Wynik wyszukiwania
Zapytanie: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR
Liczba odnalezionych rekordów: 7



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu: 0000109160
Zastosowanie nanostrktur półprzewodników szerokoprzerwowych w układach do pomiaru i detekcji wybranych gazów. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Marcin Procek.
Gliwice, 2016, 171 k., bibliogr. 226 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: prof. dr hab. inż. Tadeusz Pustelny, dr inż. Erwin Maciak

sensor gazu ; nanostruktura ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cynku ; ditlenek tytanu ; NO2 ; prekoncentrator gazu ; detekcja materiałów wybuchowych

gas sensor ; nanostructure ; wide bandgap semiconductor ; zinc oxide ; titanium dioxide ; NO2 ; gas preconcentration ; explosive materials detection

2/7
Nr opisu: 0000095366   
Studies of changes in electrical resistance of zinc oxide nanostructures under the influence of variable gaseous environments.
[Aut.]: Marcin Procek, Tadeusz Pustelny, Agnieszka Stolarczyk, Erwin Maciak.
-Bull. Pol. Acad. Sci., Tech. Sci. 2014 vol. 62 no. 4, s. 365-646, biblioogr. 27 poz.. Impact Factor 0.914. Punktacja MNiSW 25.000

tlenek cynku ; ZnO ; nanostruktura ; czujnik gazu ; półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; nanostruktura kwiatopodobna

zinc oxide ; ZnO ; nanostructure ; gas sensor ; semiconductor ; electric properties ; wide bandgap semiconductor ; flower-like nanostructure

3/7
Nr opisu: 0000093659   
ZnO - wide bandgap semiconductor and possibilities of its application in optical waveguide structures.
[Aut.]: Przemysław Struk, Tadeusz Pustelny, K. Gołaszewska, M. Borysiewicz, E. Kamińska, T. Wojciechowski, A. Piotrowska.
-Metrol. Meas. Syst. 2014 vol. 21 nr 3, s. 401-412, bibliogr. 26 poz.. Impact Factor 0.925. Punktacja MNiSW 20.000

półprzewodnik szerokoprzerwowy ; ZnO ; optyka zintegrowana ; falowód planarny

wide bandgap semiconductor ; ZnO ; integrated optics ; planar waveguide

4/7
Nr opisu: 0000073612
Analizy modelowe oraz badania eksperymentalne wybranych struktur fotonicznych na bazie półprzewodników szerokoprzerwowych. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Przemysław Struk.
Gliwice, 2012, 216 k., bibliogr. 109 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: prof. dr hab. inż. Tadeusz Pustelny

struktura fotoniczna ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; struktura sensorowa

photonic structure ; wide bandgap semiconductor ; sensor structure

5/7
Nr opisu: 0000084466   
Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al2O3/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-Appl. Phys. Lett. 2012 vol. 101 iss. 23, s. 231608-1 - 231608-4, bibliogr. 18 poz.. Impact Factor 3.794. Punktacja MNiSW 40.000

związki aluminium ; związki galu ; półprzewodnik grupy III-V ; struktura MIS ; fotopojemność ; pasmo walencyjne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy

aluminium compounds ; gallium compounds ; III-V semiconductor ; MIS structure ; photocapacitance ; valence band ; wide bandgap semiconductor

6/7
Nr opisu: 0000083622
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (INTechFun).
[Aut.]: A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 129-130
Pełny tekst na CD-ROM

nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy

nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide

7/7
Nr opisu: 0000082623
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (InTechFun).
[Aut.]: A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, M. Wzorek, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki.
W: Dziewiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 30.05-02.06.2010]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2010, s. 29-30
Pełny tekst na CD-ROM

nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; technika laserowa ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy

nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; laser technique ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide

stosując format:
Nowe wyszukiwanie