Wynik wyszukiwania
Zapytanie: AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY
Liczba odnalezionych rekordów: 17



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/17
Nr opisu: 0000128802
Chemical characterization of SiO2:TiO2 waveguide films using Auger electron spectroscopy.
[Aut.]: Alina Domanowska.
W: 18th Conference on Optical Fibers and Their Application, 20-23 November 2018, Naleczow, Poland. Eds.: Ryszard S. Romaniuk, Waldemar Wójcik, Andrzej Smolarz. Bellingham : SPIE, 2019, s. 1104507-1 - 1104507-5, bibliogr. 25 poz. (Proceedings of SPIE ; vol. 11045 0277-786X)

zol-żel ; cienka powłoka ; falowód krzemionkowo-tytanowy ; czujnik fali zanikającej ; straty optyczne ; spektroskopia elektronów Augera

sol-gel ; thin film ; silica-titania waveguide ; evanescent wave sensor ; optical losses ; Auger electron spectroscopy

2/17
Nr opisu: 0000122968
Analysis of the corrosion protective ability of atomic layer deposition silica-based coatings deposited on 316LVM steel.
[Aut.]: Marcin Basiaga, Witold Walke, Wojciech Kajzer, Agnieszka* Hyla, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, C. Krawczyk.
-Materialwissensch. Werkstofftech. 2018 vol. 49 iss. 5, s. 551-561, bibliogr. 53 poz.. Impact Factor 0.625. Punktacja MNiSW 15.000

316 LVM ; SiO2 ; osadzanie warstw atomowych ; spektroskopia elektronów Augera ; skaningowy mikroskop elektronowy ; test potencjodynamiczny ; wykres impedancji elektrochemicznej

316 LVM ; SiO2 ; atomic layer deposition ; Auger electron spectroscopy ; scanning electron microscopy ; potentiodynamic test ; electrochemical impedance plot

3/17
Nr opisu: 0000093840
Analiza chemiczna AES pasywacyjnych warstw na powierzchni GaN, AlGaN i SiC.
[Aut.]: Alina Domanowska, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, M. Sochacki, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube, R. Kruszka, J. Żywicki.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 193 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; pasywacja ; analiza chemiczna ; spektroskopia elektronów Augera ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; passivation ; chemical analysis ; Auger electron spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure

4/17
Nr opisu: 0000080343   
Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO2/SiO2/4H-SiC and HfO2/Al2O3/4H-SiC structures.
[Aut.]: Alina Domanowska, Marcin** Miczek, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, J. Żywicki, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gierałtowska, M. Sochacki.
-Appl. Surf. Sci. 2012 vol. 258 iss. 21, s. 8354-8359, bibliogr. 43 poz.. Impact Factor 2.112. Punktacja MNiSW 30.000

węglik krzemu ; pasywacja powierzchni ; fotonapięcie powierzchniowe ; spektroskopia elektronów Augera

silicon carbide ; surface passivation ; surface photovoltage ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiling ; interface charge

5/17
Nr opisu: 0000071973   
Analysis of chemical shifts in Auger electron spectra versus sputtering time from passivated surfaces.
[Aut.]: Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Andrzej** Klimasek, Janusz Szewczenko, T. Gutt, H. Przewłocki.
-Opt. Appl. 2011 vol. 41 no. 2, s. 441-447, bibliogr. 8 poz.. Impact Factor 0.398. Punktacja MNiSW 15.000

spektroskopia elektronów Augera ; interfejs ; pasywacja ; algorytm ewolucyjny

Auger electron spectroscopy ; interface ; passivation ; evolutionary algorithm

6/17
Nr opisu: 0000057448   
Badania struktury, morfologii powierzchni oraz właściwości sensorowych cienkich warstw SnO2.
[Aut.]: Weronika Izydorczyk, M. Pisarek, Jerzy** Żak.
-Elektronika 2010 R. 51 nr 6, s. 50-53, bibliogr. 13 poz.

