


55/109
Nr opisu: 0000039011
Tytuł oryginału: Computer analysis of oxygen adsorption at SnO2 thin films
Autorzy: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Opt. Appl. 2007 vol. 37 no. 4, s. 377-385, bibliogr. 23 poz.
Impact Factor: 0.284
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: SnO2 ; warstwa cienka ; nanowarstwa ; adsorpcja tlenu ; warstwa zubożona ; struktura sensorowa ; modelowanie
Słowa kluczowe angielskie: SnO2 ; thin film ; nanolayer ; oxygen adsorption ; depletion layer ; sensor structure ; modelling
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


56/109
Nr opisu: 0000040554
Tytuł oryginału: Komputerowa analiza adsorpcji tlenu na powierzchni cienkich warstw SnO2.
Autorzy: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: I Krajowa Konferencja Nanotechnologii [Wrocław, 26-28 kwietnia 2007]. Ksi±żka streszczeń. Wrocław : Politechnika Wrocławska, 2007, s. 174
Organizator: Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Politechniki Wrocławskiej [et al.]
Typ publikacji: K
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


57/109
Nr opisu: 0000076042
Tytuł oryginału: Response of an optimised SnO2-based gas sensor to oxygen.
Autorzy: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz, Andrzej** Klimasek, Krzysztof** Waczyński, Jerzy Uljanow, Wiesław Jakubik, J. Żywicki.
¬ródło: W: IX Electron Technology Conference. ELTE 2007, Kraków, 4-7.09.2007. Book of abstracts. Eds: K. Zakrzewska [et al.]. Kraków : Przedsiębiorstwo Wielobranżowe STABIL, 2007, s. 183, bibliogr. 3 poz.
Organizator: Department of Electronics. Faculty of Electrical Engineering, Automatics, Computer Science and Electronics. AGH [et al.]
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


58/109
Nr opisu: 0000047880
Tytuł oryginału: Space charge layer properties of wet sulfide treated GaAs sample.
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, J. Mizsei, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
¬ródło: W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 64, bibliogr. 5 poz.
Organizator: ECoE CESIS. NANOMET. Department of Electron Technology. Silesian University of Technology. Gliwice
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 122839


59/109
Nr opisu: 0000047881
Tytuł oryginału: Surface state density distribution of INP(100) surface as derived from rigorous analysis of PL efficiency.
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
¬ródło: W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 65, bibliogr. 6 poz.
Organizator: ECoE CESIS. NANOMET. Department of Electron Technology. Silesian University of Technology. Gliwice
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 122839


60/109
Nr opisu: 0000029212
Tytuł oryginału: A novel semiconductors material for NO2 detection and monitoring.
Autorzy: K. Wierzbowska, A. Pauly, L. Bideux, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Eurosensors XX. 20th Conference Anniversary, Goteborg, Sweden, 17-20 September 2006. Proceedings. Goteborg : [b.w.], 2006, W1A-01, s. 1-4
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


61/109
Nr opisu: 0000031201
Tytuł oryginału: A theoretical analysis of the electronic properties of tin dioxide surface.
Autorzy: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: XXX International Conference IMAPS Poland Chapter 2006, Kraków, 24-27 September 2006. Proceedings. Eds.: W. Zaraska, A. Cichocki, D. Szwagierczak. Kraków : Institute of Electron Technology. Cracow Division, [2006], s. 489-492
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


62/109
Nr opisu: 0000025532
Tytuł oryginału: Computer analysis of an influence of oxygen vacancies on the electronic properties of the SnO2 surface and near-surface region
Autorzy: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Krzysztof** Waczyński.
¬ródło: -Phys. Status Solidi, A Appl. Res. 2006 vol. 203 iss. 9, s. 2241-2246, bibliogr. 30 poz.
Impact Factor: 1.221
p-ISSN: 0031-8965
e-ISSN: 1521-396X
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


