Wynik wyszukiwania
Zapytanie: FIELD-EFFECT TRANSISTOR MOS
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000049454   
Patent. Polska, nr 200 087. Wielowejściowy tranzystor polowy MOS o bramkach swobodnych. Int. Cl. H01L 29/772.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński.
Zgłosz. nr 347 756 z 26.05.2001. Opubl. 31.12.2008, 4 s.

tranzystor polowy MOS ; MOSFET ; tranzystor polowy metal- tlenek-półprzewodnik ; bramka swobodna

field-effect transistor MOS ; MOSFET ; Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor ; free gate

2/2
Nr opisu: 0000025311
Elektroniczne przyrządy półprzewodnikowe. Zasady działania diod i tranzystorów - rozwiązywanie zadań.
[Aut.]: Krzysztof Waczyński, Edyta Wróbel.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2007, 251 s., bibliogr. 22 poz.
Skrypt nr 2396

półprzewodnik ; nośnik ładunku ; dioda półprzewodnikowa ; tranzystor bipolarny ; tranzystor polowy MOS ; konduktywność elektryczna

semiconductor ; charge carrier ; semiconductor diode ; bipolar transistor ; field-effect transistor MOS ; electrical conductivity

stosując format:
Nowe wyszukiwanie