Wynik wyszukiwania
Zapytanie: ATOMOWE OSADZANIE WARSTW
Liczba odnalezionych rekordów: 12



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/12
Nr opisu: 0000125675   
Struktura i własności warstw Al2O3 osadzonych metodą ALD na krzemowych ogniwach fotowoltaicznych.
[Aut.]: Marek Szindler, Magdalena Szindler.
-Elektronika 2018 R. 59 nr 9, s. 9-11, bibliogr. 11 poz.. Punktacja MNiSW 8.000

atomowe osadzanie warstw ; warstwa antyrefleksyjna ; krzemowe ogniwo fotowoltaiczne ; własności optyczne ; charakterystyka prądowo-napięciowa

atomic layer deposition ; antireflection coating ; silicon solar cell ; optical properties ; current-voltage characteristic

2/12
Nr opisu: 0000126016
Struktura i własności warstw Al2O3 osadzonych metodą ALD na krzemowych ogniwach fotowoltaicznych.
[Aut.]: Marek Szindler, Magdalena Szindler.
W: XVII Krajowa Konferencja Elektroniki, Darłówko Wschodnie, 03-07.06.2018. Program konferencji. [Dokument elektroniczny]. [B.m.] : [b.w.], 2018, s. 1-6, bibliogr. 11 poz.

atomowe osadzanie warstw ; warstwa antyrefleksyjna ; krzemowe ogniwo fotowoltaiczne ; własności optyczne ; charakterystyka prądowo-napięciowa

atomic layer deposition ; antireflection layer ; silicon solar cell ; optical properties ; current-voltage characteristic

3/12
Nr opisu: 0000105080   
Influence of laser texturization surface and atomic layer deposition on optical properties of polycrystalline silicon.
[Aut.]: Aleksandra Drygała, Leszek** Dobrzański, Marek Szindler, Magdalena Szindler, Marzena* Prokopiuk vel Prokopowicz, Ewa Jonda.
-Int. J. Hydrog. Energy 2016 vol. 41 iss. 18, s. 7563-7567, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 3.582. Punktacja MNiSW 35.000

ogniwo słoneczne ; teksturyzacja laserowa ; atomowe osadzanie warstw

solar cell ; laser texturization ; atomic layer deposition

4/12
Nr opisu: 0000103491   
Atomic layer deposition of TiO2 onto porous biomaterials.
[Aut.]: Leszek** Dobrzański, Anna* Dobrzańska-Danikiewicz, Marek Szindler, Anna* Achtelik-Franczak, Wojciech Pakieła.
-Arch. Mater. Sci. Eng. 2015 vol. 75 nr 1, s. 5-11, bibliogr. 19 poz. Punktacja MNiSW 13.000

materiał porowaty ; powłoka cienka ; tlenek tytanu ; atomowe osadzanie warstw

porous material ; thin film ; titanium oxide ; atomic layer deposition

5/12
Nr opisu: 0000104739   
Characteristics of ZnO thin films deposited by atomic layer deposition.
[Aut.]: Paulina Boryło, Krzysztof Lukaszkowicz, Marek Szindler, Marcin Basiaga.
-J. Achiev. Mater. Manuf. Eng. 2015 vol. 73 iss. 2, s. 86-91, bibliogr. 16 poz.. Punktacja MNiSW 12.000

tlenek cynku ; atomowe osadzanie warstw ; skaningowa mikroskopia elektronowa ; dyfraktometr rentgenowski ; próba zarysowania

zinc oxide ; atomic layer deposition ; scanning electron microscopy ; X-ray diffractometer ; scratch test

