Wynik wyszukiwania
Zapytanie: SEMICONDUCTOR
Liczba odnalezionych rekordów: 40



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/40
Nr opisu: 0000133217
Humidity dependent impedance characteristics of SbSeI nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Anna Starczewska, Marcin Jesionek, Marian** Nowak, Mateusz Kozioł, D. Stróż.
W: Progress in applied surface, interface and thin film science. SURFINT-SREN VI, 18-21 November 2019, Florence, Italy. Extended abstract book. Bratislava : Comenius University, 2019, s. 110

selenojodek antymonu ; SbSeI ; nanodruty ; czujnik wilgotności ; spektroskopia impedancyjna ; półprzewodnik

antimony selenoiodide ; SbSeI ; nanowires ; humidity sensor ; impedance spectroscopy ; semiconductor

2/40
Nr opisu: 0000122386   
Anisotropic-cyclicgraphene: a new two-dimensional semiconducting carbon allotrope.
[Aut.]: M. Maździarz, A. Mrozek, Wacław Kuś, T. Burczyński.
-Materials 2018 vol. 11 iss. 3, art. no. 432 s. 1-12, bibliogr. 55 poz.. Impact Factor 2.972. Punktacja MNiSW 35.000

węgiel ; grafen ; graphyne ; obliczenia ab initio ; półprzewodnik

carbon ; graphene ; graphyne ; ab initio calculations ; semiconductor

3/40
Nr opisu: 0000118845
ZnO semiconductor for applications in optoelectronics sensors structures.
[Aut.]: Przemysław Struk, Tadeusz Pustelny.
W: 12th Conference on Integrated Optics: Sensors, Sensing Structures, and Methods, Szczyrk-Gliwice, 28 February - 3 March 2017. Eds.: Przemyslaw Struk, Tadeusz Pustelny. Bellingham : SPIE, 2017, art. no. 104550K, bibliogr. 19 poz. (Proceedings of SPIE ; vol. 10455 0277-786X)

zintegrowane struktury optyczne ; jednomodowy falowód polimerowy ; tlenek cynku ; półprzewodnik

integrated optics structures ; single mode polymer waveguide ; zinc oxide ; semiconductor

4/40
Nr opisu: 0000107689   
Determination of electrical conductivity type of SbSI nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, Anna Starczewska, Marcin Jesionek, Tomasz Rzychoń, R. Wrzalik, A. Guiseppi-Elie.
-Mater. Lett. 2016 vol. 182, s. 78-80, bibliogr. 10 poz.. Impact Factor 2.572. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; SbSI ; nanodruty ; przewodność elektryczna ; czujnik gazowy ; półprzewodnik ; ferroelektryk

antimony sulfoiodide ; SbSI ; nanowires ; electrical conductivity ; gas sensor ; semiconductor ; ferroelectrics

5/40
Nr opisu: 0000110590   
Influence of external gaseous environments on the electrical properties of ZnO nanostructures obtained by a hydrothermal method.
[Aut.]: Marcin Procek, Tadeusz Pustelny, Agnieszka Stolarczyk.
-Nanomaterials 2016 vol. 6 iss. 12, s. 1-17, bibliogr. 54 poz.. Impact Factor 3.553. Punktacja MNiSW 35.000

nanostruktura tlenku cynku ; elektryczny czujnik gazu ; rezystywność nanostruktury ZnO ; wykrywanie dwutlenku azotu ; wzbudzanie ultrafioletowe ; półprzewodnik

zinc oxide nanostructure ; electrical gas sensor ; electrical resistivity of ZnO nanostructure ; nitrogen dioxide detection ; ultraviolet excitation ; semiconductor

6/40
Nr opisu: 0000115986
Sonochemical growth of nanomaterials.
[Aut.]: Marian** Nowak, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, Anna Starczewska, Krystian Mistewicz, B. Totoń.
W: 1st International Conference InterNanoPoland 2016. International Conference Center, Katowice, 14-15 June, 2016. Abstracts book. Ed. Agnieszka Piekara, Karol Lemański. Katowice : The Foundation of Nanoscience and Nanotechnology Support Nanonet, 2016, s. 27, bibliogr. 3 poz.

