Wynik wyszukiwania
Zapytanie: UV DETECTOR
Liczba odnalezionych rekordów: 4



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu: 0000088327   
Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry.
[Aut.]: Maciej* Matys, P. Powroźnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
-Opt. Appl. 2013 vol. 43 no. 1, s. 47-52, bibliogr. 7 poz.. Impact Factor 0.643. Punktacja MNiSW 15.000

fotonapięcie powierzchniowe ; azotek galu ; metal/izolator/GaN ; struktura MIS ; detektor ultrafioletu

surface photovoltage ; gallium nitride ; metal/insulator/GaN ; MIS structure ; UV detector

2/4
Nr opisu: 0000082739
Modelowanie fotodetektora ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 157
Pełny tekst na CD-ROM

detektor ultrafioletu ; napięcie powierzchniowe ; AlGaN/GaN ; defekt objętościowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; metal/izolator/półprzewodnik

UV detector ; surface tension ; AlGaN/GaN ; volume defect ; surface photovoltage ; MIS

3/4
Nr opisu: 0000082582
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 137
Pełny tekst na CD-ROM

GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych

GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method

4/4
Nr opisu: 0000084444
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
-Elektronika 2011 R. 52 nr 9, s. 43-45, bibliogr. 6 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych ; MES

GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method ; FEM

stosując format:
Nowe wyszukiwanie