Wynik wyszukiwania
Zapytanie: CHEMICAL METALLIZATION
Liczba odnalezionych rekordów: 20



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/20
Nr opisu: 0000130668
Selective metallization of silicon and ceramic substrates.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Edyta Wróbel, Janusz Mazurkiewicz.
-Microelectron. Int. 2019 vol. 36 iss. 2, s. 83-87, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 0.840. Punktacja MNiSW 40.000

LTCC ; krzem ; metalizacja chemiczna ; warstwa Ni-P ; rezystor ; metalizacja selektywna

LTCC ; silicon ; chemical metallization ; Ni-P layer ; resistor ; selective metallization

2/20
Nr opisu: 0000118479   
Relationship between resistance, TCR and stabilization temperature of amorphous Ni-P alloy.
[Aut.]: Wojciech Filipowski, Zbigniew** Pruszowski, Krzysztof Waczyński, Piotr Kowalik, J. Kulawik.
-Microelectron. Int. 2017 vol. 34 iss. 3, s. 154-159, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 0.608. Punktacja MNiSW 20.000

TWR ; metalizacja chemiczna ; stop Ni-P ; warstwa rezystywna ; stabilizacja termiczna ; zależności matematyczne

TCR ; chemical metallization ; Ni-P alloy ; resistive layer ; thermal stabilization ; mathematical relationships

3/20
Nr opisu: 0000112313
Zastosowanie warstw opartych na stopie Ni-P w technologii rezystorów warstwowych i fotowoltaice.
[Aut.]: Piotr Kowalik.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2017, 143 s., bibliogr.
(Monografia ; [Politechnika Śląska] nr 635). Punktacja MNiSW 80.000

warstwa rezystywna ; Ni-P ; metalizacja chemiczna ; rezystor precyzyjny

resistive layer ; Ni-P ; chemical metallization ; precision resistor

4/20
Nr opisu: 0000100166
Resistive Ni-W-P layers obtained by chemical metallization method.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Zbigniew** Pruszowski.
W: Czternasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 08-12.06.2015]. Materiały konferencji. [Dokument elektroniczny]. [B.m.] : [b.w.], 2015, pamięć USB (PenDrive) s. 36-39, bibliogr. 7 poz.

warstwa rezystywna ; Ni-P ; Ni-W-P ; metalizacja chemiczna ; rezystor precyzyjny

resistive layer ; Ni-P ; Ni-W-P ; chemical metallization ; precision resistor

5/20
Nr opisu: 0000101650   
Resistive Ni-W-P layers obtained by chemical metallization method.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Zbigniew** Pruszowski.
-Prz. Elektrot. 2015 R. 91 nr 9, s. 105-106, bibliogr. 7 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

warstwa rezystywna ; Ni-P ; Ni-W-P ; rezystor precyzyjny ; metalizacja chemiczna

resistive layer ; Ni-P ; Ni-W-P ; precision resistor ; chemical metallization

6/20
Nr opisu: 0000095777   
Selective metallization of solar cells.
[Aut.]: Edyta Wróbel, Piotr Kowalik, Janusz Mazurkiewicz.
-Microelectron. Int. 2015 vol. 32 iss. 1, s. 1-7, bibliogr. 9 poz.. Impact Factor 0.519. Punktacja MNiSW 20.000

metalizacja chemiczna ; metalizacja selektywna ; ogniwo słoneczne

chemical metallization ; selective metallization ; solar cell

7/20
Nr opisu: 0000093513   
Wpływ podstawowych parametrów wytwarzania stopów Ni-Co-P oraz Co-P na rezystancję i temperaturowy współczynnik rezystancji.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Zbigniew** Pruszowski, Wojciech Filipowski.
-Elektronika 2014 R. 55 nr 9, s. 64-66, bibliogr. 9 poz.. Punktacja MNiSW 8.000

Ni-Co-P ; rezystor ; metalizacja chemiczna ; TWR ; Co-P

Ni-Co-P ; resistor ; chemical metallization ; TCR ; Co-P

8/20
Nr opisu: 0000093747
Wpływ podstawowych parametrów wytwarzania stopów Ni-Co-P oraz Co-P na rezystancję i temperaturowy współczynnik rezystancji.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Zbigniew** Pruszowski, Wojciech Filipowski.
W: Trzynasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 09-13.06.2014]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2014, s. 20 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