sonochemia ; nanodruty ; kryształ fotoniczny ; ferroelektryk ; półprzewodnik

sonochemistry ; nanowires ; photonic crystal ; ferroelectrics ; semiconductor

7/40
Nr opisu: 0000107707
Sonochemical growth of nanomaterials in carbon nanotube.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian** Nowak, Krystian Mistewicz, D. Stróż, Iwona Bednarczyk, A. Guiseppi-Elie, R. Paszkiewicz.
W: ULTRASONICS 2016. II International Conference on Ultrasonic-based Applications: from analysis to synthesis, 6th - 8th June 2016, Caparica, Portugal. Proceedings Book. Caparica : ProteoMass, 2016, s. 181-182

nanorurki węglowe ; jodosiarczek antymonu ; sonochemia ; hermetyzacja ; półprzewodnik

carbon nanotubes ; antimony sulfoiodide ; sonochemistry ; encapsulation ; semiconductor

8/40
Nr opisu: 0000104967
Synthesis of kesterite nanopowders with bandgap tuning ligands.
[Aut.]: S. Podsiadło, M. Bialoglowski, M. Fadaghi, G. Matyszczak, K. Kardas, P. Dłużewski, Przemysław Data, Mieczysław Łapkowski.
-Cryst. Res. Technol. 2015 vol. 50 iss. 9/10, s. 743-746, bibliogr. 16 poz.. Impact Factor 0.908. Punktacja MNiSW 20.000

fotowoltaika ; półprzewodnik

photovoltaics ; semiconductor ; kesterite

9/40
Nr opisu: 0000099759   
Analysis of implementation opportunities for selected conventional counter-based circuits in selected FPGA structures in terms of time performance.
[Aut.]: Jarosław Wrotniak, Krzysztof* Pucher, Dariusz Polok.
W: International Conference on Applied and Theoretical Electricity (ICATE), Craiova, 23-25 Oct. 2014. Piscataway : IEEE, 2014, s. 1-7, bibliogr. 13 poz.

FPGA ; układ logiczny ; półprzewodnik

Field Programmable Gate Array ; logic array ; semiconductor

10/40
Nr opisu: 0000092753   
Doping behaviour of electrochemically generated model bithiophene meta-substituted star shaped oligomer.
[Aut.]: Przemysław Ledwoń, Roman Turczyn, K. Idzik, R. Beckert, J. Frydel, Mieczysław Łapkowski, Wojciech Domagała.
-Mater. Chem. Phys. 2014 vol. 147 iss. 1/2, s. 254-260, bibliogr. 57 poz.. Impact Factor 2.259. Punktacja MNiSW 35.000

materiały optyczne ; półprzewodnik ; warstwa cienka ; technika elektrochemiczna ; rezonans elektronowy

optical materials ; semiconductor ; thin film ; electrochemical technique ; electron resonance

11/40
Nr opisu: 0000096041   
Energy level alignment at the Si(111)/RCA-SiO2/copper(II) phthalocyanine ultra-thin film interface.
[Aut.]: Maciej Krzywiecki, Lucyna Grządziel.
-Appl. Surf. Sci. 2014 vol. 311, s. 740-748, bibliogr. 46 poz.. Impact Factor 2.711. Punktacja MNiSW 35.000

interfejs ; struktura elektronowa ; półprzewodnik ; powłoka cienka ; spektroskopia fotoelektronowa ; związki organiczne

interface ; electronic structure ; semiconductor ; thin film ; photoelectron spectroscopy ; organic compounds

12/40
Nr opisu: 0000092464   
Fabrication and characterization of SbSI gel for humidity sensors.
[Aut.]: Marian** Nowak, Andrzej Nowrot, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, Mirosława Kępińska, Anna Starczewska, Krystian Mistewicz, D. Stróż, Janusz Szala, Tomasz Rzychoń, E. Talik, R. Wrzalik.
-Sens. Actuators, A Phys. 2014 vol. 210, s. 119-130, bibliogr. 77 poz.. Impact Factor 1.903. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; półprzewodnik ; ferroelektryk ; sonochemia

antimony sulfoiodide ; nanowires ; semiconductor ; ferroelectrics ; sonochemistry

