Wynik wyszukiwania
Zapytanie: GAAS MIS STRUCTURE
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000089617
The analysis of filling pulse parameters influence on ICTS data of GaAs MIS structures.
[Aut.]: Łukasz Drewniak, Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
W: Electron Technology Conference 2013, Ryn, Poland, 16-20 April 2013. Eds: Paweł Szczepański, Ryszard Kisiel, Ryszard S. Romaniuk. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2013, art. 890209 s. 1-8, bibliogr. 16 poz. (Proceedings of SPIE ; vol. 8902 0277-786X)

struktura GaAs MIS ; ICTS ; stany międzypowierzchni

GaAs MIS structure ; ICTS ; interface states

2/2
Nr opisu: 0000010584
Analiza elektrycznych własności struktur MIS na bazie GaAs oraz Si w oparciu o metodę spektroskopii impedancyjnej.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, M. Szydłowski.
-Zesz. Nauk. PŚl., Mat. 2004 z. 91, s. 199-212, bibliogr. 16 poz.

spektroskopia impedancyjna ; struktura GaAs MIS ; własności elektryczne

impedance spectroscopy ; GaAs MIS structure ; electric properties

stosując format:
Nowe wyszukiwanie