morfologia powierzchni ; dyfraktometria rentgenowska ; mikroskopowa siła atomowa ; mikroskopia AFM ; spektroskopia elektronów Augera ; adsorpcja tlenu

surface morphology ; X-ray diffraction ; atomic force microscope ; AFM microscopy ; Auger electron spectroscopy ; oxygen adsorption

7/17
Nr opisu: 0000081095   
Profile składu chemicznego nanowarstw pasywacyjnych na podstawie analizy numerycznej widm elektronów Augera.
[Aut.]: Alina Domanowska, Piotr* Bidziński, Andrzej** Klimasek, J. Żywicki, Bogusława Adamowicz.
W: IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010, s. 145, bibliogr. 2 poz.

spektroskopia elektronów Augera ; analiza numeryczna

Auger electron spectroscopy ; numerical analysis

8/17
Nr opisu: 0000063606   
Struktura i własności gradientowych powłok PVD na spiekanych materiałach narzędziowych. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Ludwina* Żukowska.
Gliwice, 2010, 78 k., bibliogr. 167 poz. + zał.: 101 k. tabl.
Politechnika Śląska. Wydział Mechaniczny Technologiczny. Promotor: prof. zw. dr hab. inż. Leszek** Dobrzański

materiały narzędziowe ; powłoka PVD ; powłoka gradientowa ; spektroskopia elektronów Augera ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów

tool materials ; PVD coating ; gradient coating ; Auger electron spectroscopy ; X-ray photoelectron spectroscopy

9/17
Nr opisu: 0000047661   
A novel III-V semiconductor material for NO2 detection and monitoring.
[Aut.]: K. Wierzbowska, L. Bideux, Bogusława Adamowicz, A. Pauly.
-Sens. Actuators, A Phys. 2008 vol. 142 iss. 1, s. 237-241, bibliogr. 9 poz.

NO2 ; dwutlenek azotu ; InP ; fosforek indu ; XPS ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; spektroskopia elektronów Augera

NO2 ; nitrogen dioxide ; InP ; indium phosphide ; XPS ; X-ray photoelectron spectroscopy ; Auger electron spectroscopy

10/17
Nr opisu: 0000047690   
Analysis of mechanism of carbon removal from GaAs(1 0 0) surface by atomic hydrogen.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, A. Winkler, Maciej Krzywiecki, T. Chasse, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 8035-8040, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 1.576

GaAs ; oczyszczanie ; wytrawianie ; wodór atomowy ; spektroskopia elektronów Augera ; spektrometria mas ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów

GaAs ; cleaning ; etching ; atomic hydrogen ; Auger electron spectroscopy ; mass spectrometry ; X-ray photoelectron spectroscopy

11/17
Nr opisu: 0000050150   
Response to oxygen and chemical properties of SnO2 thin-film gas sensors.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Weronika Izydorczyk, Jacek Izydorczyk, Andrzej** Klimasek, Wiesław Jakubik, J. Żywicki.
-Vacuum 2008 vol. 82 iss. 10, s. 966-970, bibliogr. 16 poz.. Impact Factor 1.114

dwutlenek cyny ; RGTO ; adsorpcja tlenu ; spektroskopia elektronów Augera ; czujnik gazowy

tin dioxide ; RGTO technology ; oxygen adsorption ; Auger electron spectroscopy ; gas sensor

12/17
Nr opisu: 0000050262   
XPS and AES analysis of PVD coatings.
[Aut.]: Leszek** Dobrzański, Ludwina* Żukowska, J. Kubacki, Klaudiusz Gołombek, Jarosław Mikuła.
-Arch. Mater. Sci. Eng. 2008 vol. 32 iss. 2, s. 99-102, bibliogr. 15 poz.

rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; spektroskopia elektronów Augera ; powłoka PVD

