Wynik wyszukiwania
Zapytanie: HFO2 DIELECTRIC
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000116389
Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction.
[Aut.]: R. Stoklas, D. Gregusova, M. Blaho, K. Frohlich, J. Novak, Maciej* Matys, Z. Yatabe, P. Kordos, T. Hashizume.
-Semicond. Sci. Technol. 2017 vol. 32 iss. 4, art. no. 045018, bibliogr. 29 poz.. Impact Factor 2.280. Punktacja MNiSW 30.000

AlGaN/GaN ; stany międzypowierzchni ; dielektryk HfO2 ; XPS ; ALD

AlGaN/GaN ; interface states ; HfO2 dielectric ; XPS ; ALD ; oxygen-plasma treatment

stosując format:
Nowe wyszukiwanie