Wynik wyszukiwania
Zapytanie: CIRCUIT GATE
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000121201   
Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 1, s. 129-132, bibliogr. 12 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

straty mocy ; MOSFET ; obwód bramkowy ; SiC

power losses ; MOSFET ; circuit gate ; SiC

2/2
Nr opisu: 0000110406
Porównanie strat mocy w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET Si i SiC o zbliżonej klasie prądowo-napięciowej.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
W: II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki Śląskiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 94-96, bibliogr. 3 poz.

straty mocy ; tranzystor MOSFET ; SiC ; Si ; obwód bramkowy

power losses ; MOSFET transistor ; SiC ; Si ; circuit gate

stosując format:
Nowe wyszukiwanie