63/109
Nr opisu: 0000025541
Tytuł oryginału: Computer analysis of the electrical properties of the tin dioxide surface - effects of oxygen.
Autorzy: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Czujniki optoelektroniczne i elektroniczne. COE 2006. XI konferencja naukowa, Kraków-Zakopane, 19-22 czerwca 2006. Materiały konferencyjne. Kraków : Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej, 2006, s. 31-34, bibliogr. 12 poz.
Organizator: Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie, Polskie Towarzystwo Techniki Sensorowej
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


64/109
Nr opisu: 0000029174
Tytuł oryginału: Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures
Autorzy: H. Hasegawa, T. Sato, S. Kasai, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -Sol. Energy 2006 vol. 80 iss. 6, s. 629-644, bibliogr.
Impact Factor: 1.431
p-ISSN: 0038-092X
DOI:
Słowa kluczowe polskie: stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; spektroskopia tunelowa ; nanostruktura
Słowa kluczowe angielskie: surface states ; surface recombination ; tunnelling spectroscopy ; nanostructure ; Fermi level pinning ; capacitance voltage method
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


65/109
Nr opisu: 0000025312
Tytuł oryginału: Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces
Autorzy: Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, M. Petit, B. Gruzza, C. Robert-Goumet, T. Piwnowski, M. Bugajski, H. Hasegawa.
¬ródło: -Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl. 2006 vol. 26 nr 2/3, s. 378-382, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 1.325
p-ISSN: 0928-4931
e-ISSN: 1873-0191
DOI:
Słowa kluczowe polskie: InP ; powierzchnia ; pasywacja ; azotowanie ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; model zjawisk nierównowagowych
Słowa kluczowe angielskie: InP ; surface ; passivation ; nitridation ; surface states ; photoluminescence ; model of non-equilibrium phenomena
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


66/109
Nr opisu: 0000029267
Tytuł oryginału: Studies of chemical composition and response of the SnO2 based sensor structure to dry and humid synthetic air.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Weronika Izydorczyk, Andrzej** Klimasek, Krzysztof** Waczyński, Jerzy Uljanow, Wiesław Jakubik, J. Żywicki.
¬ródło: W: XXX International Conference IMAPS Poland Chapter 2006, Kraków, 24-27 September 2006. Proceedings. Eds.: W. Zaraska, A. Cichocki, D. Szwagierczak. Kraków : Institute of Electron Technology. Cracow Division, [2006], s. 259-262
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


67/109
Nr opisu: 0000023294
Tytuł oryginału: Studies of chemical composition and response of the SnO2 based sensor structure to dry and humid synthetic air
Tytuł w wersji polskiej: Badania składu chemicznego oraz odpowiedzi struktury czujnikowej SnO2 na suche i wilgotne syntetyczne powietrze
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Weronika Izydorczyk, Andrzej** Klimasek, Krzysztof** Waczyński, Jerzy Uljanow, Wiesław Jakubik, J. Żywicki.
¬ródło: -Elektronika 2006 R. 47 nr 12, s. 5-6
p-ISSN: 0033-2089
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2411
Dostęp on-line:


68/109
Nr opisu: 0000029192
Tytuł oryginału: Studies of gas sensing, electrical and chemical properties of n-InP epitaxial surfaces
Autorzy: K. Wierzbowska, A. Pauly, Bogusława Adamowicz, L. Bideux.
¬ródło: -Phys. Status Solidi, A Appl. Res. 2006 vol. 203 iss. 9, s. 2281-2286, bibliogr. 16 poz.
Impact Factor: 1.221
p-ISSN: 0031-8965
e-ISSN: 1521-396X
DOI:
Słowa kluczowe polskie: wrażliwo¶ć ; interfejs ; utlenianie ; warstwa
Słowa kluczowe angielskie: sensitivity ; interface ; oxidation ; layer
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


