Wynik wyszukiwania
Zapytanie: INDIUM PHOSPHIDE
Liczba odnalezionych rekordów: 5



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/5
Nr opisu: 0000082167   
A new always cancellation-free approach to the multilevel symbolic analysis for very large electric networks.
[Aut.]: Sławomir Lasota.
W: International Conference on Signals and Electronic Systems. ICSES 2012, Wrocław, Poland, September 18-21, 2012. The conference proceedings. Ed. by Zbigniew Sołtys, Bartłomiej Golenko. [B.m.] : IEEE Computer Society, 2012, s. 1-6, bibliogr. 14 poz.

admitancja ; algorytm projektowania i analizy ; złoto ; fosforek indu ; zintegrowane modelowanie obiegu ; wielomian ; wektor

admittance ; algorithm design and analysis ; gold ; indium phosphide ; integrated circuit modeling ; polynominal ; vector

2/5
Nr opisu: 0000047661   
A novel III-V semiconductor material for NO2 detection and monitoring.
[Aut.]: K. Wierzbowska, L. Bideux, Bogusława Adamowicz, A. Pauly.
-Sens. Actuators, A Phys. 2008 vol. 142 iss. 1, s. 237-241, bibliogr. 9 poz.

NO2 ; dwutlenek azotu ; InP ; fosforek indu ; XPS ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; spektroskopia elektronów Augera

NO2 ; nitrogen dioxide ; InP ; indium phosphide ; XPS ; X-ray photoelectron spectroscopy ; Auger electron spectroscopy

3/5
Nr opisu: 0000018248   
High-sensitivity NO2 sensor based on n-type InP epitaxial layers.
[Aut.]: K. Wierzbowska, Bogusława Adamowicz, L. Mazet, J. Brunet, A. Pauly, L. Bideux, Ch. Varenne, L. Berry, J.P. Germain.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 655-662, bibliogr. 11 poz.. Impact Factor 0.459

fosforek indu ; warstwa epitaksjalna ; czujnik gazu ; stan powierzchniowy ; symulacja komputerowa

indium phosphide ; epitaxial layer ; gas sensor ; surface states ; computer simulation

4/5
Nr opisu: 0000021694   
Nitridation of InP(100) surface studied by synchrotron radiation.
[Aut.]: M. Petit, D. Baca, Sebastian* Arabasz, L. Bideux, N. Tsud, D. Fabik, B. Gruzza, V. Chab, V. Matolin, K. Prince.
-Surf. Sci. 2005 vol. 583 iss. 2/3, s. 205-212, bibliogr. 18 poz.. Impact Factor 1.780

azotowanie ; promieniowanie synchrotronowe ; XPS ; fosforek indu

nitridation ; synchrotron radiation ; XPS ; indium phosphide

5/5
Nr opisu: 0000021693   
Passivation of InP(100) substrates: first stages of nitridation by thin InN surface overlayers studied by electron spectroscopies.
[Aut.]: M. Petit, C. Robert-Goumet, L. Bideux, B. Gruzza, V. Matolin, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, D. Wawer, M. Bugajski.
-Surf. Interface Anal. 2005 vol. 37 iss. 7, s. 615-620, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 0.918

InN ; fosforek indu ; azotowanie ; AES ; XPS ; fotoluminescencja ; spektroskopia elektronowa

InN ; indium phosphide ; nitridation ; AES ; XPS ; photoluminescence ; electron spectroscopy

stosując format:
Nowe wyszukiwanie