13/40
Nr opisu: 0000092706   
Quantum efficiency coefficient for photogeneration of carriers in SbSI nanowires.
[Aut.]: Marian** Nowak, Ł. Bober, B. Borkowski, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich, D. Stróż, Maria Sozańska.
-Opt. Mater. 2014 vol. 35 iss. 12, s. 2208-2216, bibliogr. 48 poz.. Impact Factor 1.981. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; półprzewodnik ; fotoprzewodnictwo

antimony sulfoiodide ; nanowires ; semiconductor ; photoconductivity

14/40
Nr opisu: 0000095366   
Studies of changes in electrical resistance of zinc oxide nanostructures under the influence of variable gaseous environments.
[Aut.]: Marcin Procek, Tadeusz Pustelny, Agnieszka Stolarczyk, Erwin Maciak.
-Bull. Pol. Acad. Sci., Tech. Sci. 2014 vol. 62 no. 4, s. 365-646, biblioogr. 27 poz.. Impact Factor 0.914. Punktacja MNiSW 25.000

tlenek cynku ; ZnO ; nanostruktura ; czujnik gazu ; półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; nanostruktura kwiatopodobna

zinc oxide ; ZnO ; nanostructure ; gas sensor ; semiconductor ; electric properties ; wide bandgap semiconductor ; flower-like nanostructure

15/40
Nr opisu: 0000079690   
Optical identification of crystal defects in CCD matrix.
[Aut.]: Adam Popowicz.
-Prz. Elektrot. 2013 R. 89 nr 3a, s. 79-82, bibliogr. 22 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

matryca CCD ; defekt ; półprzewodnik ; prąd ciemny

CCD matrix ; defect ; semiconductor ; dark current

16/40
Nr opisu: 0000087248   
Optical properties of semiconductors.
[Aut.]: Marian** Nowak.
W: Silicon based thin film solar cells. Ed. R. Murri. [B.m.] : Bentham Science Publishers, 2013, s. 177-242, bibliogr. 87 poz.

półprzewodnik ; transmitancja ; współczynnik odbicia ; wydajność kwantowa ; fotogeneracja ; własności optyczne ; struktura wielowarstwowa ; krzem amorficzny ; współczynnik załamania światła ; współczynnik absorpcji ; rozkład przestrzenny ; natężenie promieniowania ; rekombinacja ; fotoprzewodnictwo ; niejednorodność optyczna

semiconductor ; transmittance ; reflectance ; quantum efficiency ; photogeneration ; optical properties ; multilayer structure ; amorphous silicon ; refractive index ; absorption coefficient ; spatial distribution ; radiation intensity ; recombination ; photoconductivity ; optical inhomogeneity

17/40
Nr opisu: 0000094446   
Quantum efficiency coefficient for photogeneration of carriers in SbSI nanowires.
[Aut.]: Marian** Nowak, Ł. Bober, B. Borkowski, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich, D. Stróż, Maria Sozańska.
-Opt. Mater. 2013 vol. 35 iss. 12, s. 2208-2216, bibliogr. 48 poz.. Impact Factor 2.075. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; półprzewodnik ; fotoprzewodnictwo

antimony sulfoiodide ; nanowires ; semiconductor ; photoconductivity

18/40
Nr opisu: 0000095306   
Temperature dependence of energy band gap and spontaneous polarization of SbSI nanowires.
[Aut.]: Marian** Nowak, Piotr Szperlich.
-Opt. Mater. 2013 vol. 3\56 iss. 6, s. 1200-1206, bibliogr. 71 poz.. Impact Factor 2.075. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; ferroelektryk ; półprzewodnik ; optyczna przerwa energetyczna

antimony sulfoiodide ; nanowires ; ferroelectrics ; semiconductor ; optical energy gap

