Wynik wyszukiwania
Zapytanie: SZUBER JACEK
Liczba odnalezionych rekordów: 175



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/175
Nr opisu: 0000125819
A novel type room temperature surface photovoltage gas sensor device.
[Aut.]: Monika Kwoka, M. A. Borysiewicz, A. Tomkiewicz, A. Piotrowska, Jacek Szuber.
-Sensors 2018 vol. 18 iss. 9, art. no. 2919 s. 1-11, bibliogr. 37 poz.. Impact Factor 3.031. Punktacja MNiSW 30.000

czujnik gazu w temperaturze pokojowej

room temperature gas sensor ; surface photovoltage effect ; porous ZnO nanostructured thin films

2/175
Nr opisu: 0000121550   
Surface properties of nanostructured, porous ZnO thin films prepared by direct current reactive magnetron sputtering.
[Aut.]: Monika Kwoka, Barbara Łysoń-Sypień, Anna Kuliś, M. A. Borysiewicz, E. Kamińska, Jacek Szuber.
-Materials 2018 vol. 11 iss. 1, art. no 131 s. 1-11, bibliogr. 31 poz.. Impact Factor 2.972. Punktacja MNiSW 35.000

nanostruktura ZnO ; reaktywne rozpylanie magnetronowe ; XPS ; chemia powierzchni

ZnO nanostructure ; reactive magnetron sputtering ; XPS ; surface chemistry

3/175
Nr opisu: 0000126455   
XPS studies of surface chemistry of ZnO nanowires for gas sensors application.
[Aut.]: Monika Kwoka, D. Zappa, E. Comini, Jacek Szuber.
W: 3rd International Conference InterNanoPoland 2018, 12-13 September 2018, Katowice. Abstracts book. Ed. by Marta Zaborowska and Agnieszka Piekara. Katowice : The NANONET Foundation, 2018, s. 101, bibliogr. 6 poz.

4/175
Nr opisu: 0000120834   
Pure and highly Nb-doped titanium dioxide nanotubular arrays: characterization of local surface properties.
[Aut.]: Monika Kwoka, V. Galstyan, E. Comini, Jacek Szuber.
-Nanomaterials 2017 vol. 7 iss. 12, art. no. 456 s. 1-13, bibliogr. 43 poz.. Impact Factor 3.504. Punktacja MNiSW 35.000

nanorurki TiO2 ; domieszkowanie Nb ; chemia powierzchni ; XPS ; morfologia powierzchni ; SEM

TiO2 nanotubes ; Nb-doping ; surface chemistry ; XPS ; surface morphology ; SEM

5/175
Nr opisu: 0000106492   
Photogeneration of singlet oxygen by the phenothiazine derivatives covalently bound to the surface-modified glassy carbon.
[Aut.]: Agata Blacha-Grzechnik, Katarzyna Piwowar, Katarzyna Krukiewicz, Piotr* Kościelniak, Jacek Szuber, Jerzy** Żak.
-Appl. Surf. Sci. 2016 vol. 371, s. 151-159, bibliogr. 49 poz.. Impact Factor 3.387. Punktacja MNiSW 35.000

fotogeneracje tlenu singletowego ; fenotiazyna ; sól diazoniowa ; elektroszczepienie

singlet oxygen photogeneration ; phenothiazine ; diazonium salt ; electrografting ; covalent surface modification

6/175
Nr opisu: 0000107834   
Technologia cienkich warstw tlenku cynku o kontrolowanych własnościach strukturalnych, transportowych i optycznych.
[Aut.]: M. A. Borysiewicz, E. Kamińska, T. Wojciechowski, K. Gołaszewska, E. Dynowska, M. Wzorek, R. Kruszka, K. D. Pągowska, Monika Kwoka, Jacek Szuber, T. Boll, K. Stiller, T. Wojtowicz, A. Piotrowska.
-Elektronika 2016 R. 57 nr 8, s. 75-80, bibliogr. 10 poz.. Punktacja MNiSW 8.000

tlenek cynku ; ZnO ; katodowe rozpylanie magnetronowe ; przezroczysta elektronika ; czujnik

zinc oxide ; ZnO ; magnetron sputtering ; transparent electronics ; sensor

7/175
Nr opisu: 0000120797   
Patent. Polska, nr 225 717. Układ geometryczno-elektryczny odwrotnej sondy Kelvina z wymuszeniem piezoelektrycznym z generatorem napięcia przemiennego. Int.Cl. G01N 27/22, G01N 27/60, G01R 19/145.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Paweł* Tomkiewicz, Aleksander* Miera, Jacek Szuber, A. Piotrowska.
Zgłosz. nr 407 213 z 17.02.2014. Opubl. 31.05.2017, 4 s.

