Wynik wyszukiwania
Zapytanie: PASSIVATION
Liczba odnalezionych rekordów: 26



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/26
Nr opisu: 0000126500
Obróbka powierzchni stali nierdzewnej ma znaczenie.
[Aut.]: Zbigniew Brytan.
-Stal Met. Nowe Technol. 2018 nr 9/10, s. 132-137, bibliogr. 3 poz.. Punktacja MNiSW 3.000

stal nierdzewna ; wytrawianie ; pasywacja

stainless steel ; pickling ; passivation

2/26
Nr opisu: 0000097324   
Badanie wpływu dodatku Fe i Al na odporność korozyjną stopu CoCrMoW stosowanego w stomatologii.
[Aut.]: Olga* Petka, Łukasz Reimann.
W: Sesja Okolicznościowa Studenckich Kół Naukowych "SO-KÓŁ'15". Red. Mirosław Bonek. Gliwice : Instytut Materiałów Inżynierskich i Biomedycznych Politechniki Śląskiej, 2015, s. 43-52, bibliogr. 18 poz. (Prace Studenckich Kół Naukowych ; Instytut Materiałów Inżynierskich i Biomedycznych. Politechnika Śląska nr 35)

badanie potencjodynamiczne ; korozja ; stop kobaltu ; pasywacja

potentiodynamic test ; corrosion ; cobalt alloy ; passivation

3/26
Nr opisu: 0000104000   
The influence of passivation type on corrosion resistance of Ti15Mo alloy in simulated body fluids.
[Aut.]: M. Szklarska, G. Dercz, J. Rak, Wojciech Simka, B. Łosiewicz.
-Arch. Metall. Mater. 2015 vol. 60 iss. 4, s. 2687-2694, bibliogr. 20 poz.. Punktacja MNiSW 30.000

biomateriały ; elektrochemiczna spektroskopia impedancyjna ; odporność korozyjna ; pasywacja ; stop tytanu

biomaterials ; electrochemical impedance spectroscopy ; corrosion resistance ; passivation ; titanium alloy

4/26
Nr opisu: 0000096805   
Influence of Fe and Al addition on corrosion resistance of CoCrMoW alloy.
[Aut.]: Olga* Petka, Łukasz Reimann.
-J. Achiev. Mater. Manuf. Eng. 2014 vol. 62 iss. 1, s. 10-18, bibliogr. 19 poz.. Punktacja MNiSW 12.000

biomateriały ; korozja ; stop kobaltu ; badanie potencjodynamiczne ; pasywacja

biomaterials ; corrosion ; cobalt alloy ; potentiodynamic study ; passivation

5/26
Nr opisu: 0000092282
Odporność korozyjna odlewanych kompozytów aluminiowych w środowisku utleniającym.
[Aut.]: M. Miosga, Marcin Kondracki.
W: X Seminarium Studenckiego Koła Naukowego Odlewników SFEROID '2014, Ustroń-Jaszowiec, 22-24 maja 2014. Red. Jan Szajnar, Andrzej Studnicki, Jacek Suchoń. Gliwice : Komisja Odlewnictwa PAN. Oddział Katowice, 2014, s. 139-142, bibliogr. 8 poz. (Zeszyty Studenckich Prac Naukowych "Sferoid" ; nr 16)

kompozyt odlewany ; faza międzymetaliczna ; korozja ; pasywacja

cast composite ; intermetallic phase ; corrosion ; passivation

6/26
Nr opisu: 0000099812   
Wpływ pasywacji na odporność korozyjną powłok cynkowych wytwarzanych metodą ciągłą.
[Aut.]: Jacek Mendala, Piotr** Liberski.
W: Inżynieria powierzchni. INPO 2014. IX Konferencja naukowa, 7-10 wrzesień 2014, Wisła-Jawornik. Program. [B.m.] : [b.w.], 2014, s. 55

powłoka cynkowa ; odporność korozyjna ; pasywacja

zinc coating ; corrosion resistance ; passivation

7/26
Nr opisu: 0000093840
Analiza chemiczna AES pasywacyjnych warstw na powierzchni GaN, AlGaN i SiC.
[Aut.]: Alina Domanowska, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, M. Sochacki, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube, R. Kruszka, J. Żywicki.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 193 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; pasywacja ; analiza chemiczna ; spektroskopia elektronów Augera ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; passivation ; chemical analysis ; Auger electron spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure

8/26
Nr opisu: 0000093838
Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Alina Domanowska, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, A. Taube, R. Kruszka.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 184 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

fotodetektor ultrafioletu ; GaN ; AlGaN/GaN ; stan powierzchniowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; fotopojemność ; pasywacja ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

