Wynik wyszukiwania
Zapytanie: YATABE Z
Liczba odnalezionych rekordów: 3



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/3
Nr opisu: 0000116389
Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction.
[Aut.]: R. Stoklas, D. Gregusova, M. Blaho, K. Frohlich, J. Novak, Maciej* Matys, Z. Yatabe, P. Kordos, T. Hashizume.
-Semicond. Sci. Technol. 2017 vol. 32 iss. 4, art. no. 045018, bibliogr. 29 poz.. Impact Factor 2.280. Punktacja MNiSW 30.000

AlGaN/GaN ; stany międzypowierzchni ; dielektryk HfO2 ; XPS ; ALD

AlGaN/GaN ; interface states ; HfO2 dielectric ; XPS ; ALD ; oxygen-plasma treatment

2/3
Nr opisu: 0000107207   
Characterization of capture cross sections of interface states in dielectric/III-nitride heterojunction structures.
[Aut.]: Maciej* Matys, R. Stoklas, J. Kuzmik, Bogusława Adamowicz, Z. Yatabe.
-J. Appl. Phys. 2016 vol. 119 iss. 20, art. no. 205304 s. 1-8, bibliogr. 41 poz.. Impact Factor 2.068. Punktacja MNiSW 35.000

3/3
Nr opisu: 0000112646   
On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces.
[Aut.]: M. Matys, B. Adamowicz, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, T. Hashizume.
-J. Appl. Phys. 2016 vol. 120 iss. 22, art. no. 225305 s. 1-12, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 2.068. Punktacja MNiSW 35.000

stosując format:
Nowe wyszukiwanie