Ni-Co-P ; rezystor ; metalizacja chemiczna ; TWR ; Co-P

Ni-Co-P ; resistor ; chemical metallization ; TWR ; Co-P

9/20
Nr opisu: 0000073884   
Influence of kinetics parameter of electroless nickel plating in order to optimalisation electrical parameters of Ni-P resistive layers.
[Aut.]: Zbigniew** Pruszowski, Piotr Kowalik.
-Elektronika 2012 R. 53 nr 9, s. 77-79, bibliogr. 14 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

warstwa rezystywna ; metalizacja chemiczna ; rezystor precyzyjny ; Ni-P

resistive layer ; chemical metallization ; precision resistor ; Ni-P

10/20
Nr opisu: 0000082687
Influence of kinetics parameter of electroless nickel plating in order to optimalisation electrical parameters of Ni-P resistive layers.
[Aut.]: Zbigniew** Pruszowski, Piotr Kowalik.
W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 41
Pełny tekst na CD-ROM

warstwa rezystywna ; metalizacja chemiczna ; rezystor precyzyjny ; Ni-P

resistive layer ; chemical metallization ; precision resistor ; Ni-P

11/20
Nr opisu: 0000059506   
One-stage substrate activation using in resistive layer formation.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Zbigniew** Pruszowski, D. Rymaszewska.
-Elektronika 2010 R. 51 nr 9, s. 98-99, bibliogr. 12 poz.

warstwa rezystywna ; stop Ni-P ; metalizacja chemiczna

resistive layer ; Ni-P alloy ; chemical metallization

12/20
Nr opisu: 0000059505   
Wpływ intensyfikacji procesu metalizacji bezprądowej na podstawowe parametry elektryczne rezystywnego stopu Ni-P.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Zbigniew** Pruszowski.
-Elektronika 2010 R. 51 nr 9, s. 96-97, bibliogr. 10 poz.

metalizacja chemiczna ; warstwa rezystywna ; stop Ni-P

chemical metallization ; resistive layer ; Ni-P alloy

13/20
Nr opisu: 0000082618
Wpływ intensyfikacji procesu metalizacji bezprądowej na podstawowe parametry elektryczne rezystywnego stopu Ni-P.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Zbigniew** Pruszowski.
W: Dziewiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 30.05-02.06.2010]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2010, s. 20
Pełny tekst na CD-ROM

Ni-P ; warstwa rezystywna ; metalizacja chemiczna

Ni-P ; resistive layer ; chemical metallization

14/20
Nr opisu: 0000057270   
Wytwarzanie stabilnych warstw rezystywnych metodą bezprądowej metalizacji.
[Aut.]: Zbigniew** Pruszowski, Piotr Kowalik.
-Prz. Elektrot. 2010 R. 86 nr 6, s. 276-278, bibliogr. 13 poz.. Impact Factor 0.242

TWR ; metalizacja chemiczna ; warstwa rezystywna ; trwałość elektryczna

TCR ; chemical metallization ; resistive layer ; electrical durability

15/20
Nr opisu: 0000052099   
Rezystory niskoomowe wytwarzane metodą wielostopniowej metalizacji.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Zbigniew** Pruszowski.
-Elektronika 2009 R. 50 nr 10, s. 14-17, bibliogr. 6 poz.

rezystor niskoomowy ; stop Ni-P ; metalizacja chemiczna

low resistance resistor ; Ni-P alloy ; chemical metallization

16/20
Nr opisu: 0000052098   
Wytwarzanie warstw rezystywnych typu Ni-Cu-P.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Zbigniew** Pruszowski.
-Elektronika 2009 R. 50 nr 10, s. 12-14, bibliogr. 13 poz.

warstwa rezystywna ; metalizacja chemiczna ; stop Ni-Cu-P

resistive layer ; chemical metallization ; Ni-Cu-P alloy

17/20
Nr opisu: 0000043098   
Impulsowa stabilizacja warstw rezystywnych Ni-P.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Zbigniew** Pruszowski.
-Elektronika 2008 R. 49 nr 11, s. 66-67, bibliogr. 6 poz.

warstwa rezystywna ; stop Ni-P ; metalizacja chemiczna ; stabilizacja termiczna ; stabilizacja impulsowa

resistive layer ; Ni-P alloy ; chemical metallization ; thermal stabilization ; impulse stabilization

18/20
Nr opisu: 0000043099   
Model matematyczny wiążący parametry elektrofizyczne warstw rezystywnych Ni-P parametrami procesu bezprądowej metalizacji.
[Aut.]: Piotr Kowalik, Zbigniew** Pruszowski.
-Elektronika 2008 R. 49 nr 11, s. 68-70, bibliogr. 3 poz.

metalizacja chemiczna ; stop Ni-P ; warstwa rezystywna

chemical metallization ; Ni-P alloy ; resistive layer

19/20
Nr opisu: 0000043200
Technologia rezystorów warstwowych.
[Aut.]: Zbigniew** Pruszowski.
-Pr. Komis. Nauk. PAN Katow. 2008 nr 32, s. 73-75

rezystor warstwowy ; stop Ni-P ; metalizacja chemiczna ; warstwa rezystywna

layer resistor ; Ni-P alloy ; chemical metallization ; resistive layer

20/20
Nr opisu: 0000007666
Polymer-carbon-aluminium resistive activation layers in the process of chemical Ni-P metallisation.
[Aut.]: A. Łukasik, M. Cież, Zbigniew** Pruszowski.
W: 27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003, s. 215-218, bibliogr. 13 poz.

powłoka gruba ; warstwa rezystywna ; metalizacja chemiczna

thick coating ; resistive layer ; chemical metallization

stosując format:
Nowe wyszukiwanie