sonda Kelvina ; napięcie przemienne ; generator napięcia

Kelvin probe ; alternating voltage ; voltage generator

8/175
Nr opisu: 0000103227   
Phenothiazines grafted on the electrode surface from diazonium salts as molecular layers for photochemical generation of singlet oxygen.
[Aut.]: Agata Blacha-Grzechnik, Katarzyna Piwowar, Piotr* Kościelniak, Monika Kwoka, Jacek Szuber, Jerzy** Żak.
-Electrochim. Acta 2015 vol. 182, s. 1085-1092, bibliogr. 41 poz.. Impact Factor 4.803. Punktacja MNiSW 40.000

tlen singletowy ; fenotiazyna ; wytwarzanie fotochemiczne ; elektroszczepienie ; fotouczulacz

singlet oxygen ; phenothiazine ; photochemical generation ; electrografting ; photosensitizer

9/175
Nr opisu: 0000103131   
XPS and AFM studies of surface chemistry and morphology of In2O3 ultrathin films deposited by rheotaxial growth and vacuum oxidation after air exposure.
[Aut.]: Piotr* Kościelniak, A. Grzeszczak, Jacek Szuber.
-Cryst. Res. Technol. 2015 vol. 50 iss. 11, s. 884-890, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 0.908. Punktacja MNiSW 20.000

tlenek indu ; In2O3 ; powłoka cienka ; RGVO ; chemia powierzchni ; XPS ; morfologia powierzchni ; AFM

indium oxide ; In2O3 ; ultrathin film ; RGVO ; surface chemistry ; XPS ; surface morphology ; AFM

10/175
Nr opisu: 0000104604
XPS studies of surface chemistry of pure and Nb-doped TiO2 nanotubes for gas sensor application.
[Aut.]: Monika Kwoka, V. Galstyan, E. Comini, Jacek Szuber.
W: IX International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2015, Zakopane, Poland, 13-16 December 2015. Programme, abstracts, info. [B.m.] : [b.w.], 2015, s. 42, bibliogr. 10 poz.

11/175
Nr opisu: 0000096287   
Comparative analysis of physico-chemical and gas sensing characteristics of two different forms of SnO2 films.
[Aut.]: Monika Kwoka, L. Ottaviano, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2014 vol. 326, s. 27-31, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 2.711. Punktacja MNiSW 35.000

dwutlenek cyny ; morfologia ; chemia ; odpowiedź czujnika

tin dioxide ; morphology ; chemistry ; sensor response

12/175
Nr opisu: 0000101036
Comparative analysis of the surface properties of tin dioxide SnO2 one-dimensional and two-diemnsional nanostructures. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Michał* Sitarz.
Gliwice, 2014, 79 k., bibliogr. 61 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki. Promotor: prof. dr hab. inż. Jacek Szuber, dr Monika Kwoka

nanostruktura SnO2 ; SnO2 ; dwutlenek cyny ; właściwości powierzchniowe ; analiza porównawcza

SnO2 nanostructure ; SnO2 ; tin dioxide ; surface properties ; comparative analysis

13/175
Nr opisu: 0000089552   
International Workshop on Semiconductor Surface Passivation.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Biul. Pol. Śl. 2014 nr 1, s. 24-25

Politechnika Śląska ; sprawozdanie konferencyjne ; International Workshop on Semiconductor Surface Passivation ; warsztaty

Silesian University of Technology ; conference report ; International Workshop on Semiconductor Surface Passivation ; workshop

14/175
Nr opisu: 0000093503   
Niskowymiarowe nanostruktury dwutlenku cyny SnO2 w sensoryce gazów.
[Aut.]: Monika Kwoka, Jacek Szuber.
-Elektronika 2014 R. 55 nr 9, s. 39-44, bibliogr. 4 poz.. Punktacja MNiSW 8.000

dwutlenek cyny ; SnO2 ; nanostruktura niskowymiarowa ; chemia powierzchni ; morfologia powierzchni ; charakterystyka sensorowa ; czujnik gazu

tin dioxide ; SnO2 ; low dimensional nanostructure ; surface chemistry ; surface morphology ; sensor characteristic ; gas sensor

15/175
Nr opisu: 0000093862
Niskowymiarowe nanostruktury SnO2 w sensoryce gazów.
[Aut.]: Monika Kwoka, Jacek Szuber.
W: Trzynasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 09-13.06.2014]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2014, s. 99
Pełny tekst na CD-ROM

struktura 2D ; struktura 1D ; dwutlenek cyny ; chemia ogólna ; morfologia ; sensoryka NO2

