Wynik wyszukiwania
Zapytanie: WESZKA J
Liczba odnalezionych rekordów: 9



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/9
Nr opisu: 0000120324   
Patent. Polska, nr 225 540. Wielowarstwowe barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania. Int. Cl. H01L 31/00, H01L 31/042, H01L 31/0236, H01L 31/0288, H01L 31/101.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: J. Weszka, Tomasz Tański, A. Błaszczyk, Magdalena Szindler, Marek Szindler, Aleksandra Drygała, Paweł Jarka.
Zgłosz. nr 410 428 z 08.12.2014. Opubl. 28.04.2017, 4 s.

ogniwo fotowoltaiczne ; ogniwo wielowarstwowe barwnikowe ; fotosynteza

photovoltaic cell ; multi-layer dye cell ; photosynthesis

2/9
Nr opisu: 0000049771
Influence of LCVD technological parameters on properties of polyazomethine thin films.
[Aut.]: Barbara* Hajduk, J. Weszka, J. Jurusik.
W: Programme and Proceedings of the Worldwide Congress on Materials and Manufacturing Engineering and Technology. COMMENT'09, Gliwice - Gdańsk, 14th-17th June 2009. Ed. by L. A. Dobrzański. Gliwice : International Organising Committee of the Scientific Conferences World Press, 2009, s. 64
Toż na CD-ROM

3/9
Nr opisu: 0000014466
Measurements of amorphous silicon transmission in the 1-3 kev range by epma (WDS) instrumentation.
[Aut.]: Michał** Żelechower, J. Grecka, J. Weszka.
W: Electron probe microanalysis today. Practical aspect. EMAS'2004. 6th Regional workshop, Bled, Slovenia, 8-11.05.2004. [B.m.] : [b.w.], [2004], s. 156

4/9
Nr opisu: 0000011218   
The corrected value of the Y L alpha mass absorption coefficient in silicon.
[Aut.]: Michał** Żelechower, J. Gracka, J. Weszka, Mirosława Kępińska.
-Microchim. Acta 2004 vol. 145 iss. 1/4, s. 271-273. Impact Factor 0.851

EPMA ; krzem ; itr ; współczynnik absorpcji masowej

EPMA ; silicon ; yttrium ; mass absorption coefficient

5/9
Nr opisu: 0000007214   
Resonance Raman scattering in In0.45Se0.55 amorphous films.
[Aut.]: J. Weszka, P. Daniel, A. Burian, A. Burian, Michał** Żelechower.
-Solid State Commun. 2001 vol. 118 iss. 2, s. 97-102. Impact Factor 1.381

6/9
Nr opisu: 0000007212   
Temperature dependence of Raman scattering in amorphous films of In1-xSex alloys.
[Aut.]: J. Weszka, P. Daniel, A. Burian, A. Burian, Michał** Żelechower.
-Solid State Commun. 2001 vol. 119 iss. 8/9, s. 533-537. Impact Factor 1.381

7/9
Nr opisu: 0000026019
Some optical properties of amorphous In-Se thin films.
[Aut.]: A. Michalewicz, B. Jarząbek, Jan* Cisowski, J. Jurasik, A. Burian, J. Weszka.
W: Surface and thin film structures 1997. Proceedings of the 5th seminar, Ustroń, Poland, September 23-26, 1997. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1998, s. 411-416, bibliogr. 15 poz. (Electron Technology ; vol. 31, no. 3/4 0070-9816)

8/9
Nr opisu: 0000013692
Technologia i własności optyczne cienkich warstw amorficznych In2Se3.
[Aut.]: A. Jędruchów, B. Jarząbek, Jan* Cisowski, J. Jurusik, A. Burian, J. Weszka.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. VI Seminarium naukowe, Katowice, 22 maja 1998. [B.m.] : [b.w.], [1998], s. 281-284, bibliogr. 10 poz.

9/9
Nr opisu: 0000028068
Inhomogeneity of amorphous Zn-P thin films from optical measurements.
[Aut.]: B. Jarzabek, J. Weszka, J. Jurusik, Jan* Cisowski.
W: Surface and thin film structures 1996. Proceedings of the 4th seminar, Kazimierz Dolny, Poland, September 18-21, 1996. Ed. M. Jałochowski. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1997, s. 193-195, bibliogr. 10 poz. (Electron Technology ; vol. 30, no. 2 0070-9816)

stosując format:
Nowe wyszukiwanie