Wynik wyszukiwania
Zapytanie: TRANZYSTOR POLOWY METAL- TLENEK-PÓŁPRZEWODNIK
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000049454   
Patent. Polska, nr 200 087. Wielowejściowy tranzystor polowy MOS o bramkach swobodnych. Int. Cl. H01L 29/772.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński.
Zgłosz. nr 347 756 z 26.05.2001. Opubl. 31.12.2008, 4 s.

tranzystor polowy MOS ; MOSFET ; tranzystor polowy metal- tlenek-półprzewodnik ; bramka swobodna

field-effect transistor MOS ; MOSFET ; Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor ; free gate

stosując format:
Nowe wyszukiwanie