Wynik wyszukiwania
Zapytanie: MICROELECTRON INT
Liczba odnalezionych rekordów: 11



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/11
Nr opisu: 0000130626   
Model of phosphorus diffusion in silicon for highly doped solar cell emitter layer.
[Aut.]: Wojciech Filipowski.
-Microelectron. Int. 2019 vol. 36 iss. 3, s. 104-108, bibliogr. 34 poz.. Impact Factor 0.840. Punktacja MNiSW 40.000

profil koncentracji ; proces dopingu ; warstwa emiterowa ; dyfuzja fosforu ; ogniwo słoneczne

concentration profile ; doping process ; emitter layer ; phosphorus diffusion ; solar cell

2/11
Nr opisu: 0000130668
Selective metallization of silicon and ceramic substrates.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Edyta Wróbel, Janusz Mazurkiewicz.
-Microelectron. Int. 2019 vol. 36 iss. 2, s. 83-87, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 0.840. Punktacja MNiSW 40.000

LTCC ; krzem ; metalizacja chemiczna ; warstwa Ni-P ; rezystor ; metalizacja selektywna

LTCC ; silicon ; chemical metallization ; Ni-P layer ; resistor ; selective metallization

3/11
Nr opisu: 0000130656   
The influence of emitter resistance on the electrical parameters of mono- and multicrystalline silicon solar cells.
[Aut.]: B. Swatowska, P. Panek, D. Michoń, Aleksandra Drygała.
-Microelectron. Int. 2019 vol. 36 iss. 3, s. 90-94, bibliogr. 18 poz.. Impact Factor 0.840. Punktacja MNiSW 40.000

krzemowe ogniwo słoneczne ; emiter i rezystancja kontaktu ; charakterystyka I-V ; wydajność kwantowa

silicon solar cell ; emitter and contact resistance ; I-V characteristics ; quantum efficiency

4/11
Nr opisu: 0000125188   
Borosilicate spray-on glass solutions for fabrication silicon solar cell back surface field.
[Aut.]: Wojciech Filipowski, K. Drabczyk, Edyta Wróbel, P. Sobik, Krzysztof Waczyński, Natalia Waczyńska-Niemiec.
-Microelectron. Int. 2018 vol. 35 iss. 3, s. 172-176, bibliogr. 9 poz.. Impact Factor 0.840. Punktacja MNiSW 20.000

pole powierzchni bocznej ; proces dyfuzyjny ; źródła domieszek ; krzemowe ogniwa słoneczne

back-surface field ; diffusion process ; dopant sources ; silicon solar cells

5/11
Nr opisu: 0000118479   
Relationship between resistance, TCR and stabilization temperature of amorphous Ni-P alloy.
[Aut.]: Wojciech Filipowski, Zbigniew** Pruszowski, Krzysztof Waczyński, Piotr Kowalik, J. Kulawik.
-Microelectron. Int. 2017 vol. 34 iss. 3, s. 154-159, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 0.608. Punktacja MNiSW 20.000

TWR ; metalizacja chemiczna ; stop Ni-P ; warstwa rezystywna ; stabilizacja termiczna ; zależności matematyczne

TCR ; chemical metallization ; Ni-P alloy ; resistive layer ; thermal stabilization ; mathematical relationships

6/11
Nr opisu: 0000118488   
Spray-on glass solution for fabrication silicon solar cell emitter layer.
[Aut.]: Wojciech Filipowski, Edyta Wróbel, K. Drabczyk, Krzysztof Waczyński, G. Kulesza-Matlak, M. Lipiński.
-Microelectron. Int. 2017 vol. 34 iss. 3, s. 149-153, bibliogr. 9 poz.. Impact Factor 0.608. Punktacja MNiSW 20.000

warstwa emiterowa ; krzemowe ogniwo słoneczne ; roztwór domieszkowy

emitter layer ; silicon solar cell ; spray-on glass solution ; dopant solution

7/11
Nr opisu: 0000107789   
Comparison of diffused layer prepared using liquid dopant solutions and pastes for solar cell with screen printed electrodes.
[Aut.]: K. Drabczyk, Edyta Wróbel, G. Kulesza-Matlak, Wojciech Filipowski, Krzysztof Waczyński, M. Lipiński.
-Microelectron. Int. 2016 vol. 33 iss. 3, s. 167-171, bibliogr. 10 poz.. Impact Factor 0.737. Punktacja MNiSW 20.000

druk sitowy ; elektroda przednia ; proces dyfuzyjny ; krzemowe ogniwo słoneczne

screen printing ; front electrode ; diffusion process ; silicon solar cell ; Dopant source

8/11
Nr opisu: 0000103932   
Electrical parameters of solar cells with electrodes made by selective metallization.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Edyta Wróbel, Janusz Mazurkiewicz.
-Microelectron. Int. 2016 vol. 33 iss. 1, s. 36-41, bibliogr. 11 poz.. Impact Factor 0.737. Punktacja MNiSW 20.000

technologia półprzewodników ; technologia grubych warstw ; technologia cienkich warstw

semiconductor technology ; thick-film technology ; thin-film technology

9/11
Nr opisu: 0000095777   
Selective metallization of solar cells.
[Aut.]: Edyta Wróbel, Piotr Kowalik, Janusz Mazurkiewicz.
-Microelectron. Int. 2015 vol. 32 iss. 1, s. 1-7, bibliogr. 9 poz.. Impact Factor 0.519. Punktacja MNiSW 20.000

metalizacja chemiczna ; metalizacja selektywna ; ogniwo słoneczne

chemical metallization ; selective metallization ; solar cell

10/11
Nr opisu: 0000093172   
Changes in TCR of amorphous Ni-P resistive films as a function of thermal stabilization parameters.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Zbigniew** Pruszowski, J. Kulawik, A. Czerwiński, M. Pluska.
-Microelectron. Int. 2014 vol. 31 iss. 3, s. 149-153, bibliogr. 14 poz.. Impact Factor 0.659. Punktacja MNiSW 20.000

TWR ; struktura amorficzna ; warstwa rezystywna ; stabilizacja termiczna

TCR ; amorphous structure ; resistive layer ; thermal stabilization

11/11
Nr opisu: 0000056944   
Influence of solution acidity on composition, structure and electrical parameters of Ni-P alloys.
[Aut.]: Zbigniew** Pruszowski, Piotr Kowalik, M. Cież, J. Kulawik.
-Microelectron. Int. 2009 vol. 26 iss. 2, s. 24-27, bibliogr. 10 poz.. Impact Factor 0.588

stop ; metalizacja ; rezystywność ; warstwa cienka ; rezystor

alloy ; metallization ; electrical resistivity ; thin film ; resistor

stosując format:
Nowe wyszukiwanie