69/109
Nr opisu: 0000025436
Tytuł oryginału: XPS, electric and photoluminescence-based analysis of the GaAs (1 0 0) nitridation
Autorzy: Z. Benamara, N. Mecirdi, B. Bouiadjra, L. Bideux, B. Gruzza, C. Robert, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 22, s. 7890-7894, bibliogr. 14 poz.
Impact Factor: 1.436
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: azotowanie ; XPS ; pomiar wielko¶ci elektrycznych ; fotoluminescencja
Słowa kluczowe angielskie: nitridation ; XPS ; electrical measurement ; photoluminescence
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


70/109
Nr opisu: 0000014720
Tytuł oryginału: Education in Physics at the Silesian University of Technology in Gliwice.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Jerzy** Krzak, Marian** Urbańczyk, Jerzy Bodzenta.
¬ródło: W: Proceedings of the International Conference on Engineering Education. ICEE'2005. Global education interlink, Gliwice, Poland, July 25-29, 2005. Vol. 2. Eds: Jerzy Mo¶ciński, Marcin Maci±żek. Gliwice : Silesian University of Technology, 2005, s. 786-790, bibliogr. 3 poz.
Uwagi: Toż na CD
Słowa kluczowe polskie: nauczanie fizyki ; fizyka techniczna
Słowa kluczowe angielskie: teaching physics ; technical physics
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 112984, Cz.01 E-35


71/109
Nr opisu: 0000018248
Tytuł oryginału: High-sensitivity NO2 sensor based on n-type InP epitaxial layers
Autorzy: K. Wierzbowska, Bogusława Adamowicz, L. Mazet, J. Brunet, A. Pauly, L. Bideux, Ch. Varenne, L. Berry, J.P. Germain.
¬ródło: -Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 655-662, bibliogr. 11 poz.
Impact Factor: 0.459
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: fosforek indu ; warstwa epitaksjalna ; czujnik gazu ; stan powierzchniowy ; symulacja komputerowa
Słowa kluczowe angielskie: indium phosphide ; epitaxial layer ; gas sensor ; surface states ; computer simulation
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


72/109
Nr opisu: 0000018246
Tytuł oryginału: Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
¬ródło: -Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 0.459
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe
Słowa kluczowe angielskie: gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


73/109
Nr opisu: 0000021693
Tytuł oryginału: Passivation of InP(100) substrates: first stages of nitridation by thin InN surface overlayers studied by electron spectroscopies
Autorzy: M. Petit, C. Robert-Goumet, L. Bideux, B. Gruzza, V. Matolin, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, D. Wawer, M. Bugajski.
¬ródło: -Surf. Interface Anal. 2005 vol. 37 iss. 7, s. 615-620, bibliogr. 20 poz.
Impact Factor: 0.918
p-ISSN: 0142-2421
e-ISSN: 1096-9918
Słowa kluczowe polskie: InN ; fosforek indu ; azotowanie ; AES ; XPS ; fotoluminescencja ; spektroskopia elektronowa
Słowa kluczowe angielskie: InN ; indium phosphide ; nitridation ; AES ; XPS ; photoluminescence ; electron spectroscopy
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


74/109
Nr opisu: 0000020266
Tytuł oryginału: Response of an optimised SnO2-based gas sensor structure to changes of NO2 concentration in synthetic air.
Autorzy: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz, Jerzy Uljanow, Krzysztof** Waczyński.
¬ródło: W: XXIX International Conference of International Microelectronics and Packaging Society Poland Chapter. IMAPS Poland, Koszalin - Darłówko, 18-21 September 2005. Proceedings. Eds: P. Majchrzak [et al.]. [Kraków] : International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter, 2005, s. 377-380
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


75/109
Nr opisu: 0000014708
Tytuł oryginału: Teaching " by means of physics" as an important tool in the creation of a European Higher Education Area.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Jerzy** Krzak, Marian** Urbańczyk.
¬ródło: W: Proceedings of the International Conference on Engineering Education. ICEE'2005. Global education interlink, Gliwice, Poland, July 25-29, 2005. Vol. 2. Eds: Jerzy Mo¶ciński, Marcin Maci±żek. Gliwice : Silesian University of Technology, 2005, s. 766-772, bibliogr. 8 poz.
Uwagi: Toż na CD
Słowa kluczowe polskie: ewaluacja ; konspekt ; problem nauczania ; cele operacyjne ; pomiary dydaktyczne
Słowa kluczowe angielskie: evaluation ; syllabus ; problem teaching ; operational aims ; didactic measurements
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 112984, Cz.01 E-35


