Wynik wyszukiwania
Zapytanie: RADIATION DEFECT
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000082601
Modelowanie wpływu stanów powierzchniowych na zjawiska rekombinacyjne w GaN.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 167
Pełny tekst na CD-ROM

azotek galu ; fotoluminescencja ; rekombinacja powierzchniowa ; metoda elementów skończonych ; defekt radiacyjny

gallium nitride ; photoluminescence ; surface recombination ; finite element method ; radiation defect

stosując format:
Nowe wyszukiwanie