Wynik wyszukiwania
Zapytanie: STANY MIĘDZYPOWIERZCHNI
Liczba odnalezionych rekordów: 3



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/3
Nr opisu: 0000116389
Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction.
[Aut.]: R. Stoklas, D. Gregusova, M. Blaho, K. Frohlich, J. Novak, Maciej* Matys, Z. Yatabe, P. Kordos, T. Hashizume.
-Semicond. Sci. Technol. 2017 vol. 32 iss. 4, art. no. 045018, bibliogr. 29 poz.. Impact Factor 2.280. Punktacja MNiSW 30.000

AlGaN/GaN ; stany międzypowierzchni ; dielektryk HfO2 ; XPS ; ALD

AlGaN/GaN ; interface states ; HfO2 dielectric ; XPS ; ALD ; oxygen-plasma treatment

2/3
Nr opisu: 0000089615   
Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs structure based on DLTS measurements.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Łukasz Drewniak, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
-Mater. Sci. Pol. 2013 vol. 31 no. 3, s. 446-453, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 0.327. Punktacja MNiSW 15.000

struktura MIS ; głęboki poziom ; stany międzypowierzchni ; spektroskopia admitancyjna ; DLTS

MIS structure ; deep level ; interface states ; admittance spectroscopy ; DLTS

3/3
Nr opisu: 0000089617
The analysis of filling pulse parameters influence on ICTS data of GaAs MIS structures.
[Aut.]: Łukasz Drewniak, Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
W: Electron Technology Conference 2013, Ryn, Poland, 16-20 April 2013. Eds: Paweł Szczepański, Ryszard Kisiel, Ryszard S. Romaniuk. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2013, art. 890209 s. 1-8, bibliogr. 16 poz. (Proceedings of SPIE ; vol. 8902 0277-786X)

struktura GaAs MIS ; ICTS ; stany międzypowierzchni

GaAs MIS structure ; ICTS ; interface states

stosując format:
Nowe wyszukiwanie