76/109
Nr opisu: 0000007661
Tytuł oryginału: Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: W: 27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.
Organizator: International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter [i in.]
Słowa kluczowe polskie: stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; poziom Fermiego ; pasywacja ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe ; algorytm genetyczny
Słowa kluczowe angielskie: surface states ; surface recombination ; Fermi level ; passivation ; photoluminescence ; surface photovoltage ; genetic algorithm
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 78241


77/109
Nr opisu: 0000123735
Tytuł oryginału: Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, C. Brun, B. Gruzza, H. Hasegawa.
¬ródło: -Thin Solid Films 2003 vol. 436 iss. 1, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Uwagi: Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002
Impact Factor: 1.598
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
DOI:
Słowa kluczowe polskie: InP ; interfejs ; wła¶ciwo¶ci elektroniczne ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; wykrywanie gazu
Słowa kluczowe angielskie: InP ; interface ; electronic properties ; surface states ; Fermi level ; gas sensing
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


78/109
Nr opisu: 0000008586
Tytuł oryginału: Characterization of electronic properties of InP(100) surface from computer-aided analysis of photoluminescence
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Opt. Appl. 2002 vol. 32 no. 3, s. 227-233, bibliogr. 27 poz.
Impact Factor: 0.291
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


79/109
Nr opisu: 0000007316
Tytuł oryginału: Characterization of electronic properties of InP(100) surfaces from computer-aided analysis of photoluminescence
Tytuł w wersji polskiej: Charakteryzacja własno¶ci elektronowych powierzchni InP(100) za pomoc± wspomaganej komputerowo analizy fotoluminescencji
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: -Opt. Appl. 2002 vol. 32 no. 3, s. 227-233, bibliogr. 27 poz.
Impact Factor: 0.291
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


80/109
Nr opisu: 0000007344
Tytuł oryginału: Determination of InP surface state density distribution from excitation-power-dependent photoluminescence spectra using genetic algorithm-based fitting procedure
Tytuł w wersji polskiej: Wyznaczanie rozkładu gęsto¶ci stanów na powierzchni InP z zależno¶ci wydajno¶ci fotoluminescencji od mocy pobudzenia z użyciem procedury dopasowuj±cej opartej na algorytmie genetycznym
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: -Surf. Sci. 2002 vol. 507/510, s. 240-244, bibliogr. 12 poz.
Impact Factor: 2.140
p-ISSN: 0039-6028
e-ISSN: 1879-2758
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


81/109
Nr opisu: 0000007353
Tytuł oryginału: Rigorous analysis of photoluminescence efficiency for characterisation of electronic properties of InP(100) surfaces
Tytuł w wersji polskiej: Rygorystyczna analiza wydajno¶ci fotoluminescencji w celu charakteryzacji własno¶ci elektronowych powierzchni InP(100)
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Sebastian* Arabasz, H. Hasegawa.
¬ródło: -Vacuum 2002 vol. 67 iss. 1, s. 3-10, bibliogr. 38 poz.
Impact Factor: 0.723
p-ISSN: 0042-207X
e-ISSN: 1879-2715
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


82/109
Nr opisu: 0000037775
Tytuł oryginału: Computer analysis of photoluminescence efficienty at InP surface with U-shaped surface state continuum
Tytuł w wersji polskiej: Komputerowo wspomagana analiza wydajno¶ci fotoluminescencji na powierzchni InP z ci±głym rozkładem stanów powierzchniowych w kształcie litery U
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, Jacek** Szuber, H. Hasegawa.
¬ródło: -Vacuum 2001 vol. 63 iss. 1/2, s. 223-227, bibliogr. 19 poz.
Impact Factor: 0.541
p-ISSN: 0042-207X
e-ISSN: 1879-2715
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