19/40
Nr opisu: 0000076718
Optical properties of SbSI heterostructures.
[Aut.]: Bartłomiej Toroń, Marian** Nowak, Andrzej Grabowski, Mirosława Kępińska, Janusz Szala, Tomasz Rzychoń.
W: Photonic fiber and crystal devices. Advances in materials and innovations in device applications VI, San Diego, California, United States, 12-13 August, 2012. Eds: Shizhuo Yin, Ruyan Guo. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2012, paper no. 8497-58 s. 1-8, bibliogr. 27 poz. (Proceedings of SPIE ; vol. 8497 0277-786X)

antymon ; kryształ ; dioda ; promieniowanie laserowe ; własności optyczne ; półprzewodnik ; heterozłącze

antimony ; crystal ; diode ; laser irradiation ; optical properties ; semiconductor ; heterojunction

20/40
Nr opisu: 0000071272   
Sonochemical growth of antimony selenoiodide in multiwalled carbon nanotube.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, D. Stróż, Janusz Szala, K. Jesionek, Tomasz Rzychoń.
-Ultrason. Sonochem. 2012 vol. 19 iss. 1, s. 179-185, bibliogr. 39 poz.. Impact Factor 3.516. Punktacja MNiSW 45.000

nanorurki węglowe ; sonochemia ; hermetyzacja ; półprzewodnik

carbon nanotubes ; sonochemistry ; encapsulation ; semiconductor

21/40
Nr opisu: 0000107673   
Patent. Polska, nr 213 015. Sposób wyznaczania energii aktywacji procesu rekombinacji nośników ładunku w półprzewodnikach zwłaszcza dla monokrystalicznego siarczku galu. Int. Cl. G01N 21/00.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Marian** Nowak, Maria** Szałajko.
Zgłosz. nr 379 556 z 27.04.2006. Opubl. 31.12.2012, s. 1-4

siarczek galu ; półprzewodnik

gallium sulphide ; semiconductor

22/40
Nr opisu: 0000071917
Wpływ stanów powierzchniowych na półprzewodnikowe struktury sensorowe.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz.
W: Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 1-2, bibliogr. 5 poz.

struktura sensorowa ; półprzewodnik ; właściwości elektronowe ; czujnik gazowy

sensor structure ; semiconductor ; electronic properties ; gas sensor

23/40
Nr opisu: 0000062792   
Analytical model of semiconductor sensor layers in SAW gas sensors.
[Aut.]: T. Hejczyk, Marian** Urbańczyk, Wiesław Jakubik.
-Acta Phys. Pol. A 2010 vol. 118 no. 6, s. 1148-1152, bibliogr. 16 poz.. Impact Factor 0.467

półprzewodnik ; materiały piezoelektryczne ; prędkość ; piezoelektryczność ; elektroakustyka

semiconductor ; piezoelectric materials ; speed ; piezoelectricity ; electro-acoustics

24/40
Nr opisu: 0000059508   
Domieszkowanie dyfuzyjne krzemu ze szkliw o podwyższonej zawartości koncentracji domieszki.
[Aut.]: Edyta Wróbel, Krzysztof Waczyński, Wojciech Filipowski.
-Elektronika 2010 R. 51 nr 9, s. 111-113, bibliogr. 15 poz.

domieszkowanie dyfuzyjne ; metoda spin-on ; półprzewodnik

diffusion doping ; spin-on method ; semiconductor

25/40
Nr opisu: 0000082621
Domieszkowanie dyfuzyjne krzemu ze szkliw o podwyższonej zawartości koncentracji domieszki.
[Aut.]: Edyta Wróbel, Krzysztof Waczyński, Wojciech Filipowski.
W: Dziewiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 30.05-02.06.2010]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2010, s. 26
Pełny tekst na CD-ROM

domieszkowanie dyfuzyjne ; metoda spin-on ; półprzewodnik ; warstwa dyfuzyjna

diffusion doping ; spin-on method ; semiconductor ; diffusion layer

26/40
Nr opisu: 0000062794   
Numerical results of modeling semiconductor sensor layers in SAW gas sensors.
[Aut.]: T. Hejczyk, Marian** Urbańczyk, Wiesław Jakubik.
-Acta Phys. Pol. A 2010 vol. 118 no. 6, s. 1158-1160, bibliogr. 9 poz.. Impact Factor 0.467

