Wynik wyszukiwania
Zapytanie: SURFACE STATES
Liczba odnalezionych rekordów: 7



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu: 0000025449   
Comparative study of the GaAs(1 0 0) surface cleaned by atomic hydrogen.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, A. Winkler, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7647-7658, bibliogr. 58 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

GaAs ; wodór atomowy ; spektroskopia elektronów Augera ; spektrometria masowa ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; funkcja pracy ; potencjał jonizacyjny

GaAs ; atomic hydrogen ; Auger electron spectroscopy ; mass spectrometry ; surface states ; Fermi level ; work function ; ionization potential

2/7
Nr opisu: 0000029174   
Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures.
[Aut.]: H. Hasegawa, T. Sato, S. Kasai, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-Sol. Energy 2006 vol. 80 iss. 6, s. 629-644, bibliogr.. Impact Factor 1.431

stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; spektroskopia tunelowa ; nanostruktura

surface states ; surface recombination ; tunnelling spectroscopy ; nanostructure ; Fermi level pinning ; capacitance voltage method

3/7
Nr opisu: 0000025312   
Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, M. Petit, B. Gruzza, C. Robert-Goumet, T. Piwnowski, M. Bugajski, H. Hasegawa.
-Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl. 2006 vol. 26 nr 2/3, s. 378-382, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.325

InP ; powierzchnia ; pasywacja ; azotowanie ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; model zjawisk nierównowagowych

InP ; surface ; passivation ; nitridation ; surface states ; photoluminescence ; model of non-equilibrium phenomena

4/7
Nr opisu: 0000018248   
High-sensitivity NO2 sensor based on n-type InP epitaxial layers.
[Aut.]: K. Wierzbowska, Bogusława Adamowicz, L. Mazet, J. Brunet, A. Pauly, L. Bideux, Ch. Varenne, L. Berry, J.P. Germain.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 655-662, bibliogr. 11 poz.. Impact Factor 0.459

fosforek indu ; warstwa epitaksjalna ; czujnik gazu ; stan powierzchniowy ; symulacja komputerowa

indium phosphide ; epitaxial layer ; gas sensor ; surface states ; computer simulation

5/7
Nr opisu: 0000018246   
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 0.459

arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe

gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage

6/7
Nr opisu: 0000007661
Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
W: 27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.

stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; poziom Fermiego ; pasywacja ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe ; algorytm genetyczny

surface states ; surface recombination ; Fermi level ; passivation ; photoluminescence ; surface photovoltage ; genetic algorithm

7/7
Nr opisu: 0000123735   
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, C. Brun, B. Gruzza, H. Hasegawa.
-Thin Solid Films 2003 vol. 436 iss. 1, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002. Impact Factor 1.598

InP ; interfejs ; właściwości elektroniczne ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; wykrywanie gazu

InP ; interface ; electronic properties ; surface states ; Fermi level ; gas sensing

stosując format:
Nowe wyszukiwanie