83/109
Nr opisu: 0000001895
Tytuł oryginału: Determination of the surface state density distribution and fermi level position on the InP (100) surface from excition-power-dependent photoluminescence efficiency spectra
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Domagała, H. Hasegawa.
¬ródło: -Elektronika 2001 R. 42 nr 8/9, s. 76-78, bibliogr. 13 poz.
p-ISSN: 0033-2089
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2411


84/109
Nr opisu: 0000004956
Tytuł oryginału: Analysis of photoluminescence efficiency and surface recombination velocity of MBE-grown AlGaAs layers.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: W: Proceedings from the Third International Workshop MBE-GPT, Warsaw, Poland, 23-28 May 1999. Amsterdam : Elsevier, 2000, s. 180-183, bibliogr. 9 poz.
Seria: (Thin Solid Films ; vol. 367, nr 1/2 0040-6090)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


85/109
Nr opisu: 0000004359
Tytuł oryginału: Computer analysis of the Fermi level behaviour at SiO2/n-Si and SiO2/n-GaAs interfaces.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, H. Hasegawa.
¬ródło: W: Semiconductor gas sensors - SGS'98. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000, s. 249-252, bibliogr. 16 poz.
Seria: (Electron Technology ; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2959


86/109
Nr opisu: 0000004368
Tytuł oryginału: Surface photovoltage spectroscopy system for in situ studies of metal phthalocyanine thin films.
Autorzy: Marek* Bilski, S. Kaszczyszyn, Lucyna Grz±dziel, Bogusława Adamowicz, Jacek** Szuber.
¬ródło: W: Semiconductor gas sensors - SGS'98. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000, s. 289-291, bibliogr. 19 poz.
Seria: (Electron Technology ; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2959


87/109
Nr opisu: 0000008077
Tytuł oryginału: Computer simulations of the surface photovoltage on Si and GaAs surfaces with U-shaped surface state continuum.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: W: Proceedings of the 19th International Seminar on Surface Physics, Polanica-Zdrój, Poland, 15-19 June 1998. Eds: T. L. Barr [i in.]. [B.m.] : Pergamon Press, 1999, s. 173-177, bibliogr. 18 poz.
Seria: (Vacuum ; vol. 54, nr 1-4 0042-207X)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


88/109
Nr opisu: 0000007635
Tytuł oryginału: Electronic properties of AlxGa1-xAs surface passivated by ultrathin silicon interface control layer
Tytuł w wersji polskiej: Własno¶ci elektronowe powierzchni AlxGa1-xAs pasywowanej ultracienk± warstw± krzemu
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, K. Ikeya, M. Mutoh, T. Saitoh, H. Fujikura, H. Hasegawa.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 1999 vol. 141 iss. 3/4, s. 326-332, bibliogr. 16 poz.
Impact Factor: 1.195
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


89/109
Nr opisu: 0000000075
Tytuł oryginału: The contribution of surface effects to the surface photovoltage dependence on temperature for the real Si(111) surface
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Stanisław** Kochowski.
¬ródło: -Surf. Sci. 1998 vol. 200, s. 172-178, bibliogr. 11 poz.
p-ISSN: 0039-6028
e-ISSN: 1879-2758
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


90/109
Nr opisu: 0000073266
Tytuł oryginału: III-V semiconductor surfaces and interfaces Surface photovoltage in photoemission studies at a:Si/InP(110) heterojunctions
Autorzy: Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1995, s. 35, bibliogr. 3 poz.
p-ISSN: 1233-3131
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


91/109
Nr opisu: 0000034309
Tytuł oryginału: Surface photovoltage in photoemission studies at Si/InP(110) heterojunctions.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, C. Ottaviani, C. Quaresima, P. Perfetti.
¬ródło: W: XXIV International School on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec, Poland, May 27 - June 2, 1995. Pt 1. Ed. T. Story. Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, Polish Physical Society. Warsaw : Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, 1995, s. 663-666, bibliogr. 8 poz.
Seria: (Acta Physica Polonica A ; vol. 88, no. 4 0587-4246)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2936