2D structure ; 1D structure ; tin dioxide ; general chemistry ; morphology ; NO2 sensor

16/175
Nr opisu: 0000093864
Optymalizacja konstrukcji i warunków pracy demonstratora sensora gazów toksycznych opartego na zjawisku fotonapięcia powierzchniowego.
[Aut.]: Aleksander* Miera, Jacek Szuber, P. Tomkiewicz, A. Piotrowska, M. Borysiewicz, E. Kamińska, Maciej Setkiewicz.
W: Trzynasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 09-13.06.2014]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2014, s. 105-106 + tekst na CD-ROM, bibliogr. 2 poz.
Pełny tekst na CD-ROM

fotonapięcie powierzchniowe ; sensor gazów ; gaz toksyczny

surface photovoltage ; gas sensor ; toxic gas

17/175
Nr opisu: 0000096264   
Preface.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2014 vol. 301 spec. iss., s. 1
Zeszyt zawiera materiały z: 8th International Workshop on Semiconductor Surface Passivation, SSP 2013, Krakow, Poland

18/175
Nr opisu: 0000091089   
Surface chemistry of SnO2 nanowires on Ag-catalyst-covered Si substrate studied using XPS and TDS methods.
[Aut.]: Michał* Sitarz, Monika Kwoka, E. Comini, D. Zappa, Jacek Szuber.
-Nanoscale Res. Lett. 2014 vol. 9 iss. 1, s. 1-6, bibliogr. 24 poz.. Impact Factor 2.779. Punktacja MNiSW 35.000

SnO2 ; nanodruty ; Ag ; chemia powierzchni ; XPS ; TDS ; morfologia powierzchni ; SEM

SnO2 ; nanowires ; Ag ; surface chemistry ; XPS ; TDS ; surface morphology ; SEM

19/175
Nr opisu: 0000096259   
XPS, TDS, and AFM studies of surface chemistry and morphology of Ag-covered L-CVD SnO2 nanolayers.
[Aut.]: Monika Kwoka, L. Ottaviano, Piotr* Kościelniak, Jacek Szuber.
-Nanoscale Res. Lett. 2014 vol. 9 iss. 1, s. 1-6, bibliogr. 13 poz.. Impact Factor 2.779. Punktacja MNiSW 35.000

dwutlenek cyny ; SnO2 ; powłoki cienkie L-CVD ; domieszkowanie Ag ; chemia powierzchni ; morfologia powierzchni ; XPS ; TDS ; AFM

tin dioxide ; SnO2 ; L-CVD thin films ; Ag-doping ; surface chemistry ; surface morphology ; XPS ; TDS ; AFM

20/175
Nr opisu: 0000087782   
Badania wybranych nanostruktur SnO2 w aspekcie zastosowań sensorowych.
[Aut.]: Monika Kwoka, Jacek Szuber.
-Elektronika 2013 R. 54 nr 9, s. 17-19, bibliogr. 11 poz.. Punktacja MNiSW 8.000

tlenek przewodzący ; dwutlenek cyny ; nanostruktura ; właściwości sensorowe

conductive oxide ; tin dioxide ; nanostructure ; sensor properties

21/175
Nr opisu: 0000093837
Badania wybranych nanostruktur SnO2 w aspekcie zastosowań sensorowych.
[Aut.]: Monika Kwoka, Jacek Szuber.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 180 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

SnO2 ; nanostruktura SnO2 ; właściwości sensorowe

SnO2 ; SnO2 nanostructure ; sensor properties

22/175
Nr opisu: 0000093843
Demonstrator sensora gazów toksycznych oparty na zjawisku fotonapięcia powierzchniowego.
[Aut.]: P. Tomkiewicz, Jacek Szuber, Aleksander* Miera, M. Borysiewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, Maciej Setkiewicz.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 199 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

sensor gazu ; fotonapięcie powierzchniowe ; gaz toksyczny

gas sensor ; surface photovoltage ; toxic gas

23/175
Nr opisu: 0000113757
Influence of nitrogen implantation on electrical properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS structure.
[Aut.]: K. Król, M. Sochacki, M. Turek, J. Zuk, M. Przewlocki, T. Gutt, P. Borowicz, M. Guziewicz, Jacek Szuber, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, J. Szmidt.
W: Silicon carbide and related materials 2012. Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation. Ed. by Alexander A. Lebedev, Sergey Yu. Davydov, Pavel A. Ivanov and Mikhail E. Levinshtein. Durnten-Zurich : Trans Tech Publications, 2013, s. 733-736, bibliogr. 6 poz. (Materials Science Forum ; vol. 740/742 0255-5476)

implantacja jonów ; węglik krzemu ; utlenianie termiczne

ion implantation ; silicon carbide ; thermal oxidation ; ion implantation damage

24/175
Nr opisu: 0000078029   
International Workshop on Semiconductor Gas Sensors.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Biul. Pol. Śl. 2013 nr 1, s. 30-31

