Wynik wyszukiwania
Zapytanie: STAN POWIERZCHNIOWY
Liczba odnalezionych rekordów: 17



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/17
Nr opisu: 0000121534   
Surface condition of new γ-γ' Co-Al-Mo-Nb and Co-Al-W cobalt-based superalloys after oxidation at 800 °C.
[Aut.]: Damian Migas, Grzegorz Moskal, Dawid Niemiec.
-J. Mater. Eng. Perform. 2018 vol. 27 iss. 2, s. 447-456, bibliogr. 41 poz.. Impact Factor 1.476. Punktacja MNiSW 20.000

stan powierzchniowy ; utlenianie cykliczne ; nadstop Co-Al-W ; nadstop Co-Al-Mo-Nb ; nadstop kobaltu typu gamma-gamma'

surface condition ; cyclic oxidation ; Co-Al-W superalloy ; Co-Al-Mo-Nb superalloy ; gamma-gamma' cobalt-based superalloy

2/17
Nr opisu: 0000098291
Influence of surface condition on oxides layer morphology on NiCrAlY coating during oxidation at temperature 1000oC and 1100oC.
[Aut.]: Grzegorz Moskal, Dawid Niemiec.
W: Corrosion and surface engineering. Selected, peer reviewed papers from the International Scientific Conference Corrosion 2014, November 18-21, 2014, Gliwice, Poland. Ed. by Joanna Michalska and Maciej Sowa. Stafa-Zurich : Trans Tech Publications, 2015, s. 385-388, bibliogr. 9 poz. (Solid State Phenomena ; vol. 227 1662-9779)

odporność na utlenianie ; warstwa NiCrAlY ; stan powierzchniowy

oxidation resistance ; NiCrAlY coating ; surface condition

3/17
Nr opisu: 0000095715
Numerical modeling of the phenomena of frictional coupling between wheel and rail to describe and verify the operation of surface condition detector.
[Aut.]: A. Niedworok, Andrzej Baier.
W: Mechatronic systems and materials VI. Selected, peer reviewed papers from the 9th International Conference on Mechatronic Systems and Materials (MSM 2013), Vilnius, Lithuania, July 1-3, 2013. Ed. by A. V. Valiulis, O. Cernasejus and V. Moksin. Stafa-Zurich : Trans Tech Publications, 2015, s. 251-256 (Solid State Phenomena ; vol. 220/221 1662-9779)

sprzęgło cierne ; detektor ; stan powierzchniowy ; poślizg ; model numeryczny ; współczynnik tarcia

frictional coupling ; detector ; surface condition ; slip ; numerical model ; friction coefficient

4/17
Nr opisu: 0000096588
Profilometric assessment of surface condition of zinc coatings formed by the continuous galvanizing method.
[Aut.]: Jacek Mendala, Jakub Wieczorek.
W: Technologies and properties of modern utility materials XXII. Selected, peer reviewed papers from the XXII Conference on Technologies and Properties of Modern Utility Materials (TPMUM 2014), May 16, 2014, Katowice, Poland. Ed. by Jacek Mendala, Paweł Gradoń. Stafa-Zurich : Trans Tech Publications, 2015, s. 127-132 (Solid State Phenomena ; vol. 226 1662-9779)

cynkowanie ; powłoka Zn ; stan powierzchniowy ; profilometria

galvanizing ; Zn coating ; surface condition ; profilometry

5/17
Nr opisu: 0000103989   
The influence of NiCrAlY coatings roughness on oxidation kinetics during static oxidation test at temperature 1000oC and 1100oC.
[Aut.]: Dawid Niemiec, Grzegorz Moskal, Anna Jasik.
-Arch. Metall. Mater. 2015 vol. 60 iss. 4, s. 2671-2680, bibliogr. 15 poz.. Punktacja MNiSW 30.000

warstwa NiCrAlY ; kinetyka utleniania ; stan powierzchniowy

NiCrAlY coating ; oxidation kinetics ; surface condition

6/17
Nr opisu: 0000095394
Influence of surface condition on oxides layer morphology on NiCrAlY coating during oxidation at temperature 1000 and 1100oC.
[Aut.]: Grzegorz Moskal, Dawid Niemiec.
W: Corrosion 2014. International scientific conference, Gliwice, Poland, 18-21 November 2014. Book of abstracts. Ed. by Artur Maciej. [B.m.] : [b.w.], 2014, s. 174

odporność na utlenianie ; warstwa NiCrAlY ; stan powierzchniowy

oxidation resistance ; NiCrAlY coating ; surface condition

7/17
Nr opisu: 0000093838
Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Alina Domanowska, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, A. Taube, R. Kruszka.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 184 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

fotodetektor ultrafioletu ; GaN ; AlGaN/GaN ; stan powierzchniowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; fotopojemność ; pasywacja ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