92/109
Nr opisu: 0000047162
Tytuł oryginału: Dependence of silicon surface electronic parameters on surface Fermi level position.
Autorzy: Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Sixteenth International Seminar on Surface Physics, Kudowa, Poland, 5-10 October 1992. Oxford : Pergamon Press, 1994, s. 167-170
Seria: (Vacuum ; vol. 45, iss. 2/3 0042-207X)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z


93/109
Nr opisu: 0000043919
Tytuł oryginału: Inverse photoemission and Kelvin probe studies of the Au/GaP(110) interface
Autorzy: Bogusława Adamowicz, M. Grilli, M. Pedio, C. Ottaviani, A. Campo, M. Capozi, C. Quaresima, P. Perfetti.
¬ródło: -Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1994, s. 14-15, bibliogr. 8 poz.
p-ISSN: 1233-3131
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


94/109
Nr opisu: 0000043918
Tytuł oryginału: Studies of silicon surface electronic parameters using surface photovoltage and photoconductivity methods
Autorzy: Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1994, s. 12
p-ISSN: 1233-3131
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


95/109
Nr opisu: 0000023296
Tytuł oryginału: Transverse acoustoelectric effect and surface photovoltage method in surface study of GaP and InP
Autorzy: Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -J. Tech. Phys. 1994 vol. 35 no. 3, s. 201-208, bibliogr. 19 poz.
p-ISSN: 0324-8313
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2372


96/109
Nr opisu: 0000045262
Tytuł oryginału: Determination of some electronic and optical parameters of GaP surfaces by means of acoustoelectric and photoelectric methods
Autorzy: Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -J. Tech. Phys. 1993 vol. 34 nr 3, s. 299-309, bibliogr. 27 poz.
p-ISSN: 0324-8313
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2372


97/109
Nr opisu: 0000051947
Tytuł oryginału: Transverse acoustoelectric effect and surface photovoltage method in surface study of GaP:Te(111)
Autorzy: Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Aleksander* Opilski.
¬ródło: -Akust. Mol. Kwant. 1993 t. 14, s. 185-189, bibliogr. 8 poz.
p-ISSN: 1731-8505
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


98/109
Nr opisu: 0000053085
Tytuł oryginału: Analysis of charge versus the surface Fermi level position at silicon surface.
Autorzy: Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Proceedings of the Fifteenth International Seminar of Surface Physics, Przesieka, Poland, May 20-25, 1991. Pt 2. [Ed. J. J. Czyzewski, A. Kiejna, A. Ciszewski]. Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, Polish Physical Society. Warsaw : Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, 1992, s. 303-308, bibliogr. 8 poz.
Seria: (Acta Physica Polonica A ; vol. 81, no. 2 0587-4246)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.2936


99/109
Nr opisu: 0000053882
Tytuł oryginału: Investigation of III-V semiconductor surface properties by means of acoustic and photoelectric methods. [Sprawozdanie].
Autorzy: Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Aleksander* Opilski.
¬ródło: W: Collected contributions to physical properties of surface and subsurface layer of condensed matter. Information on the results obtained in the Central Project of Fundamental Research CPBP 01.08 (1986-1990). University of Lodz. ŁódĽ : Zakład Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego, 1991, s.225-228, bibliogr. 9 poz.
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


100/109
Nr opisu: 0000053698
Tytuł oryginału: Near-band gap transitions in the surface photovoltage spectra for GaAs, GaP and Si surfaces
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Jacek** Szuber.
¬ródło: -Surf. Sci. 1991 vol. 247 iss. 2/3, s. 94-99, bibliogr. 28 poz.
p-ISSN: 0039-6028
e-ISSN: 1879-2758
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


101/109
Nr opisu: 0000023308
Tytuł oryginału: Study of electron and optical properties of GaP by acoustoelectric and surface photovoltage methods.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Tadeusz Pustelny.
¬ródło: W: 5th Conference on Surface Physics, Puławy, 13th -16th November 1990. Proceedings. Vol. 9. [Eds: M. Kryczka, J. Rutkowski, T. Sonarski]. ŁódĽ : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1991, s. 11-15
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