International Workshop on Semiconductor Gas Sensors ; sprawozdanie konferencyjne ; Europejskie Centrum Doskonałości CESIS ; Instytut Elektroniki ; Politechnika Śląska

International Workshop on Semiconductor Gas Sensors ; conference report ; Europejskie Centrum Doskonałości CESIS ; Institute of Electronics ; Silesian University of Technology

25/175
Nr opisu: 0000088526   
Preface.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2013 vol. 548, s. 664

26/175
Nr opisu: 0000082758
Redukcja stanów pułapkowych w strukturze MOS 4H-SiC(0001) pod wpływem implantacji azotu - wpływ profilu implantacji.
[Aut.]: K. Król, M. Sochacki, W. Strupiński, M. Turek, J. Żuk, P. Borowicz, H. Przewłocki, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, Jacek Szuber, J. Szmidt.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2013. XI Konferencja naukowa, Ryn, 10-20 kwietnia 2013. [Dokument elektroniczny]. Warszawa : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, 2013, dysk optyczny (CD-ROM) s. 155-156, bibliogr. 3 poz.

stan pułapkowy ; implantacja jonów ; struktura MOS

trapping state ; ion implantation ; MOS structure

27/175
Nr opisu: 0000089092
Surface properties of the 1D and 2D SnO2 nanostructures.
[Aut.]: Monika Kwoka, Michał* Sitarz, L. Ottaviano, E. Comini, D. Zappa, Jacek Szuber.
W: Proceedings of 8th Solid State Surfaces and Interfaces. 8th SSSI, Smolenice Castle, Slovak Republik, November 25-28, 2013. Extended abstract book. Ed. R. Brunner. Bratislava : Comenius University, 2013, s. 86, bibliogr. 4 poz.

28/175
Nr opisu: 0000082736
Charakteryzacja właściwości chemicznych, optycznych i elektronowych pasywowanych in-situ powierzchni n-GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Alina Domanowska, Piotr* Kościelniak, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Michał* Sitarz, Jacek Szuber, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube.
W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 152
Pełny tekst na CD-ROM

azotek galu ; pasywacja ; stan powierzchniowy ; skład chemiczny

gallium nitride ; passivation ; surface condition ; chemical composition

29/175
Nr opisu: 0000071977
Comparative analysis of surface properties of selected SnO2 nanostructures.
[Aut.]: Monika Kwoka, Michał* Sitarz, Piotr* Kościelniak, Jacek Szuber.
W: Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 1

30/175
Nr opisu: 0000083452
Determination of surface states and electronic parameters of air-exposed CuPc thin films.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Maciej Krzywiecki, Jacek Szuber.
W: VIII International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2012, Cracow, Poland, 11-15 September 2012. Programme & abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 50, bibliogr. 7 poz.

31/175
Nr opisu: 0000083455
Influence of oxidation conditions on surface composition and morphology of RGVO In2O3 ultrathin films.
[Aut.]: Piotr* Kościelniak, Michał* Sitarz, E. Comini, Erwin Maciak, Jacek Szuber.
W: VIII International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2012, Cracow, Poland, 11-15 September 2012. Programme & abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 53, bibliogr. 7 poz.

32/175
Nr opisu: 0000071982
Optimization of technology for deposition of ultrathin SnO2 films by spin-coating method.
[Aut.]: Krzysztof Waczyński, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, Michał* Sitarz, Jacek Szuber.
W: Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 1, bibliogr. 6 poz.

