Wynik wyszukiwania
Zapytanie: ZAHN D
Liczba odnalezionych rekordów: 3



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/3
Nr opisu: 0000056791   
Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Mizsei, D. Zahn, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
-Surf. Sci. 2009 vol. 603 iss. 3, s. 498-502, bibliogr. 39 poz.. Impact Factor 1.798

Gats ; pasywacja ; chlorek siarki ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotonapięcie powierzchniowe ; potencjał styku ; sonda Kelvina

Gats ; passivation ; sulphur chloride ; interface ; Fermi level ; surface photovoltage ; contact potential ; Kelvin probe

2/3
Nr opisu: 0000025451   
Charge transient spectroscopy measurements of GaAs metal-insulator-semiconductor structures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, I. Thurzo, D. Zahn.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 2631-2635, bibliogr. 32 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

arsenek galu ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; spektroskopia produktów przejściowych ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne

gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure ; charge transient spectroscopy ; electrical properties ; electrical measurement

3/3
Nr opisu: 0000021188   
Micro-Raman spectroscopy of disordered and ordered sulfur phases on a passivated GaAs surface.
[Aut.]: Tomasz Błachowicz, G. Salvan, D. Zahn, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 nr 21, s. 7642-7646, bibliogr. 18 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

arsenek galu ; pasywacja siarki ; spektroskopia Ramana ; morfologia powierzchni ; (NH4)2Sx ; S2Cl2

gallium arsenide ; sulfur passivation ; Raman spectroscopy ; surface morphology ; (NH4)2Sx ; S2Cl2

stosując format:
Nowe wyszukiwanie