Wynik wyszukiwania
Zapytanie: THURZO I
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000025451   
Charge transient spectroscopy measurements of GaAs metal-insulator-semiconductor structures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, I. Thurzo, D. Zahn.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 2631-2635, bibliogr. 32 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

arsenek galu ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; spektroskopia produktów przejściowych ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne

gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure ; charge transient spectroscopy ; electrical properties ; electrical measurement

stosując format:
Nowe wyszukiwanie