UV photodetector ; GaN ; AlGaN/GaN ; surface condition ; surface photovoltage ; photocapacitance ; passivation ; metal-insulator-semiconductor structure

9/26
Nr opisu: 0000093841
Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości powierzchniowych na granicy fazowej Al2O3/GaN i Al2O3/AlGaN.
[Aut.]: Maciej* Matys, Rafał* Ucka, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 194 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; pasywacja ; fotopojemność ; stan powierzchniowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; passivation ; photocapacitance ; surface condition ; metal-insulator-semiconductor structure

10/26
Nr opisu: 0000082736
Charakteryzacja właściwości chemicznych, optycznych i elektronowych pasywowanych in-situ powierzchni n-GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Alina Domanowska, Piotr* Kościelniak, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Michał* Sitarz, Jacek Szuber, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube.
W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 152
Pełny tekst na CD-ROM

azotek galu ; pasywacja ; stan powierzchniowy ; skład chemiczny

gallium nitride ; passivation ; surface condition ; chemical composition

11/26
Nr opisu: 0000072334   
The effect of strain hardening on resistance to electrochemical corrosion of wires for orthopaedics.
[Aut.]: Joanna** Przondziono, Witold Walke, Eugeniusz Hadasik, Jan** Szymszal.
W: Technologies and properties of modern utilised materials. TPMUM 2012, Katowice, Poland, 18 May 2012. [B. m.] : Institute of Physics Publishing, 2012, [art. no. 012015] s. 1-9, bibliogr. 17 poz. (IOP Conference Series ; Materials Science and Engineering ; vol. 35 1757-8981)

biomateriały ; hartowanie powierzchniowe ; pasywacja ; polerowanie ; ochrona antykorozyjna ; ortopedia

biomaterials ; surface hardening ; passivation ; polishing ; corrosion protection ; orthopedics

12/26
Nr opisu: 0000071973   
Analysis of chemical shifts in Auger electron spectra versus sputtering time from passivated surfaces.
[Aut.]: Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Andrzej** Klimasek, Janusz Szewczenko, T. Gutt, H. Przewłocki.
-Opt. Appl. 2011 vol. 41 no. 2, s. 441-447, bibliogr. 8 poz.. Impact Factor 0.398. Punktacja MNiSW 15.000

spektroskopia elektronów Augera ; interfejs ; pasywacja ; algorytm ewolucyjny

Auger electron spectroscopy ; interface ; passivation ; evolutionary algorithm

13/26
Nr opisu: 0000082584
Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera.
[Aut.]: Alina Domanowska, Andrzej** Klimasek, E. Lisiecka, Piotr* Bidziński, Bogusława Adamowicz, J. Żywicki, Janusz Szewczenko.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 145
Pełny tekst na CD-ROM

spektromikroskopia ; elektron Augera ; skład chemiczny ; pasywacja

spectromicroscopy ; Auger electron ; chemical composition ; passivation

14/26
Nr opisu: 0000055382   
Electropolishing and passivation of NiTi shape memory alloy.
[Aut.]: Wojciech Simka, Marcin Kaczmarek, Aleksandra* Baron-Wiecheć, Ginter** Nawrat, Jan** Marciniak, Jerzy** Żak.
-Electrochim. Acta 2010 vol. 55 iss. 7, s. 2437-2441, bibliogr. 33 poz.. Impact Factor 3.650

biomateriały ; korozja ; pasywacja ; polerowanie elektrolityczne ; elektrochemiczna spektroskopia impedancyjna ; stop Ni-Ti

biomaterials ; corrosion ; passivation ; electropolishing ; electrochemical impedance spectroscopy ; Ni-Ti alloy

15/26
Nr opisu: 0000062675   
Wpływ pasywacji na odporność korozyjną stopu NiTi.
[Aut.]: Marcin Kaczmarek.
-Eng. Biomater. 2010 R. 13 nr 99/101, s. 32-34, bibliogr. 3 poz.
Tekst równoległy w jęz. pol. i ang.

pasywacja ; stop NiTi ; odporność na korozję

passivation ; NiTi alloy ; corrosion resistance

16/26
Nr opisu: 0000056791   
Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Mizsei, D. Zahn, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
-Surf. Sci. 2009 vol. 603 iss. 3, s. 498-502, bibliogr. 39 poz.. Impact Factor 1.798

Gats ; pasywacja ; chlorek siarki ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotonapięcie powierzchniowe ; potencjał styku ; sonda Kelvina

Gats ; passivation ; sulphur chloride ; interface ; Fermi level ; surface photovoltage ; contact potential ; Kelvin probe