półprzewodnik ; materiały piezoelektryczne ; przewodnictwo elektryczne ; dyfuzja

semiconductor ; piezoelectric materials ; electric conductivity ; diffusion

27/40
Nr opisu: 0000062799   
Researches on the spectral transmittance of zinc oxide ZnO semiconductor layers.
[Aut.]: Przemysław Struk, Tadeusz Pustelny, Zbigniew Opilski.
-Acta Phys. Pol. A 2010 vol. 118 no. 6, s. 1239-1241, bibliogr. 8 poz.. Impact Factor 0.467

tlenek cynku ; półprzewodnik ; włókno kwarcowe ; technika światłowodowa ; optoelektronika ; fotonika

zinc oxide ; semiconductor ; quartz fiber ; fibre optics ; optoelectronics ; photonics

28/40
Nr opisu: 0000062793   
Semiconductor sensor layer in SAW gas sensors configuration.
[Aut.]: T. Hejczyk, Marian** Urbańczyk, Wiesław Jakubik.
-Acta Phys. Pol. A 2010 vol. 118 no. 6, s. 1153-1157, bibliogr. 11 poz.. Impact Factor 0.467

półprzewodnik ; Fala Rayleigha ; piezoelektryczność ; fala seismiczna

semiconductor ; Rayleigh wave ; piezoelectricity ; seismic wave

29/40
Nr opisu: 0000058646   
Sonochemical preparation of antimony subiodide.
[Aut.]: Marian** Nowak, Piotr Szperlich, E. Talik, Janusz Szala, Tomasz Rzychoń, D. Stróż, Andrzej Nowrot, Barbara Solecka.
-Ultrason. Sonochem. 2010 vol. 17 iss. 1, s. 219-227, bibliogr. 76 poz.. Impact Factor 3.203

sonochemia ; półprzewodnik ; nanocząstki

sonochemistry ; semiconductor ; nanoparticles

30/40
Nr opisu: 0000062800   
Zinc oxide semiconductor for photonics structures applications.
[Aut.]: Przemysław Struk, Tadeusz Pustelny, Barbara** Pustelny, K. Gołaszewska, E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Borysiewicz, M. Ekielski.
-Acta Phys. Pol. A 2010 vol. 118 no. 6, s. 1242-1245, bibliogr. 17 poz.. Impact Factor 0.467

tlenek cynku ; półprzewodnik ; sprzęgacz kierunkowy ; fotonika ; falowód

zinc oxide ; semiconductor ; directional coupler ; photonics ; waveguide

31/40
Nr opisu: 0000049927   
Ferroelectric properties of ultrasonochemically preapred SbSI ethanogel.
[Aut.]: Piotr Szperlich, Marian** Nowak, Łukasz* Bober, Janusz Szala, D. Stróż.
-Ultrason. Sonochem. 2009 vol. 16 iss. 3, s. 398-401, bibliogr. 33 poz.. Impact Factor 2.993

sonochemia ; nanodruty ; ferroelektryk ; jodosiarczek antymonu ; półprzewodnik

sonochemistry ; nanowires ; ferroelectric ; antimony sulfoiodide ; semiconductor

32/40
Nr opisu: 0000056886   
Sonochemical growth of antimony sulfoiodide in multiwalled carbon nanotube.
[Aut.]: Marian** Nowak, Marcin Jesionek, Piotr Szperlich, Janusz Szala, Tomasz Rzychoń, D. Stróż.
-Ultrason. Sonochem. 2009 vol. 16 iss. 6, s. 800-804, bibliogr. 26 poz.. Impact Factor 2.993

nanorurki węglowe ; jodosiarczek antymonu ; sonochemia ; hermetyzacja ; półprzewodnik

carbon nanotubes ; antimony sulfoiodide ; sonochemistry ; encapsulation ; semiconductor

