Wynik wyszukiwania
Zapytanie: FOTOPRZEWODNICTWO
Liczba odnalezionych rekordów: 7



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu: 0000110432
Prevention of food spoilage using nanoscale sensors.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak.
W: Nanobiosensors. Ed. by Alexandru Mihai Grumezescu. Amsterdam : Elsevier, 2017, s. 245-288, bibliogr. (Nanotechnology in the Agri-Food Industry ; vol. 8)

nanosensor ; psucie żywności ; wilgotność ; jodosiarczek antymonu ; SbSI ; nanodruty ; impedancja ; fotoprzewodnictwo

nanosensor ; food spoilage ; humidity ; antimony sulfoiodide ; SbSI ; nanowires ; impedance ; photoconductivity

2/7
Nr opisu: 0000115120   
Patent. Polska, nr 223 753. Sposób wyznaczania względnej wilgotności gazu. Int. Cl. G01N 21/17, G01N 19/10, G01W 1/00.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Marian** Nowak, Krystian Mistewicz.
Zgłosz. nr 405 488 z 30.09.2013. Opubl. 31.10.2016, s. 1-4

wilgotność gazu ; fotoprzewodnictwo ; meteorologia

gas humidity ; photoconductivity ; meteorology

3/7
Nr opisu: 0000092706   
Quantum efficiency coefficient for photogeneration of carriers in SbSI nanowires.
[Aut.]: Marian** Nowak, Ł. Bober, B. Borkowski, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich, D. Stróż, Maria Sozańska.
-Opt. Mater. 2014 vol. 35 iss. 12, s. 2208-2216, bibliogr. 48 poz.. Impact Factor 1.981. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; półprzewodnik ; fotoprzewodnictwo

antimony sulfoiodide ; nanowires ; semiconductor ; photoconductivity

4/7
Nr opisu: 0000087248   
Optical properties of semiconductors.
[Aut.]: Marian** Nowak.
W: Silicon based thin film solar cells. Ed. R. Murri. [B.m.] : Bentham Science Publishers, 2013, s. 177-242, bibliogr. 87 poz.

półprzewodnik ; transmitancja ; współczynnik odbicia ; wydajność kwantowa ; fotogeneracja ; własności optyczne ; struktura wielowarstwowa ; krzem amorficzny ; współczynnik załamania światła ; współczynnik absorpcji ; rozkład przestrzenny ; natężenie promieniowania ; rekombinacja ; fotoprzewodnictwo ; niejednorodność optyczna

semiconductor ; transmittance ; reflectance ; quantum efficiency ; photogeneration ; optical properties ; multilayer structure ; amorphous silicon ; refractive index ; absorption coefficient ; spatial distribution ; radiation intensity ; recombination ; photoconductivity ; optical inhomogeneity

5/7
Nr opisu: 0000094446   
Quantum efficiency coefficient for photogeneration of carriers in SbSI nanowires.
[Aut.]: Marian** Nowak, Ł. Bober, B. Borkowski, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich, D. Stróż, Maria Sozańska.
-Opt. Mater. 2013 vol. 35 iss. 12, s. 2208-2216, bibliogr. 48 poz.. Impact Factor 2.075. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; półprzewodnik ; fotoprzewodnictwo

antimony sulfoiodide ; nanowires ; semiconductor ; photoconductivity

6/7
Nr opisu: 0000076652
Optoelectronic proerties of SbSI/Sb2S3.
[Aut.]: Bartłomiej Toroń, Marian** Nowak, Andrzej Grabowski, Mirosława Kępińska.
W: OPTO meeting for young reserchers and 7th international SPIE student's chapter meeting, Gliwice, 17-20th May 2012. Book of abstracts. Ed. Sabina Drewniak, Przemysław Struk. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 25-26, bibliogr. 3 poz.

jodosiarczek antymonu ; obróbka laserowa ; fotoprzewodnictwo ; heterostruktura

antimony sulfoiodide ; laser processing ; photoconductivity ; heterostructure

7/7
Nr opisu: 0000028360   
The influence of light intensity on surface recombination in GaS single crystals.
[Aut.]: Maria** Szałajko, Marian** Nowak.
-Appl. Surf. Sci. 2007 vol. 253 nr 7, s. 3636-3641, bibliogr. 15 poz.. Impact Factor 1.406

siarczek galu ; fotoprzewodnictwo ; rekombinacja powierzchniowa

gallium sulphide ; photoconductivity ; surface recombination

stosując format:
Nowe wyszukiwanie