17/26
Nr opisu: 0000081690   
1/f noise near the free surface of a semiconductor [online].
[Aut.]: Tomasz Błachowicz.
[Ithaca] : [Cornell University Library], 2008, (plik pdf) 8 s., bibliogr. 16 poz.
Dostępny w Internecie: http://arxiv.org/abs/0803.4287 [dostęp 22 kwietnia 2013]

szum 1/f ; zginanie pasma ; pasywacja

1/f noise ; band bending ; passivation ; surface induced phenomena

18/26
Nr opisu: 0000047684   
Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(1 0 0) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 8046-8049, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.576

InP ; wyżarzanie ; pasywacja ; oczyszczanie ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotoluminescencja ; MISFET

InP ; annealing ; passivation ; cleaning ; interface ; Fermi level ; photoluminescence ; MISFET

19/26
Nr opisu: 0000039315   
Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AIGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Hashizume, Andrzej** Klimasek, P. Bobek, J. Żywicki.
-Opt. Appl. 2007 vol. 37 no. 4, s. 327-334, bibliogr. 25 poz.. Impact Factor 0.284

azotek galu ; HEMT ; bramka izolowana ; pasywacja ; C-V ; spektroskopia elektronów Augera

gallium nitride ; HEMT ; insulated gate ; passivation ; C-V ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiles

20/26
Nr opisu: 0000025312   
Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, M. Petit, B. Gruzza, C. Robert-Goumet, T. Piwnowski, M. Bugajski, H. Hasegawa.
-Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl. 2006 vol. 26 nr 2/3, s. 378-382, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.325

InP ; powierzchnia ; pasywacja ; azotowanie ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; model zjawisk nierównowagowych

InP ; surface ; passivation ; nitridation ; surface states ; photoluminescence ; model of non-equilibrium phenomena

21/26
Nr opisu: 0000025453   
XPS analysis of surface chemistry of near surface region of epiready GaAs(1 0 0) surface treated with (NH4)2Sx solution.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7659-7663, bibliogr. 32 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

GaAs ; pasywacja ; XPS ; siarkowanie

GaAs ; passivation ; XPS ; sulfidation

22/26
Nr opisu: 0000025543   
XPS study of surface chemistry of epiready GaAs(1 0 0) surface after (NH4)2Sx passivation.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger, Jacek Szuber.
-Vacuum 2006 vol. 80 iss. 8, s. 888-893, bibliogr. 36 poz.. Impact Factor 0.834

GaAs ; siarkowanie ; pasywacja ; XPS ; półprzewodnik

GaAs ; sulfidation ; passivation ; XPS ; semiconductor

23/26
Nr opisu: 0000016374   
Wpływ polerowania elektrolitycznego i pasywacji na odporność korozyjną stopu CoCrMoW.
[Aut.]: Wojciech Simka, Ginter** Nawrat, Ł. Nieużyła, Joanna Kamila Michalska.
-Ochr. przed Koroz. 2005 R. 68 nr 12, s. 388-391, bibliogr. 16 poz.

implant ; stop CoCrMoW ; polerowanie elektrolityczne ; pasywacja

implant ; CoCrMoW alloy ; electropolishing ; passivation

24/26
Nr opisu: 0000010990   
Bioleaching of galena flotation concentrate.
[Aut.]: Małgorzata** Pacholewska.
-Physicochem. Probl. Miner. Process. 2004 z. 38, s. 281-290, bibliogr. 13 poz.

ługowanie biologiczne ; galena ; rentgenowska analiza fazowa ; pasywacja

bioleaching ; galena ; X-ray analysis ; passivation

25/26
Nr opisu: 0000009791
Charakterystyka warstw pasywnych wytworzonych na implantacyjnym stopie tytanu.
[Aut.]: Jan** Marciniak, Wojciech* Chrzanowski, Ginter** Nawrat.
-Inż. Biomater. 2004 R. 7 nr 38/42, s. 221-223, bibliogr. 5 poz.
Tekst równoległy w j. ang.

stop Ti-6Al-4V ELI ; powłoka ochronna ; pasywacja ; obróbka powierzchniowa ; warstwa pasywna ; implantacyjny stop tytanu ; odporność korozyjna ; korozja wżerowa

Ti-6Al-4V ELI alloy ; protective coating ; passivation ; surface treatment ; passive layer ; implanting titanium alloy ; corrosion resistance ; pitting corrosion

26/26
Nr opisu: 0000007661
Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
W: 27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.

stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; poziom Fermiego ; pasywacja ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe ; algorytm genetyczny

surface states ; surface recombination ; Fermi level ; passivation ; photoluminescence ; surface photovoltage ; genetic algorithm

stosując format:
Nowe wyszukiwanie