33/40
Nr opisu: 0000056910   
XPS analysis of sonochemically prepared SbSl ethanogel.
[Aut.]: Marian** Nowak, E. Talik, Piotr Szperlich, D. Stróż.
-Appl. Surf. Sci. 2009 vol. 255 iss. 17, s. 7689-7694, bibliogr. 48 poz.. Impact Factor 1.616

rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; nanoprzewody ; półprzewodnik ; sonochemia

X-ray photoelectron spectroscopy ; nanowires ; semiconductor ; sonochemistry

34/40
Nr opisu: 0000047644   
Circularly polarized light stimulation of spin transport in zinc-blende semiconductors.
[Aut.]: M. Miah, Iwan* Kityk, E. Gray.
-Opt. Commun. 2008 vol. 281 iss. 21, s. 5355-5359, bibliogr. 33 poz.. Impact Factor 1.552

transport spinowy ; prąd spinowy ; zjawisko Halla ; pseudopotential ; półprzewodnik

spin transport ; spin current ; Hall effect ; pseudopotential ; semiconductor

35/40
Nr opisu: 0000043100   
Kształtowanie warstw dyfuzyjnych przy wykorzystaniu domieszek wolnodyfundujących.
[Aut.]: Edyta Wróbel, Wojciech Filipowski, Krzysztof Waczyński.
-Elektronika 2008 R. 49 nr 11, s. 70-72, bibliogr. 3 poz.

półprzewodnik ; domieszkowanie ; rezystancja powierzchniowa ; arsen ; szkliwo domieszkowe

semiconductor ; doping ; sheet resistance ; arsenic ; silica glasses

36/40
Nr opisu: 0000025311
Elektroniczne przyrządy półprzewodnikowe. Zasady działania diod i tranzystorów - rozwiązywanie zadań.
[Aut.]: Krzysztof Waczyński, Edyta Wróbel.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2007, 251 s., bibliogr. 22 poz.
Skrypt nr 2396

półprzewodnik ; nośnik ładunku ; dioda półprzewodnikowa ; tranzystor bipolarny ; tranzystor polowy MOS ; konduktywność elektryczna

semiconductor ; charge carrier ; semiconductor diode ; bipolar transistor ; field-effect transistor MOS ; electrical conductivity

37/40
Nr opisu: 0000023907   
Dyfuzyjne odbicie światła od półprzewodników. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Beata* Kauch.
Gliwice, 2006, 94 k., bibliogr. 74 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: prof. dr hab. inż. Marian** Nowak

półprzewodnik ; odbicie dyfuzyjne ; rozpraszanie światła ; mikroskopia elektronowa

semiconductor ; diffuse reflection ; light scattering ; electron microscopy

38/40
Nr opisu: 0000022957
Technologie mikroelektroniczne. Metody wytwarzania materiałów i struktur półprzewodnikowych.
[Aut.]: Krzysztof Waczyński, Edyta Wróbel.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2006, 283 s., bibliogr.

mikroelektronika ; półprzewodnik ; płytka krzemowa ; monokryształ

microelectronics ; semiconductor ; silicon wafer ; monocrystal

39/40
Nr opisu: 0000025543   
XPS study of surface chemistry of epiready GaAs(1 0 0) surface after (NH4)2Sx passivation.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger, Jacek Szuber.
-Vacuum 2006 vol. 80 iss. 8, s. 888-893, bibliogr. 36 poz.. Impact Factor 0.834

GaAs ; siarkowanie ; pasywacja ; XPS ; półprzewodnik

GaAs ; sulfidation ; passivation ; XPS ; semiconductor

40/40
Nr opisu: 0000011270
Odbicie dyfuzyjne a przerwa energetyczna w półprzewodnikach.
[Aut.]: B. Kauch, Marian** Nowak.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały XII seminarium naukowego, Katowice, 7 maja 2004. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej i Metalurgii Politechniki Śląskiej], [2004], s. 225-228, bibliogr. 12 poz.

półprzewodnik ; odbicie dyfuzyjne ; przerwa energetyczna

semiconductor ; diffuse reflection ; energy band gap

stosując format:
Nowe wyszukiwanie