Wynik wyszukiwania
Zapytanie: PASYWACJA POWIERZCHNI
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000080343   
Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO2/SiO2/4H-SiC and HfO2/Al2O3/4H-SiC structures.
[Aut.]: Alina Domanowska, Marcin** Miczek, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, J. Żywicki, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gierałtowska, M. Sochacki.
-Appl. Surf. Sci. 2012 vol. 258 iss. 21, s. 8354-8359, bibliogr. 43 poz.. Impact Factor 2.112. Punktacja MNiSW 30.000

węglik krzemu ; pasywacja powierzchni ; fotonapięcie powierzchniowe ; spektroskopia elektronów Augera

silicon carbide ; surface passivation ; surface photovoltage ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiling ; interface charge

2/2
Nr opisu: 0000063355   
Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future.
[Aut.]: H. Hasegawa, M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz.
-Appl. Surf. Sci. 2010 vol. 256 iss. 19, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz.. Impact Factor 1.795

półprzewodnik grupy III-V ; pasywacja powierzchni ; MISFET ; dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej ; arsenek galu ; GaAs ; fotoluminescencja

III-V semiconductor ; surface passivation ; MISFET ; high-k dielectric ; gallium arsenide ; GaAs ; photoluminescence

stosując format:
Nowe wyszukiwanie