Wynik wyszukiwania
Zapytanie: APPL PHYS LETT
Liczba odnalezionych rekordów: 8



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/8
Nr opisu: 0000121704   
Electronic and magneto-transport in chirality sorted carbon nanotube films.
[Aut.]: Dawid Janas, N. Czechowski, Z. Adamus, T. Giżewski.
-Appl. Phys. Lett. 2018 vol. 112 iss. 5, s. 053104-1 - 053104-5, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 3.521. Punktacja MNiSW 40.000

2/8
Nr opisu: 0000117236   
Origin of positive fixed charge at insulator/AlGaN interfaces and its control by AlGaN composition.
[Aut.]: Maciej* Matys, R. Stoklas, M. Blaho, Bogusława Adamowicz.
-Appl. Phys. Lett. 2017 vol. 110 iss. 24, s. 243505-1 - 243505-5, bibliogr. 26 poz.. Impact Factor 3.495. Punktacja MNiSW 40.000

3/8
Nr opisu: 0000107795   
High-temperature ultraviolet detection based on surface photovoltage effect in SiN passivated n-GaN films.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, Z. Zytkiewicz, A. Taube, R. Kruszka, A. Piotrowska.
-Appl. Phys. Lett. 2016 vol. 109 iss. 5, art. nr 051106, s. 1-5, bibliogr. 25 poz.. Impact Factor 3.411. Punktacja MNiSW 40.000

4/8
Nr opisu: 0000104060   
Towards monomaterial p-n junctions. Single-step fabrication of tin oxide films and their non-destructive characterisation by angle-dependent X-ray photoelectron spectroscopy.
[Aut.]: Maciej Krzywiecki, A. Sarfraz, A. Erbe.
-Appl. Phys. Lett. 2015 vol. 107 iss. 23, s. 231601-1 - 23601-5, bibliogr. 56 poz.. Impact Factor 3.142. Punktacja MNiSW 40.000

5/8
Nr opisu: 0000115447   
Direct evidence of delayed electroluminescence from carbon nanotubes on the macroscale.
[Aut.]: Dawid Janas, N. Czechowski, S. Mackowski, K. Koziol.
-Appl. Phys. Lett. 2014 vol. 104, s. 261107-1 - 261107-4, bibliogr. 31 poz.. Impact Factor 3.302. Punktacja MNiSW 40.000

6/8
Nr opisu: 0000095200   
Direct measurement of donor-like interface state density and energy distribution at insulator/AlGaN interface in metal/Al2O3/AlGaN/GaN by photocapacitance method.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
-Appl. Phys. Lett. 2013 vol. 103 iss. 23, s. 021603-1 - 021603-4, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 3.515. Punktacja MNiSW 40.000

7/8
Nr opisu: 0000115443   
Electroluminescence from carbon nanotube films resistively heated in air.
[Aut.]: Dawid Janas, N. Czechowski, B. Krajnik, S. Mackowski, K. Koziol.
-Appl. Phys. Lett. 2013 vol. 102, s. 181104-1 - 181104-4, bibliogr. 33 poz.. Impact Factor 3.515. Punktacja MNiSW 40.000

8/8
Nr opisu: 0000084466   
Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al2O3/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-Appl. Phys. Lett. 2012 vol. 101 iss. 23, s. 231608-1 - 231608-4, bibliogr. 18 poz.. Impact Factor 3.794. Punktacja MNiSW 40.000

związki aluminium ; związki galu ; półprzewodnik grupy III-V ; struktura MIS ; fotopojemność ; pasmo walencyjne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy

aluminium compounds ; gallium compounds ; III-V semiconductor ; MIS structure ; photocapacitance ; valence band ; wide bandgap semiconductor

stosując format:
Nowe wyszukiwanie