6/12
Nr opisu: 0000104661   
The impact of atomic layer deposition technological parameters on optical properties and morphology of Al2O3 thin films.
[Aut.]: Leszek** Dobrzański, Marek Szindler, Magdalena Szindler, B. Hajduk, S. Kotowicz.
-Opt. Appl. 2015 vol. 45 no. 4, s. 573-583, bibliogr. 12 poz.. Impact Factor 0.637. Punktacja MNiSW 15.000

tlenek glinu ; atomowe osadzanie warstw ; powłoka cienka

aluminium oxide ; atomic layer deposition ; thin film

7/12
Nr opisu: 0000093679   
Metoda atomowego osadzania cienkich warstw optycznych.
[Aut.]: Paulina Boryło, Marek Szindler, Magdalena Szindler.
W: Sesja Okolicznościowa Studenckich Kół Naukowych "SO-KÓŁ'14". Red. Mirosław Bonek. Gliwice : Instytut Materiałów Inżynierskich i Biomedycznych Politechniki Śląskiej, 2014, s. 3-8, bibliogr. 12 poz. (Prace Studenckich Kół Naukowych ; Instytut Materiałów Inżynierskich i Biomedycznych. Politechnika Śląska nr 30)

atomowe osadzanie warstw ; mikroskopia sił atomowych ; elipsometria

atomic layer deposition ; atomic force microscopy ; ellipsometry

8/12
Nr opisu: 0000096019   
Silicon solar cells with Al2O3 antireflection coating.
[Aut.]: Leszek** Dobrzański, Marek Szindler, Aleksandra Drygała, Magdalena Szindler.
-Central Eur. J. Phys. 2014 vol. 12 nr 9, s. 666-670, bibliogr. 18 poz.. Impact Factor 1.085. Punktacja MNiSW 25.000

fotowoltaika ; krzemowe ogniwo słoneczne ; atomowe osadzanie warstw ; powłoka antyrefleksyjna

photovoltaics ; silicon solar cell ; atomic layer deposition ; antireflection coating

9/12
Nr opisu: 0000092800
Struktura i własności nanostrukturalnych warstw antyrefleksyjnych otrzymanych metodą ALD oraz zol-żel na krzemowych ogniwach fotowoltaicznych. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Marek Szindler.
Gliwice, 2014, 100 k., bibliogr. 188 poz. + zał.: 101 k.
Politechnika Śląska. Wydział Mechaniczny Technologiczny. Promotor: prof. zw. dr hab. inż. Leszek** Dobrzański

ogniwo fotowoltaiczne ; warstwa antyrefleksyjna ; atomowe osadzanie warstw ; zol-żel

photovoltaic cell ; antireflective coating ; atomic layer deposition ; sol-gel

10/12
Nr opisu: 0000087576   
Al2O3 antireflection coatings for silicon solar cells.
[Aut.]: Leszek** Dobrzański, Marek Szindler.
-J. Achiev. Mater. Manuf. Eng. 2013 vol. 59 iss. 1, s. 13-19, bibliogr. 18 poz.. Punktacja MNiSW 12.000

warstwa antyrefleksyjna ; krzemowe ogniwo słoneczne ; atomowe osadzanie warstw ; warstwa cienka

antireflective coating ; silicon solar cell ; atomic layer deposition ; thin film

11/12
Nr opisu: 0000091570
Warstwy osadzane techniką ALD.
[Aut.]: Marcin Staszuk, Marcin Adamiak, Andrzej* Hudecki.
W: Ćwiczenia laboratoryjne z inżynierii materiałowej i nanotechnologii. Praca zbiorowa. Pod red. Leszka A. Dobrzańskiego i Tomasza Tańskiego. Gliwice : International OCSCO World Press, 2013, s. 548-551 (Open Access Library ; vol. 10 (28) 2083-5191)

warstwa cienka ; atomowe osadzanie warstw ; ALD ; korozja elektrochemiczna ; odporność na korozję ; ćwiczenia laboratoryjne

thin coating ; atomic layer deposition ; ALD ; electrochemical corrosion ; corrosion resistance ; laboratory exercises

12/12
Nr opisu: 0000072945   
Sol-gel and ALD antireflaction coatings or silicon solar cells.
[Aut.]: Leszek** Dobrzański, Marek Szindler.
-Elektronika 2012 R. 53 nr 8, s. 125-127, bibliogr. 10 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

zol-żel ; warstwa antyrefleksyjna ; ogniwo słoneczne ; atomowe osadzanie warstw

sol-gel ; antireflective coating ; solar cell ; atomic layer deposition

stosując format:
Nowe wyszukiwanie