33/175
Nr opisu: 0000082740
Optymalizacja technologii osadzania nanowarstw SnO2 metodą rozwirowywania z roztworów (spin-coating).
[Aut.]: Jacek Szuber, Krzysztof Waczyński, Monika Kwoka, Michał* Sitarz, Natalia Waczyńska-Niemiec, Piotr* Kościelniak.
W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 159
Pełny tekst na CD-ROM

SnO2 ; nanowarstwa ; spin-coating ; technologia osadzania

SnO2 ; nanolayer ; spin-coating ; deposition technology

34/175
Nr opisu: 0000075136
Optymalizacja technologii reotaksjalnego osadzania cienkich warstw wybranych tlenków przewodzących w aspekcie zastosowań sensorowych.
[Aut.]: Jacek Szuber, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, Michał* Sitarz.
W: Czujniki optoelektroniczne i elektroniczne. COE'2012. XII Konferencja naukowa, Karpacz, 24-27 czerwca 2012. Politechnika Wrocławska. [B.m] : [b.w.], 2012, s. 38, bibliogr. 5 poz.

tlenki przewodzące ; dwutlenek cyny ; trójtlenek indu ; technologia RGTO ; nanowarstwa

conductive oxides ; tin dioxide ; indium trioxide ; RGTO technology ; nanolayer

35/175
Nr opisu: 0000071028   
Pedot brushes electrochemically synthesized on thienyl-modified glassy carbon surfaces.
[Aut.]: Agata Blacha, Piotr* Kościelniak, Michał* Sitarz, Jacek Szuber, Jerzy** Żak.
-Electrochim. Acta 2012 vol. 62, s. 441-446, bibliogr. 27 poz.. Impact Factor 3.777. Punktacja MNiSW 35.000

elektropolimeryzacja ; redukcja elektrochemiczna ; sól diazoniowa ; szczotka polimerowa ; EDOT

electropolymerization ; electrochemical reduction ; diazonium salt ; polymer brush ; EDOT

36/175
Nr opisu: 0000082832   
Photoemission studies of the surface electronic properties of L-CVD SnO2 ultra thin films.
[Aut.]: Monika Kwoka, L. Ottaviano, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2012 vol. 258 iss. 21, s. 8425-8429, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 2.112. Punktacja MNiSW 30.000

cienka powłoka L-CVD ; poziom Fermiego ; dwutlenek cyny

L-CVD thin film ; Fermi level ; tin dioxide

37/175
Nr opisu: 0000077211   
Photoemission study of the Si(1 1 1)-native SiO2/copper phthalocyanine (CuPc) ultra-thin film interface.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Maciej Krzywiecki, H. Peisert, T. Chasse, Jacek Szuber.
-Org. Electron. 2012 vol. 13 iss. 10, s. 1873-1880, bibliogr. 44 poz.. Impact Factor 3.836. Punktacja MNiSW 40.000

półprzewodnik organiczny ; ftalocyjaniny ; powierzchnia organiczna ; powierzchnia nieorganiczna

organic semiconductor ; phthalocyanines ; organic interface ; inorganic interface ; silicon native substrate

38/175
Nr opisu: 0000083460
SEM, XPS and TDS studies of surface properties of SNO2 nanowires prepared on Ag and Au catalyst layers deposited on Si substrate.
[Aut.]: Michał* Sitarz, E. Comini, Monika Kwoka, D. Zappa, Piotr* Kościelniak, Jacek Szuber.
W: VIII International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2012, Cracow, Poland, 11-15 September 2012. Programme & abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 58, bibliogr. 4 poz.

39/175
Nr opisu: 0000080672   
The effect of Si substrate preparation on surface morphology and surface composition of In2O3 ultrathin films deposited by rheotaxial growth and vacuum oxidation.
[Aut.]: Piotr* Kościelniak, Michał* Sitarz, Erwin Maciak, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2012 vol. 258 iss. 21, s. 8419-8424, bibliogr. 34 poz.. Impact Factor 2.112. Punktacja MNiSW 30.000

powłoka cienka ; RGVO ; XPS ; AFM ; tlenek indu

ultrathin film ; RGVO ; XPS ; AFM ; indium oxide

40/175
Nr opisu: 0000083459
XPS and TDS comparative studies of the surface chemistry of Ag-doped L-CVD SnO2 nanolayers and SnO2 nanowires after air exposure.
[Aut.]: Monika Kwoka, Michał* Sitarz, L. Ottaviano, E. Comini, D. Zappa, Jacek Szuber.
W: VIII International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2012, Cracow, Poland, 11-15 September 2012. Programme & abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 55, bibliogr. 3 poz.

