Wynik wyszukiwania
Zapytanie: JPN J APPL PHYS
Liczba odnalezionych rekordów: 7



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu: 0000071702
Capacitance-voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al2O3/AlGaN interface.
[Aut.]: C. Mizue, Y. Hori, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50 iss. 2, art. no. 021001, bibliogr. 33 poz.. Impact Factor 1.024

2/7
Nr opisu: 0000071687   
Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure for ultraviolet light detection.
[Aut.]: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50, art. no. 04DF08, bibliogr. 23 poz.. Impact Factor 1.024

3/7
Nr opisu: 0000056801
Comparison of the density of states obtained from the X-ray photoelectron spectra with the electronic structure calculations for αBiB 3O6.
[Aut.]: A. H. Reshak, S. Auluck, A. Majchrowski, Iwan* Kityk.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 1, art. no. 011601, s. 1-4. Impact Factor 1.138

4/7
Nr opisu: 0000057117
Simulations of capacitance-voltage-temperature behavior of metal/insulator/AlGaN and metal/insulator/AlGaN/GaN structures.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 4, art. no. 04C092. Impact Factor 1.138

5/7
Nr opisu: 0000056784
UV-induced variation of interface potential in AlOx/n-GaN structure.
[Aut.]: C. Mizue, Marcin** Miczek, J. Kotani, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 2, art. no. 020201. Impact Factor 1.138

6/7
Nr opisu: 0000051594
Electronic band structure and optical properties of Srn+1TinO3n+1 Ruddlesden-Popper homologous series.
[Aut.]: A. H. Reshak, S. Aluluck, Iwan* Kityk.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2008 vol. 47 iss. 7, s. 5516-5520, bibliogr. 40 poz.. Impact Factor 1.309

7/7
Nr opisu: 0000050894
Temperature-dependent interface-state response in an Al2O3/n-GaN structure.
[Aut.]: K. Ooyama, H. Kato, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2008 vol. 47 iss. 7, s. 5426-5428. Impact Factor 1.309

stosując format:
Nowe wyszukiwanie