Wynik wyszukiwania
Zapytanie: REKOMBINACJA POWIERZCHNIOWA
Liczba odnalezionych rekordów: 4



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu: 0000082601
Modelowanie wpływu stanów powierzchniowych na zjawiska rekombinacyjne w GaN.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 167
Pełny tekst na CD-ROM

azotek galu ; fotoluminescencja ; rekombinacja powierzchniowa ; metoda elementów skończonych ; defekt radiacyjny

gallium nitride ; photoluminescence ; surface recombination ; finite element method ; radiation defect

2/4
Nr opisu: 0000028360   
The influence of light intensity on surface recombination in GaS single crystals.
[Aut.]: Maria** Szałajko, Marian** Nowak.
-Appl. Surf. Sci. 2007 vol. 253 nr 7, s. 3636-3641, bibliogr. 15 poz.. Impact Factor 1.406

siarczek galu ; fotoprzewodnictwo ; rekombinacja powierzchniowa

gallium sulphide ; photoconductivity ; surface recombination

3/4
Nr opisu: 0000029174   
Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures.
[Aut.]: H. Hasegawa, T. Sato, S. Kasai, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-Sol. Energy 2006 vol. 80 iss. 6, s. 629-644, bibliogr.. Impact Factor 1.431

stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; spektroskopia tunelowa ; nanostruktura

surface states ; surface recombination ; tunnelling spectroscopy ; nanostructure ; Fermi level pinning ; capacitance voltage method

4/4
Nr opisu: 0000007661
Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
W: 27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.

stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; poziom Fermiego ; pasywacja ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe ; algorytm genetyczny

surface states ; surface recombination ; Fermi level ; passivation ; photoluminescence ; surface photovoltage ; genetic algorithm

stosując format:
Nowe wyszukiwanie