Wynik wyszukiwania
Zapytanie: GALLIUM NITRIDE
Liczba odnalezionych rekordów: 11



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/11
Nr opisu: 0000131194   
Evaluation of SiC and GaN FETs in Zero-Voltage Switching Interleaved Boost Converters.
[Aut.]: Piotr Zimoch.
-Prz. Elektrot. 2019 R. 95 nr 9, s. 186-192, bibliogr. 23 poz.. Punktacja MNiSW 20.000

wielofazowy przekształtnik typu boost ; węglik krzemu ; azotek galu ; przełączenie miękkie

interleaved boost converter ; silicon carbide ; gallium nitride ; zero voltage switching

2/11
Nr opisu: 0000127121   
On the interpretation of cathodoluminescence intensity maps of wide band gap nanowires.
[Aut.]: M. Matys, Bogusława Adamowicz.
-Nanotechnology 2018 vol. 30 iss. 3, s. 1-8, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 3.399. Punktacja MNiSW 35.000

szerokopasmowe materiały szczelinowe ; azotek galu ; metoda elementów skończonych

wide band gap materials ; gallium nitride ; finite element method

3/11
Nr opisu: 0000107443
Właściwości tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.

tranzystor MOSFET ; węglik krzemu ; azotek galu ; SiC ; GaN

MOSFET transistor ; silicon carbide ; gallium nitride ; SiC ; GaN

4/11
Nr opisu: 0000088327   
Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry.
[Aut.]: Maciej* Matys, P. Powroźnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
-Opt. Appl. 2013 vol. 43 no. 1, s. 47-52, bibliogr. 7 poz.. Impact Factor 0.643. Punktacja MNiSW 15.000

fotonapięcie powierzchniowe ; azotek galu ; metal/izolator/GaN ; struktura MIS ; detektor ultrafioletu

surface photovoltage ; gallium nitride ; metal/insulator/GaN ; MIS structure ; UV detector

5/11
Nr opisu: 0000082736
Charakteryzacja właściwości chemicznych, optycznych i elektronowych pasywowanych in-situ powierzchni n-GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Alina Domanowska, Piotr* Kościelniak, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Michał* Sitarz, Jacek Szuber, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube.
W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 152
Pełny tekst na CD-ROM

azotek galu ; pasywacja ; stan powierzchniowy ; skład chemiczny

gallium nitride ; passivation ; surface condition ; chemical composition

6/11
Nr opisu: 0000084471   
Analiza wpływu stanów powierzchniowych na fotoluminescencję z azotku galu.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
W: V Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2011, Gdańsk, 3-7 lipca 2011. Streszczenia wystąpień. Pod red. Jarosława Rybickiego i Wojciecha Sadowskiego. Gdańsk : TASK Publishing, 2011, s. 158-159, bibliogr. 3 poz.

fotoluminescencja ; stan powierzchniowy ; azotek galu

photoluminescence ; surface condition ; gallium nitride

7/11
Nr opisu: 0000082601
Modelowanie wpływu stanów powierzchniowych na zjawiska rekombinacyjne w GaN.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 167
Pełny tekst na CD-ROM

azotek galu ; fotoluminescencja ; rekombinacja powierzchniowa ; metoda elementów skończonych ; defekt radiacyjny

gallium nitride ; photoluminescence ; surface recombination ; finite element method ; radiation defect

8/11
Nr opisu: 0000071269   
The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure.
[Aut.]: Marcin** Miczek, P. Bidziński, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
-Solid State Commun. 2011 vol. 151 iss. 11, s. 830-833, bibliogr. 37 poz.. Impact Factor 1.649

azotek galu ; struktura MIS ; fotodetektor typu "solar blind"

gallium nitride ; MIS structure ; "solar blind" photodetector

9/11
Nr opisu: 0000039315   
Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AIGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Hashizume, Andrzej** Klimasek, P. Bobek, J. Żywicki.
-Opt. Appl. 2007 vol. 37 no. 4, s. 327-334, bibliogr. 25 poz.. Impact Factor 0.284

azotek galu ; HEMT ; bramka izolowana ; pasywacja ; C-V ; spektroskopia elektronów Augera

gallium nitride ; HEMT ; insulated gate ; passivation ; C-V ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiles

10/11
Nr opisu: 0000018246   
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 0.459

arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe

gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage

11/11
Nr opisu: 0000123637
Thermal conductivity of AlN and AlN-GaN thin films deposited on Si and GaAs substrates.
[Aut.]: Jerzy Bodzenta, Bogusław* Burak, A. Jagoda, B. Stańczyk.
-Diamond Relat. Mater. 2005 vol. 14 iss. 3-7, s. 1169-1174, bibliogr. 11 poz.
Referat wygłoszony na: 15th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides, and Silicon Carbide. Diamond 2004, Riva del Garda, Italy, September 12-17, 2004.. Impact Factor 1.988

azotek glinu ; azotek galu ; powłoka

aluminium nitride ; gallium nitride ; coating

stosując format:
Nowe wyszukiwanie