X-ray photoelectron spectroscopy ; Auger electron spectroscopy ; PVD coating

13/17
Nr opisu: 0000039315   
Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AIGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Hashizume, Andrzej** Klimasek, P. Bobek, J. Żywicki.
-Opt. Appl. 2007 vol. 37 no. 4, s. 327-334, bibliogr. 25 poz.. Impact Factor 0.284

azotek galu ; HEMT ; bramka izolowana ; pasywacja ; C-V ; spektroskopia elektronów Augera

gallium nitride ; HEMT ; insulated gate ; passivation ; C-V ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiles

14/17
Nr opisu: 0000025449   
Comparative study of the GaAs(1 0 0) surface cleaned by atomic hydrogen.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, A. Winkler, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7647-7658, bibliogr. 58 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

GaAs ; wodór atomowy ; spektroskopia elektronów Augera ; spektrometria masowa ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; funkcja pracy ; potencjał jonizacyjny

GaAs ; atomic hydrogen ; Auger electron spectroscopy ; mass spectrometry ; surface states ; Fermi level ; work function ; ionization potential

15/17
Nr opisu: 0000012822
The relationship between hot ductility and intergranular fracture in an CuSn6P alloy at elevated temperatures.
[Aut.]: Wojciech** Ozgowicz.
W: Achievements in mechanical and materials engineering. Proceedings of the 13th international scientific conference, Gliwice-Wisła, Poland, May 16-19, 2005. Ed. L. A. Dobrzański. Gliwice : Organising Committee of the International Scientific Conferences Institute of Engineering Materials and Biomaterials of the Silesian University of Technology, 2005, s. 503-508, bibliogr. 11 poz.

temperatura minimalnej plastyczności ; przełom międzykrystaliczny ; brąz cynowy ; poślizg po granicach ziaren ; spektroskopia elektronów Augera

ductility minimum temperature ; intergranular fracture ; tin bronze ; grain boundary sliding ; Auger electron spectroscopy

16/17
Nr opisu: 0000014965
The relationship between hot ductility and intergranular fracture in an CuSn6P alloy at elevated temperatures.
[Aut.]: Wojciech** Ozgowicz.
W: Worldwide Congress on Materials and Manufacturing Engineering and Technology. COMMENT'2005, Gliwice-Wisła, 16th-19th May 2005. [Dokument elektroniczny]. Congress proceedings - short papers. Ed. Leszek A. Dobrzański. [Gliwice] : [Komitet Organizacyjny Międzynarodowych Konferencji Naukowych Instytutu Materiałów Inżynierskich i Biomedycznych Politechniki Śląskiej], [2005], dysk optyczny (CD-ROM) [Ref. 1.620 s. 1-6], bibliogr. 11 poz.

temperatura minimalnej plastyczności ; przełom międzykrystaliczny ; brąz cynowy ; poślizg po granicach ziaren ; spektroskopia elektronów Augera

ductility minimum temperature ; intergranular fracture ; tin bronze ; grain boundary sliding ; Auger electron spectroscopy

17/17
Nr opisu: 0000023465
The relationship between hot ductility and intergranular fracture in an CuSn6P alloy at elevated temperatures.
[Aut.]: Wojciech** Ozgowicz.
W: Programme & abstracts of the Worldwide Congress on Materials and Manufacturing Engineering and Technology. COMMENT'2005, Gliwice-Wisła, 16th-19th May 2005. Ed. by L. A. Dobrzański. Gliwice : Organising Committee of the International Scientific Conferences Institute of Engineering Materials and Biomaterials of the Silesian University of Technology, 2005, s. 117-118

temperatura minimalnej plastyczności ; przełom międzykrystaliczny ; brąz cynowy ; poślizg po granicach ziaren ; spektroskopia elektronów Augera

ductility minimum temperature ; intergranular fracture ; tin bronze ; grain boundary sliding ; Auger electron spectroscopy

stosując format:
Nowe wyszukiwanie