Wynik wyszukiwania
Zapytanie: CONSTANT PHASE ELEMENT
Liczba odnalezionych rekordów: 4



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu: 0000046254   
Analysis of electrical equivalent circuit of metal-insulator-semiconductor structure based on admittance measurements.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
-Mater. Sci. Pol. 2008 vol. 26 no. 1, s. 63-69, bibliogr. 13 poz.. Impact Factor 0.368

spektroskopia impedancyjna ; struktura typu metal-izolator-półprzewodnik ; element stałofazowy ; własności elektryczne ; krzem

impedance spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure ; constant phase element ; electrical properties ; silicon

2/4
Nr opisu: 0000011168   
Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 2004 vol. 467 iss. 1/2, s. 190-196, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 1.647

element stałofazowy ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; electrical properties ; electrical measurement ; gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure

3/4
Nr opisu: 0000011325   
Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor strucutres by the admittance spectroscopy method.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szydlowski.
-Appl. Surf. Sci. 2004 vol. 235 iss. 3, s. 389-394, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.497

element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; pomiary elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; electrical measurements ; gallium arsenide

4/4
Nr opisu: 0000008347   
Two constant phase element behaviour of the admittance characteristics of GaAs metal-insulator-semiconductor structure with deep traps.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 2003 vol. 444 iss. 1/2, s. 208-214, bibliogr. 34 poz.. Impact Factor 1.598

element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; gallium arsenide

stosując format:
Nowe wyszukiwanie