Wynik wyszukiwania
Zapytanie: III KRAJOWA KONFERENCJA NANOTECHNOLOGII
Liczba odnalezionych rekordów: 8



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/8
Nr opisu: 0000073364
Planarne światłowodowe struktury sensorowe ze sprzęgaczami siatkowymi.
[Aut.]: Paweł Karasiński.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 133, bibliogr. 4 poz.

sprzęgacz siatkowy ; czujnik światłowodowy ; struktura sensorowa

grating coupler ; waveguide sensor ; sensor structure

2/8
Nr opisu: 0000073365
Warstwa zewnętrzna nanodrutów jodosiarczku antymonu wytworzonych sonochemiczne.
[Aut.]: Marian** Nowak, E. Talik, Piotr Szperlich, D. Stróż, Anna Starczewska.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 148

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; sonochemia

antimony sulfoiodide ; nanowires ; sonochemistry

3/8
Nr opisu: 0000073363
Warstwy SIO2:TiO2 otrzymywane metodą zol-żel do zastosowań w fotonice planarnej.
[Aut.]: Paweł Karasiński.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 132, bibliogr. 6 poz.

zol-żel ; fotonika ; powłoka krzemionkowo-tytanowa

sol-gel ; photonics ; silica-titania film

4/8
Nr opisu: 0000073357
Własności optyczne, chemiczne, elektronowe i morfologiczne struktur AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, D. Pundyk, Mirosława Kępińska, Piotr* Bobek, Andrzej** Klimasek, T. Hashizume.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 62, bibliogr. 2 poz.

heterozłącze ; własności optyczne ; własności chemiczne ; własności elektronowe ; AlGaN/GaN

heterojunction ; optical properties ; chemical properties ; electron properties ; AlGaN/GaN

5/8
Nr opisu: 0000073360
Własności sensorowe nanodrutów jodosiarczku antymonu.
[Aut.]: Łukasz* Bober, Marian** Nowak, B. Stanek, Piotr Szperlich, Maria Sozańska.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 107

własności sensorowe ; nanodruty ; jodosiarczek antymonu

sensor properties ; nanowires ; antimony sulfoiodide

6/8
Nr opisu: 0000073361
Wpływ procesu obróbki termicznej na własności falowodowe warstw ZnO.
[Aut.]: K. Gołaszewska, E. Kamińska, I. Pasternak, R. Kruszka, T. Piotrowski, A. Piotrowska, Tadeusz Pustelny, Przemysław Struk, Kazimierz Gut, E. Dynowska, E. Łusakowska, T. Wojciechowski.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 126

tlenek cynku ; obróbka termiczna ; optyczny czujnik gazu

zinc oxide ; thermal treatment ; optical gas sensor

7/8
Nr opisu: 0000073362
Zaenkapsulowany jodosiarczek antymonu w nanorurkach węglowych.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, D. Stróż, Janusz Szala, Tomasz Rzychoń.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 130

jodosiarczek antymonu ; nanorurki węglowe

antimony sulfoiodide ; carbon nanotubes

8/8
Nr opisu: 0000073359
Zastosowanie wiązki atomowego wodoru do oczyszczania podłoży GaAs dla celów MBE.
[Aut.]: Jacek Szuber.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 71, bibliogr. 13 poz.

wodór atomowy ; MBE ; podłoże GaAs ; nanowarstwa

atomic hydrogen ; MBE ; GaAs base ; nanolayer

stosując format:
Nowe wyszukiwanie