41/175
Nr opisu: 0000077215   
Comparative study of surface morphology of copper phthalocyanine ultra thin films deposited on Si (111) native and RCA-cleaned substrates.
[Aut.]: Maciej Krzywiecki, Lucyna Grządziel, Jerzy Bodzenta, Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2012 vol. 520 iss. 11, s. 3965-3970, bibliogr. 35 poz.. Impact Factor 1.890. Punktacja MNiSW 30.000

półprzewodnik organiczny ; ftalocyjanina miedzi ; warstwa cienka ; mikroskopia sił atomowych ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; obróbka RCA

organic semiconductor ; copper phthalocyanine ; thin film ; atomic force microscopy ; X-ray photoelectron spectroscopy ; RCA treatment ; silicon native substrate

42/175
Nr opisu: 0000063754   
Influence of ambient air exposure on surface chemistry and electronic properties of thin copper phthalocyanine sensing layers.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Maciej Krzywiecki, H. Peisert, T. Chasse, Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2011 vol. 519 iss. 7, s. 2187-2192, bibliogr. 41 poz.. Impact Factor 1.890. Punktacja MNiSW 30.000

półprzewodnik organiczny ; ftalocyjanina miedzi ; warstwa cienka ; właściwości elektroniczne ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; spektroskopia fotoelektronów w nadfiolecie

organic semiconductor ; copper phthalocyanine ; thin film ; electronic properties ; X-ray photoelectron spectroscopy ; ultraviolet photoelectron spectroscopy

43/175
Nr opisu: 0000078666
Nanotechnologia materiałów tlenkowych dla elektroniki.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Pr. Komis. Nauk. PAN Katow. 2011 nr 34/35, s. 158-160

nanotechnologia ; materiał tlenkowy ; nanostruktura SnO2

nanotechnology ; oxide material ; SnO2 nanostructure

44/175
Nr opisu: 0000084473   
Optymalizacja technologii osadzania reotaksjalnego nanowarstw wybranych przezroczystych tlenków przewodzących.
[Aut.]: Jacek Szuber, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak.
W: V Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2011, Gdańsk, 3-7 lipca 2011. Streszczenia wystąpień. Pod red. Jarosława Rybickiego i Wojciecha Sadowskiego. Gdańsk : TASK Publishing, 2011, s. 89-90, bibliogr. 6 poz.

nanowarstwa ; tlenek przewodzący ; SEM ; AFM

nanolayer ; conductive oxide ; SEM ; AFM

45/175
Nr opisu: 0000068351   
Optymalizacja technologii reotaksjalnego osadzania nanowarstw wybranych przezroczystych tlenków przewodzących.
[Aut.]: Jacek Szuber, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, Michał* Sitarz.
-Elektronika 2011 R. 52 nr 9, s. 25-27, bibliogr. 6 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

nanowarstwa ; SEM ; AFM ; tlenki przewodzące

nanolayer ; SEM ; AFM ; conductive oxides

46/175
Nr opisu: 0000082099
Optymalizacja technologii RGTO osadzania bardzo cienkich warstw wybranych przezroczystych tlenków przewodzących.
[Aut.]: Jacek Szuber, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 131
Pełny tekst na CD-ROM

tlenek przewodzący ; SnO2 ; In2O3 ; warstwa cienka ; nanowarstwa ; stechiometria ; morfologia powierzchni ; AFM ; XPS ; SEM

conductive oxide ; SnO2 ; In2O3 ; thin film ; nanolayer ; stoichiometry ; surface morphology ; AFM ; XPS ; SEM

47/175
Nr opisu: 0000071142   
Preface.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2011 vol. 520 iss. 3, s. 897
Zeszyt zawiera materiały z: 7th International Workshop on Semiconductor Gas Sensors

48/175
Nr opisu: 0000071525   
X-ray photoelectron spectroscopy and thermal desorption spectroscopy comparative studies of L-CVD SnO2 ultra thin films.
[Aut.]: Monika Kwoka, Natalia Waczyńska, Piotr* Kościelniak, Michał* Sitarz, Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2011 vol. 520 iss. 3, s. 913-917, bibliogr. 29 poz.. Impact Factor 1.890. Punktacja MNiSW 30.000

dwutlenek cyny ; L-CVD ; powłoka cienka ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; XPS ; profilowanie głębokościowe ; spektroskopia termodesorpcyjna ; chemia powierzchni

tin dioxide ; L-CVD ; ultrathin film ; X-ray photoelectron spectroscopy ; XPS ; depth profiling ; thermal desorption spectroscopy ; surface chemistry

49/175
Nr opisu: 0000071524   
XPS and AFM studies of surface chemistry and morphology of In2O3 ultrathin films deposited by rheotaxial growth and vacuum oxidation.
[Aut.]: Piotr* Kościelniak, Jacek* Mazur, J. Henek, Monika Kwoka, Ł. Pawela, Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2011 vol. 520 iss. 3, s. 927-931, bibliogr. 36 poz.. Impact Factor 1.890. Punktacja MNiSW 30.000

