Wynik wyszukiwania
Zapytanie: MIERNICTWO ELEKTRYCZNE
Liczba odnalezionych rekordów: 5



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/5
Nr opisu: 0000091170
Laboratorium podstaw miernictwa. Praca zbiorowa. Pod red. Dariusza Buchczika, Stanisława Walusia.
[Aut.]: Wojciech* Błotnicki, Dariusz Buchczik, Sebastian Budzan, Tomasz Grychowski, Andrzej Kozyra, Stanisław* Waluś, Alicja Wiora, Józef Wiora, Roman Wyżgolik, Janusz** Żelezik.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2014, 174 s., bibliogr.
Skrypt nr 2534

miernictwo elektryczne ; pomiar ; pomiar analogowy ; pomiar cyfrowy ; pomiar wielkości elektrycznych ; pomiar wielkości nieelektrycznych ; ocena niepewności

electrical measurements ; measurement ; analog measurement ; digital measurement ; electrical measurement ; nonelectrical measurement ; uncertainty evaluation

2/5
Nr opisu: 0000072046
Laboratorium podstaw elektrotechniki I. Ze wstępem teoretycznym i zadaniami.
[Aut.]: Piotr* Jantos, Katarzyna Mościńska.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2012, 171 s., bibliogr. 10 poz.
Skrypt nr 2493

elektrotechnika ; obwód prądu stałego ; laboratorium ; zadania ; PSpice ; miernictwo elektryczne

electrotechnics ; constant-current circuit ; laboratory ; exercises ; PSpice ; electrical measurements

3/5
Nr opisu: 0000059397
Miernictwo.
[Aut.]: Andrzej** Marcyniuk, J. Przygodzki, Stanisław* Waluś.
W: Poradnik inżyniera elektryka. T. 1. Wyd. 3 zm. i rozsz.. Warszawa : Wydaw. Naukowo-Techniczne, 2009, s. 739-816, bibliogr. 187 poz.

miernictwo elektryczne ; pomiar magnetyczny ; pomiar energii elektrycznej ; pomiar wielkości nieelektrycznych

electrical measurement ; magnetic measurement ; measurement of electricity ; nonelectrical measurement

4/5
Nr opisu: 0000025451   
Charge transient spectroscopy measurements of GaAs metal-insulator-semiconductor structures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, I. Thurzo, D. Zahn.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 2631-2635, bibliogr. 32 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

arsenek galu ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; spektroskopia produktów przejściowych ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne

gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure ; charge transient spectroscopy ; electrical properties ; electrical measurement

5/5
Nr opisu: 0000011168   
Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 2004 vol. 467 iss. 1/2, s. 190-196, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 1.647

element stałofazowy ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; electrical properties ; electrical measurement ; gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure

stosując format:
Nowe wyszukiwanie