Wynik wyszukiwania
Zapytanie: ION IMPLANTATION
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000113757
Influence of nitrogen implantation on electrical properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS structure.
[Aut.]: K. Król, M. Sochacki, M. Turek, J. Zuk, M. Przewlocki, T. Gutt, P. Borowicz, M. Guziewicz, Jacek Szuber, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, J. Szmidt.
W: Silicon carbide and related materials 2012. Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation. Ed. by Alexander A. Lebedev, Sergey Yu. Davydov, Pavel A. Ivanov and Mikhail E. Levinshtein. Durnten-Zurich : Trans Tech Publications, 2013, s. 733-736, bibliogr. 6 poz. (Materials Science Forum ; vol. 740/742 0255-5476)

implantacja jonów ; węglik krzemu ; utlenianie termiczne

ion implantation ; silicon carbide ; thermal oxidation ; ion implantation damage

2/2
Nr opisu: 0000082758
Redukcja stanów pułapkowych w strukturze MOS 4H-SiC(0001) pod wpływem implantacji azotu - wpływ profilu implantacji.
[Aut.]: K. Król, M. Sochacki, W. Strupiński, M. Turek, J. Żuk, P. Borowicz, H. Przewłocki, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, Jacek Szuber, J. Szmidt.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2013. XI Konferencja naukowa, Ryn, 10-20 kwietnia 2013. [Dokument elektroniczny]. Warszawa : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, 2013, dysk optyczny (CD-ROM) s. 155-156, bibliogr. 3 poz.

stan pułapkowy ; implantacja jonów ; struktura MOS

trapping state ; ion implantation ; MOS structure

stosując format:
Nowe wyszukiwanie