Wynik wyszukiwania
Zapytanie: STEROWNIK BRAMKOWY
Liczba odnalezionych rekordów: 6



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/6
Nr opisu: 0000123685   
Problem zwarć skrośnych w scalonych sterownikach bramkowych pracujących z częstotliwością 30 MHz.
[Aut.]: Piotr Legutko.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 6, s. 74-77, bibliogr. 10 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

sterownik bramkowy ; drajwer niskostratny ; tranzystor MOSFET ; wysoka częstotliwość ; zwarcie skrośne ; straty mocy

MOSFET driver ; low-losses driver ; MOSFET transistor ; high frequency ; short circuit ; power losses

2/6
Nr opisu: 0000124793   
Problematyka określenia sprawności niskostratnych drajwerów pracujących z częstotliwością 30 MHz.
[Aut.]: Piotr Legutko, Marcin Kasprzak, Kamil Kierepka.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 8, s. 120-123, bibliogr. 13 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

sterownik bramkowy ; drajwer niskostratny ; sprawność ; tranzystor MOSFET ; wysoka częstotliwość

driver ; MOSFET transistor ; low-losses driver ; high-frequency ; efficiency

3/6
Nr opisu: 0000118716
Analiza wysokoczęstotliwościowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Piotr Legutko.
Gliwice, 2017, 145 k., 114 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Mariusz Stępień

tranzystor MOSFET ; elektronika przemysłowa ; wysoka częstotliwość ; falownik rezonansowy ; straty mocy ; sterownik bramkowy

MOSFET transistor ; industrial electornics ; high frequency ; resonant inverter ; power losses ; gate driver

4/6
Nr opisu: 0000105709
Wysokoczęstotliwościowe drajwery dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE.
[Aut.]: Piotr Legutko, Marcin Kasprzak.
W: Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki Śląskiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 81-83, bibliogr. 3 poz.

sterownik bramkowy ; MOSFET ; transformator

gate driver ; MOSFET ; transformer

5/6
Nr opisu: 0000107444
Wysokoczęstotliwościowe drajwery dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE - rozwiązania i perspektywa rozwoju.
[Aut.]: Piotr Legutko.
W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 135-140, bibliogr. 9 poz.

sterownik bramkowy ; MOSFET ; tranzystor ; drajwer

gate driver ; MOSFET ; transistor ; driver

6/6
Nr opisu: 0000094734   
Nowe niskostratne drajwery transystorów MOSFET mocy.
[Aut.]: Piotr Legutko.
-Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2013 R. 59 z. 2/3, s. 67-77, bibliogr. 10 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

sterownik bramkowy ; analiza ; moc czynna ; straty mocy ; tranzystor MOSFET ; tranzystor mocy

gate driver ; analysis ; active power ; power losses ; MOSFET transistor ; power transistor

stosując format:
Nowe wyszukiwanie