UV photodetector ; GaN ; AlGaN/GaN ; surface condition ; surface photovoltage ; photocapacitance ; passivation ; metal-insulator-semiconductor structure

8/17
Nr opisu: 0000093841
Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości powierzchniowych na granicy fazowej Al2O3/GaN i Al2O3/AlGaN.
[Aut.]: Maciej* Matys, Rafał* Ucka, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 194 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; pasywacja ; fotopojemność ; stan powierzchniowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; passivation ; photocapacitance ; surface condition ; metal-insulator-semiconductor structure

9/17
Nr opisu: 0000082736
Charakteryzacja właściwości chemicznych, optycznych i elektronowych pasywowanych in-situ powierzchni n-GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Alina Domanowska, Piotr* Kościelniak, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Michał* Sitarz, Jacek Szuber, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube.
W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 152
Pełny tekst na CD-ROM

azotek galu ; pasywacja ; stan powierzchniowy ; skład chemiczny

gallium nitride ; passivation ; surface condition ; chemical composition

10/17
Nr opisu: 0000084471   
Analiza wpływu stanów powierzchniowych na fotoluminescencję z azotku galu.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
W: V Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2011, Gdańsk, 3-7 lipca 2011. Streszczenia wystąpień. Pod red. Jarosława Rybickiego i Wojciecha Sadowskiego. Gdańsk : TASK Publishing, 2011, s. 158-159, bibliogr. 3 poz.

fotoluminescencja ; stan powierzchniowy ; azotek galu

photoluminescence ; surface condition ; gallium nitride

11/17
Nr opisu: 0000025449   
Comparative study of the GaAs(1 0 0) surface cleaned by atomic hydrogen.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, A. Winkler, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7647-7658, bibliogr. 58 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

GaAs ; wodór atomowy ; spektroskopia elektronów Augera ; spektrometria masowa ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; funkcja pracy ; potencjał jonizacyjny

GaAs ; atomic hydrogen ; Auger electron spectroscopy ; mass spectrometry ; surface states ; Fermi level ; work function ; ionization potential

12/17
Nr opisu: 0000029174   
Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures.
[Aut.]: H. Hasegawa, T. Sato, S. Kasai, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-Sol. Energy 2006 vol. 80 iss. 6, s. 629-644, bibliogr.. Impact Factor 1.431

stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; spektroskopia tunelowa ; nanostruktura

surface states ; surface recombination ; tunnelling spectroscopy ; nanostructure ; Fermi level pinning ; capacitance voltage method

13/17
Nr opisu: 0000025312   
Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, M. Petit, B. Gruzza, C. Robert-Goumet, T. Piwnowski, M. Bugajski, H. Hasegawa.
-Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl. 2006 vol. 26 nr 2/3, s. 378-382, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.325

InP ; powierzchnia ; pasywacja ; azotowanie ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; model zjawisk nierównowagowych

InP ; surface ; passivation ; nitridation ; surface states ; photoluminescence ; model of non-equilibrium phenomena

14/17
Nr opisu: 0000018248   
High-sensitivity NO2 sensor based on n-type InP epitaxial layers.
[Aut.]: K. Wierzbowska, Bogusława Adamowicz, L. Mazet, J. Brunet, A. Pauly, L. Bideux, Ch. Varenne, L. Berry, J.P. Germain.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 655-662, bibliogr. 11 poz.. Impact Factor 0.459

fosforek indu ; warstwa epitaksjalna ; czujnik gazu ; stan powierzchniowy ; symulacja komputerowa

indium phosphide ; epitaxial layer ; gas sensor ; surface states ; computer simulation

15/17
Nr opisu: 0000018246   
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 0.459

arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe

gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage

16/17
Nr opisu: 0000007661
Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
W: 27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.

stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; poziom Fermiego ; pasywacja ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe ; algorytm genetyczny

surface states ; surface recombination ; Fermi level ; passivation ; photoluminescence ; surface photovoltage ; genetic algorithm

17/17
Nr opisu: 0000123735   
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, C. Brun, B. Gruzza, H. Hasegawa.
-Thin Solid Films 2003 vol. 436 iss. 1, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002. Impact Factor 1.598

InP ; interfejs ; właściwości elektroniczne ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; wykrywanie gazu

InP ; interface ; electronic properties ; surface states ; Fermi level ; gas sensing

stosując format:
Nowe wyszukiwanie