Wynik wyszukiwania
Zapytanie: STRUKTURA MIS
Liczba odnalezionych rekordów: 5



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/5
Nr opisu: 0000089615   
Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs structure based on DLTS measurements.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Łukasz Drewniak, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
-Mater. Sci. Pol. 2013 vol. 31 no. 3, s. 446-453, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 0.327. Punktacja MNiSW 15.000

struktura MIS ; głęboki poziom ; stany międzypowierzchni ; spektroskopia admitancyjna ; DLTS

MIS structure ; deep level ; interface states ; admittance spectroscopy ; DLTS

2/5
Nr opisu: 0000088327   
Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry.
[Aut.]: Maciej* Matys, P. Powroźnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
-Opt. Appl. 2013 vol. 43 no. 1, s. 47-52, bibliogr. 7 poz.. Impact Factor 0.643. Punktacja MNiSW 15.000

fotonapięcie powierzchniowe ; azotek galu ; metal/izolator/GaN ; struktura MIS ; detektor ultrafioletu

surface photovoltage ; gallium nitride ; metal/insulator/GaN ; MIS structure ; UV detector

3/5
Nr opisu: 0000084466   
Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al2O3/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-Appl. Phys. Lett. 2012 vol. 101 iss. 23, s. 231608-1 - 231608-4, bibliogr. 18 poz.. Impact Factor 3.794. Punktacja MNiSW 40.000

związki aluminium ; związki galu ; półprzewodnik grupy III-V ; struktura MIS ; fotopojemność ; pasmo walencyjne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy

aluminium compounds ; gallium compounds ; III-V semiconductor ; MIS structure ; photocapacitance ; valence band ; wide bandgap semiconductor

4/5
Nr opisu: 0000071269   
The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure.
[Aut.]: Marcin** Miczek, P. Bidziński, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
-Solid State Commun. 2011 vol. 151 iss. 11, s. 830-833, bibliogr. 37 poz.. Impact Factor 1.649

azotek galu ; struktura MIS ; fotodetektor typu "solar blind"

gallium nitride ; MIS structure ; "solar blind" photodetector

5/5
Nr opisu: 0000081093   
Analiza numeryczna zjawisk fotoelektronowych w detektorach promieniowania UV typu MIS na bazie n-GaN.
[Aut.]: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
W: IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010, s. 235, bibliogr. 4 poz.

GaN ; struktura MIS ; COMSOL

GaN ; MIS structure ; COMSOL

stosując format:
Nowe wyszukiwanie