Wynik wyszukiwania
Zapytanie: GAAS BASE
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000073359
Zastosowanie wiązki atomowego wodoru do oczyszczania podłoży GaAs dla celów MBE.
[Aut.]: Jacek Szuber.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 71, bibliogr. 13 poz.

wodór atomowy ; MBE ; podłoże GaAs ; nanowarstwa

atomic hydrogen ; MBE ; GaAs base ; nanolayer

stosując format:
Nowe wyszukiwanie