Wynik wyszukiwania
Zapytanie: METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR STRUCTURE
Liczba odnalezionych rekordów: 8



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/8
Nr opisu: 0000093840
Analiza chemiczna AES pasywacyjnych warstw na powierzchni GaN, AlGaN i SiC.
[Aut.]: Alina Domanowska, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, M. Sochacki, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube, R. Kruszka, J. Żywicki.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 193 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; pasywacja ; analiza chemiczna ; spektroskopia elektronów Augera ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; passivation ; chemical analysis ; Auger electron spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure

2/8
Nr opisu: 0000093838
Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Alina Domanowska, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, A. Taube, R. Kruszka.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 184 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

fotodetektor ultrafioletu ; GaN ; AlGaN/GaN ; stan powierzchniowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; fotopojemność ; pasywacja ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

UV photodetector ; GaN ; AlGaN/GaN ; surface condition ; surface photovoltage ; photocapacitance ; passivation ; metal-insulator-semiconductor structure

3/8
Nr opisu: 0000093841
Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości powierzchniowych na granicy fazowej Al2O3/GaN i Al2O3/AlGaN.
[Aut.]: Maciej* Matys, Rafał* Ucka, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 194 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; pasywacja ; fotopojemność ; stan powierzchniowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; passivation ; photocapacitance ; surface condition ; metal-insulator-semiconductor structure

4/8
Nr opisu: 0000046254   
Analysis of electrical equivalent circuit of metal-insulator-semiconductor structure based on admittance measurements.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
-Mater. Sci. Pol. 2008 vol. 26 no. 1, s. 63-69, bibliogr. 13 poz.. Impact Factor 0.368

spektroskopia impedancyjna ; struktura typu metal-izolator-półprzewodnik ; element stałofazowy ; własności elektryczne ; krzem

impedance spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure ; constant phase element ; electrical properties ; silicon

5/8
Nr opisu: 0000025451   
Charge transient spectroscopy measurements of GaAs metal-insulator-semiconductor structures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, I. Thurzo, D. Zahn.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 2631-2635, bibliogr. 32 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

arsenek galu ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; spektroskopia produktów przejściowych ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne

gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure ; charge transient spectroscopy ; electrical properties ; electrical measurement

6/8
Nr opisu: 0000011168   
Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 2004 vol. 467 iss. 1/2, s. 190-196, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 1.647

element stałofazowy ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; electrical properties ; electrical measurement ; gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure

7/8
Nr opisu: 0000011325   
Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor strucutres by the admittance spectroscopy method.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szydlowski.
-Appl. Surf. Sci. 2004 vol. 235 iss. 3, s. 389-394, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.497

element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; pomiary elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; electrical measurements ; gallium arsenide

8/8
Nr opisu: 0000008347   
Two constant phase element behaviour of the admittance characteristics of GaAs metal-insulator-semiconductor structure with deep traps.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 2003 vol. 444 iss. 1/2, s. 208-214, bibliogr. 34 poz.. Impact Factor 1.598

element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; gallium arsenide

stosując format:
Nowe wyszukiwanie