In2O3 ; RGVO ; chemia powierzchni ; XPS ; morfologia powierzchni ; AFM

In2O3 ; RGVO ; surface chemistry ; XPS ; surface morphology ; AFM

50/175
Nr opisu: 0000069288
Effect of long term air exposure on surface chemistry and electronic properties of CuPc ultra thin sensing layer.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Maciej Krzywiecki, T. Chasse, Jacek Szuber.
W: VII International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2010, Kraków, Poland, 12-16 September 2010. Programme and abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2010, s. 50

51/175
Nr opisu: 0000063356   
Influence of Si substrate preparation on surface chemistry and morphology of L-CVD SnO2 thin films studied by XPS and AFM.
[Aut.]: Monika Kwoka, L. Ottaviano, Natalia Waczyńska, S. Santucci, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2010 vol. 256 iss. 19, s. 5771-5775, bibliogr. 25 poz.. Impact Factor 1.795

dwutlenek cyny ; cienka powłoka L-CVD ; podłoże krzemowe ; morfologia powierzchni ; mikroskopia sił atomowych ; AFM ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; XPS

tin dioxide ; L-CVD thin film ; surface morphology ; atomic force microscopy ; AFM ; X-ray photoelectron spectroscopy ; XPS

52/175
Nr opisu: 0000069311
Influence of substrate doping on surface morphology of CuPc ultra thin films deposition on Si (111) RCA-treated substrates.
[Aut.]: Maciej Krzywiecki, Lucyna Grządziel, Jerzy Bodzenta, H. Peisert, T. Chasse, Jacek Szuber.
W: VII International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2010, Kraków, Poland, 12-16 September 2010. Programme and abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2010, s. 56

53/175
Nr opisu: 0000070114
Nanoforms of SnO2 for microelectronics application.
[Aut.]: Jacek Szuber, Monika Kwoka.
W: Symposium on Surface and Interface of Advanced Thin Films. SIATF 2010, Kraków, Poland, 16-17 September 2010. Programme and abstracts. Ed. ed. Nhu-Tarnawska Hoa Kim Ngan. [Kraków] : [Pedagogical University. Faculty of Mathematics-Physics-Techniques], 2010, s. 16

54/175
Nr opisu: 0000084565
Nanostruktury dwutlenku cyny SnO2 w zastosowaniach sensorowych.
[Aut.]: Jacek Szuber, Monika Kwoka.
W: Czujniki optoelektroniczne i elektroniczne. COE 2010. XI Konferencja naukowa, Nałęczów, 20-23 czerwca 2010. Streszczenia. [Dokument elektroniczny]. [B.m.] : [b.w.], 2010, dysk optyczny (CD-ROM) s. 63, bibliogr. 7 poz.

SnO2 ; nanostruktura ; nanosensor ; czujnik gazowy ; czujnik półprzewodnikowy

SnO2 ; nanostructure ; nanosensor ; gas sensor ; semiconductor sensor

55/175
Nr opisu: 0000070273   
Nanowarstwy dwutlenku cyny SnO2 w aspekcie zastosowań w mikroelektronice.
[Aut.]: Jacek Szuber, Monika Kwoka.
W: IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010, s. 68, bibliogr. 11 poz.

mikroelektronika ; dwutlenek cyny ; nanowarstwa ; warstwa cienka

microelectronics ; tin dioxide ; nanolayer ; thin coating

56/175
Nr opisu: 0000070118
Preparation and characterization of SnO2 nanostructures for microelectronics application.
[Aut.]: Jacek Szuber, Monika Kwoka.
W: 7th Solid State Surfaces and Interfaces. SSSI 2010, Smolenice, Slovakia, 22-25 November, 2010. Extended abstract book. [B.m.] : [b.w.], 2010, s. 31-32

57/175
Nr opisu: 0000063315
Preparation of clean GaAs substrate for MBE by atomic hydrogen beam.
[Aut.]: Jacek Szuber.
W: 10th Electron Technology Conference ELTE 2010 and 34th International Microelectronics and Packaging IMAPS-CPMT Poland Conference, Wrocław, 22-25 September 2010. Book of abstracts. Eds: A. Dziedzic, K. Malecha, J. Radojewski. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2010, s. 127, bibliogr. 11 poz.

