Wynik wyszukiwania
Zapytanie: INP
Liczba odnalezionych rekordów: 4



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu: 0000047661   
A novel III-V semiconductor material for NO2 detection and monitoring.
[Aut.]: K. Wierzbowska, L. Bideux, Bogusława Adamowicz, A. Pauly.
-Sens. Actuators, A Phys. 2008 vol. 142 iss. 1, s. 237-241, bibliogr. 9 poz.

NO2 ; dwutlenek azotu ; InP ; fosforek indu ; XPS ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; spektroskopia elektronów Augera

NO2 ; nitrogen dioxide ; InP ; indium phosphide ; XPS ; X-ray photoelectron spectroscopy ; Auger electron spectroscopy

2/4
Nr opisu: 0000047684   
Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(1 0 0) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 8046-8049, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.576

InP ; wyżarzanie ; pasywacja ; oczyszczanie ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotoluminescencja ; MISFET

InP ; annealing ; passivation ; cleaning ; interface ; Fermi level ; photoluminescence ; MISFET

3/4
Nr opisu: 0000025312   
Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, M. Petit, B. Gruzza, C. Robert-Goumet, T. Piwnowski, M. Bugajski, H. Hasegawa.
-Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl. 2006 vol. 26 nr 2/3, s. 378-382, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.325

InP ; powierzchnia ; pasywacja ; azotowanie ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; model zjawisk nierównowagowych

InP ; surface ; passivation ; nitridation ; surface states ; photoluminescence ; model of non-equilibrium phenomena

4/4
Nr opisu: 0000123735   
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, C. Brun, B. Gruzza, H. Hasegawa.
-Thin Solid Films 2003 vol. 436 iss. 1, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002. Impact Factor 1.598

InP ; interfejs ; właściwości elektroniczne ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; wykrywanie gazu

InP ; interface ; electronic properties ; surface states ; Fermi level ; gas sensing

stosując format:
Nowe wyszukiwanie