Wynik wyszukiwania
Zapytanie: CHEMICAL IN-DEPTH PROFILES
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000039315   
Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AIGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Hashizume, Andrzej** Klimasek, P. Bobek, J. Żywicki.
-Opt. Appl. 2007 vol. 37 no. 4, s. 327-334, bibliogr. 25 poz.. Impact Factor 0.284

azotek galu ; HEMT ; bramka izolowana ; pasywacja ; C-V ; spektroskopia elektronów Augera

gallium nitride ; HEMT ; insulated gate ; passivation ; C-V ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiles

stosując format:
Nowe wyszukiwanie