Wynik wyszukiwania
Zapytanie: GAN
Liczba odnalezionych rekordów: 13



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/13
Nr opisu: 0000132122   
Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
Gliwice, 2019, 143 k., bibliogr. 118 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Marcin Zygmanowski

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; tranzystor MOSFET ; SiC ; GaN

class DE inverter ; high frequency ; MOSFET transistor ; SiC ; GaN

2/13
Nr opisu: 0000133268   
Feasibility of hgh frequency zero-voltage switching boost converters achieving high power density using wide-bandgap devices.
[Aut.]: Piotr Zimoch, Kamil Kierepka, Marcin Kasprzak.
W: 2019 International Conference on Electrical Drives & Power Electronics (EDPE). 9th Joint Slovakian-Croatian Conference, 24-26 September 2019, Novy Smokovec, The High Tatras, Slovak Republic. Conference proceedings. Piscataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, s. 24-29, bibliogr. 12 poz.. Punktacja MNiSW 20.000

GaN ; gęstość mocy ; przekształtnik DC/DC typu boost ; przełączenie miękkie

GaN ; power density ; DC/DC boost converter ; zero voltage switching

3/13
Nr opisu: 0000134052
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym "SENE 2019". XIV Konferencja naukowa, Łódź, 20-22 listopada 2019. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2019, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 16 poz.. Punktacja MNiSW 20.000

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; SiC ; GaN ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; high frequency ; SiC ; GaN ; MOSFET ; driver

4/13
Nr opisu: 0000122770   
Possible application of SiC and GaN MOSFET transistors in class de inverter.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
-Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2016 R. 62 z. 3/4, s. 23-33, bibliogr. 25 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

MOSFET ; SiC ; GaN ; falownik klasy DE

MOSFET ; SiC ; GaN ; class DE inverter

5/13
Nr opisu: 0000107443
Właściwości tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.

tranzystor MOSFET ; węglik krzemu ; azotek galu ; SiC ; GaN

MOSFET transistor ; silicon carbide ; gallium nitride ; SiC ; GaN

6/13
Nr opisu: 0000093838
Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Alina Domanowska, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, A. Taube, R. Kruszka.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 184 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

fotodetektor ultrafioletu ; GaN ; AlGaN/GaN ; stan powierzchniowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; fotopojemność ; pasywacja ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

UV photodetector ; GaN ; AlGaN/GaN ; surface condition ; surface photovoltage ; photocapacitance ; passivation ; metal-insulator-semiconductor structure

7/13
Nr opisu: 0000093844
Wykorzystanie nanodrutów GaN na podłożach Si w strukturach sensorów chemicznych.
[Aut.]: K. Kłosek, M. Sobańska, Z. Żytkiewicz, A. Wierzbicka, A. Reszka, R. Kruszka, K. Gołaszewska, Maciej Setkiewicz, Tadeusz Pustelny.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 201-203 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

GaN ; sensor chemiczny ; nanodruty ; epitaksja z wiązek molekularnych

GaN ; chemical sensor ; nanowires ; molecular beam epitaxy

8/13
Nr opisu: 0000093841
Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości powierzchniowych na granicy fazowej Al2O3/GaN i Al2O3/AlGaN.
[Aut.]: Maciej* Matys, Rafał* Ucka, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 194 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; pasywacja ; fotopojemność ; stan powierzchniowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; passivation ; photocapacitance ; surface condition ; metal-insulator-semiconductor structure

9/13
Nr opisu: 0000082582
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 137
Pełny tekst na CD-ROM

GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych

GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method

10/13
Nr opisu: 0000084444
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
-Elektronika 2011 R. 52 nr 9, s. 43-45, bibliogr. 6 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych ; MES

GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method ; FEM

11/13
Nr opisu: 0000081093   
Analiza numeryczna zjawisk fotoelektronowych w detektorach promieniowania UV typu MIS na bazie n-GaN.
[Aut.]: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
W: IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010, s. 235, bibliogr. 4 poz.

GaN ; struktura MIS ; COMSOL

GaN ; MIS structure ; COMSOL

12/13
Nr opisu: 0000063105   
Modeling of metal/insulator/GaN ultraviolet photodetector by finite element method.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Piotr* Bidziński, T. Hashizume.
W: 18th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications. MIKON-2010, Vilnius, Lithuania, June 14-16, 2010. Conference proceedings. Picataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010, s. 1-3, bibliogr. 7 poz.

GaN ; metal/izolator/półprzewodnik ; fotodekoder UV ; modelowanie komputerowe ; metoda elementów skończonych ; COMSOL

GaN ; MIS ; UV photodecoder ; computer modelling ; finite element method ; COMSOL

13/13
Nr opisu: 0000041375   
Response to oxygen and chemical properties of SnO2 thin-film gas sensors.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Weronika Izydorczyk, Jacek Izydorczyk, Andrzej** Klimasek, Wiesław Jakubik, J. Żywicki.
W: Proceedings of the 9th Electron Technology Conference. ELTE 2007, Cracow, 4-7 September 2007. Ed. by B. Dziurdzia, T. Pisarkiewicz. [B.m.] : Elsevier, 2008, s. 966-970, bibliogr. 16 poz. (Vacuum ; vol. 82, iss. 10 0042-207X)

GaN ; technika wzrostu MOVPE ; podłoża proszkowe nanokrystaliczne

GaN ; MOVPE growth technique ; nanocrystalline powder substrates

stosując format:
Nowe wyszukiwanie