102/109
Nr opisu: 0000061934
Tytuł oryginału: Influence of the surface condition on the temperature dependence of the surface photovoltage for p and n type Si.
Autorzy: Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: 4th Conference on Surface Physics, ŁódĽ, November 14th-16th, 1989. Proceedings. Vol. 7. Institute of Physics. Technical University of Warsaw. ŁódĽ : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1990, s. 11-14, bibliogr. 10 poz.
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. 97157


103/109
Nr opisu: 0000061972
Tytuł oryginału: Investigation of electron processes at the p and n type Si(111) real surface by the surface photovoltage method.
Autorzy: Bogusława Adamowicz.
¬ródło: W: Thirteenth International Seminar on Surface Physics, Piechowice, Poland, 22-27 May 1989. [B.m.] : [b.w.], 1990, s. 1-8
Seria: (Surface Science ; vol. 231, iss. 1/2 0039-6028)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z


104/109
Nr opisu: 0000060688
Tytuł oryginału: Zastosowanie metody fotonapięcia powierzchniowego do badań powierzchni półprzewodników
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Stanisław** Kochowski.
¬ródło: -Zesz. Nauk. P¦l., Mat. 1989 z. 60, s. 19-30, bibliogr. 16 poz.
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3359
Dostęp BCP¦:


105/109
Nr opisu: 0000064942
Tytuł oryginału: Application of the temperature dependence of the surface photovoltage for investigations of electron processes at the real Si surface.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Stanisław** Kochowski.
¬ródło: W: 19th International Conference on the Physics of Semiconductors, Warsaw, Poland, August 15-19, 1988. Vol. 1. Ed. W. Zawadzki. Warsaw : Institute of Physics Polish Academy of Sciences, 1988, s. 737-740, bibliogr. 5 poz.
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


106/109
Nr opisu: 0000054590
Tytuł oryginału: Badania procesów elektronowych na realnej powierzchni krzemu metod± fotonapięcia powierzchniowego. Rozprawa doktorska.
Autorzy: Bogusława Adamowicz.
Miejsce i rok obrony: Gliwice, 1988
Opis fizyczny: , 132 s., bibliogr.
Uczelnia i wydział: Politechnika Wrocławska.
Promotor: prof. dr hab. Sławomir** Kończak
Typ publikacji: D
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


107/109
Nr opisu: 0000096203
Tytuł oryginału: Investigations of the surface photovoltage effect on the p-type Si real surface.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Stanisław** Kochowski.
¬ródło: W: Proceedings 10th Seminar on Surface Physics, Wrocław 1988. Wrocław : Wydaw. Uniwersytetu Wrocławskiego, 1989, s. 13-19, bibliogr. 5 poz.
Seria: (Acta Universitatis Wratislaviensis ; no. 1025 Matematyka, Fizyka, Astronomia ; no. 52 0084-2966)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


108/109
Nr opisu: 0000106516
Tytuł oryginału: Investigations of the surface photovoltage effect on the p-type Si real surface.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Stanisław** Kochowski.
¬ródło: W: Surface research. Proceedings of the Tenth Seminar on Surface Physics, Wroclaw - Piechowice 1986. Wrocław : Wydaw. Uniwersytetu Wrocławskiego, 1988, s. 13-19, bibliogr. 5 poz.
Seria: (Acta Universitatis Wratislaviensis ; nr 1025 Matematyka, Fizyka, Astronomia ; 52 0084-2966)
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


109/109
Nr opisu: 0000064454
Tytuł oryginału: The contribution of surface effects to the surface photovoltage dependence on temperature for the real Si (111) surface
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Stanisław** Kochowski.
¬ródło: -Surf. Sci. 1988 vol. 200, s. 172-178, bibliogr. 11 poz.
p-ISSN: 0039-6028
e-ISSN: 1879-2758
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie