Wynik wyszukiwania
Zapytanie: TRANZYSTOR POLOWY MOS
Liczba odnalezionych rekordów: 5



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/5
Nr opisu: 0000081232   
Patent. Polska, nr 205 008. Tranzystor polowy MOS o bramce swobodnej złączowej. Int. Cl. H01L 29/772.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński, Piotr Holajn.
Zgłosz nr 361 122 z 07.07.2003. Opubl. 31.03.2010, 4 s.

tranzystor polowy MOS ; bramka swobodna

metal-oxide-semiconductor FET ; free gate

2/5
Nr opisu: 0000081228   
Patent. Polska, nr 203 843. Tranzystor polowy MOS o bramce swobodnej ze sprzężeniem wewnętrznym. Int. Cl. H01L 29/772.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński.
Zgłosz. nr 353 815 z 10.05.2002. Opubl. 30.11.2009, 4 s.

tranzystor polowy MOS ; bramka swobodna

metal-oxide-semiconductor FET ; free gate

3/5
Nr opisu: 0000049454   
Patent. Polska, nr 200 087. Wielowejściowy tranzystor polowy MOS o bramkach swobodnych. Int. Cl. H01L 29/772.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński.
Zgłosz. nr 347 756 z 26.05.2001. Opubl. 31.12.2008, 4 s.

tranzystor polowy MOS ; MOSFET ; tranzystor polowy metal- tlenek-półprzewodnik ; bramka swobodna

field-effect transistor MOS ; MOSFET ; Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor ; free gate

4/5
Nr opisu: 0000025311
Elektroniczne przyrządy półprzewodnikowe. Zasady działania diod i tranzystorów - rozwiązywanie zadań.
[Aut.]: Krzysztof Waczyński, Edyta Wróbel.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2007, 251 s., bibliogr. 22 poz.
Skrypt nr 2396

półprzewodnik ; nośnik ładunku ; dioda półprzewodnikowa ; tranzystor bipolarny ; tranzystor polowy MOS ; konduktywność elektryczna

semiconductor ; charge carrier ; semiconductor diode ; bipolar transistor ; field-effect transistor MOS ; electrical conductivity

5/5
Nr opisu: 0000024296
Mówiące przyrządy.
[Aut.]: Piotr Kłosowski, Jacek Izydorczyk.
-Prz. Telekom. 1998 R. 71 nr 3, s. 185-187, bibliogr. 6 poz.

prawo Moore'a ; tranzystor polowy MOS ; technologia CMOS

Moore's law ; metal-oxide-semiconductor FET ; CMOS technology

stosując format:
Nowe wyszukiwanie