58/175
Nr opisu: 0000058364   
X-ray Photoelectron Spectroscopy characterization of native and RCA-treated Si (111) substrates and their influence on surface chemistry of copper phthalocyanine thin films.
[Aut.]: Maciej Krzywiecki, Lucyna Grządziel, H. Peisert, I. Biswas, T. Chasse, Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2010 vol. 518 iss. 10, s. 2688-2694, bibliogr. 37 poz.. Impact Factor 1.935

warstwa cienka ; półprzewodnik organiczny ; spektroskopia fotoemisyjna ; promieniowanie rentgenowskie

thin film ; organic semiconductor ; photoemission spectroscopy ; X-ray

59/175
Nr opisu: 0000071753   
XPS and AFM studies of surface chemistry and morphology of In2O3 ultrathin films deposited by rheotaxial growth and vacuum oxidation.
[Aut.]: Piotr* Kościelniak, Jacek* Mazur, J. Henek, Monika Kwoka, L. Pawela, Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2010 vol. 520 iss. 3, s. 927-931, bibliogr. 36 poz.. Impact Factor 1.935

In2O3 ; RGVO ; XPS ; chemia powierzchni ; morfologia powierzchni ; AFM

In2O3 ; RGVO ; XPS ; surface chemistry ; surface morphology ; AFM

60/175
Nr opisu: 0000069313
XPS and TPD-MS Comparative studies of L-CVD SnO2 ultra thien films.
[Aut.]: Monika Kwoka, Natalia Waczyńska, Piotr* Kościelniak, Jacek Szuber.
W: VII International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2010, Kraków, Poland, 12-16 September 2010. Programme and abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2010, s. 58

61/175
Nr opisu: 0000069312
XPX and AFM studies of initial state of Sn deposition on Si substrate for preparation of SnO2 nanolayers for gas sensor application.
[Aut.]: Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, Jacek Szuber.
W: VII International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2010, Kraków, Poland, 12-16 September 2010. Programme and abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2010, s. 57

62/175
Nr opisu: 0000069310
XPX and AFM studies of surface chemistry and morphology of In2O3 nanolayers deposited by rheotaxial growth and vacuum oxidation.
[Aut.]: Piotr* Kościelniak, Jacek* Mazur, J. Henel, Ł. Pawela, Monika Kwoka, Jacek Szuber.
W: VII International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2010, Kraków, Poland, 12-16 September 2010. Programme and abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2010, s. 55

63/175
Nr opisu: 0000059231
AFM studies of surface morphology of GaAs(100) surface after sulfide passivation.
[Aut.]: Piotr* Kościelniak, L. Ottaviano, S. Arabasz, Jacek Szuber.
W: VI International Workshop on Semiconductor Surface Passivation, Zakopane, Poland, September 13-18, 2009. [B.m.] : [b.w.], 2009, s. 52

64/175
Nr opisu: 0000056850   
Influence of substrate doping on the surface chemistry and morphology of Copper Phthalocyanine ultra thin films on Si (111) substrates.
[Aut.]: Maciej Krzywiecki, L. Ottaviano, Lucyna Grządziel, P. Parisse, S. Santucci, Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2009 vol. 517 iss. 5, s. 1630-1635, bibliogr. 15 poz.

półprzewodnik organiczny ; ftalocyjanina miedzi ; warstwa cienka ; właściwości powierzchniowe ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; mikroskopia sił atomowych

organic semiconductor ; copper phthalocyanine ; thin film ; surface properties ; X-ray photoelectron spectroscopy ; atomic force microscopy

65/175
Nr opisu: 0000058962
Influence of substrate preparation on surface chemistry and morphology of L-CVD SnO2 thin films studied by XPS and AFM.
[Aut.]: Monika Kwoka, L. Ottaviano, Natalia Waczyńska, Jacek Szuber.
W: VI International Workshop on Semiconductor Surface Passivation, Zakopane, Poland, September 13-18, 2009. [B.m.] : [b.w.], 2009, s. 53

66/175
Nr opisu: 0000056438   
Local surface morphology and chemistry of SnO2 thin films deposited by rheotaxial growth and thermal oxidation method for gas sensor application.
[Aut.]: L. Ottaviano, Monika Kwoka, F. Bisti, P. Parisse, V. Grossi, S. Santucci, Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2009 vol. 517 iss. 22, s. 6161-6169, bibliogr. 29 poz.. Impact Factor 1.727

dwutlenek cyny ; RGTO ; podłoże krzemowe ; stechiometria ; dyfrakcja rentgenowska ; wytrzymałość na zginanie ; mikroskopia sił atomowych ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów

tin dioxide ; Rheological Growth and Thermal Oxidation (RGTO) ; surface morphology ; stoichiometry ; X-ray diffraction ; scanning electron microscopy ; atomic force microscopy ; X-ray photoelectron spectroscopy

67/175
Nr opisu: 0000059232
Photoemission study of Si(111)-native SiO2/CuPc ultra thin film interface.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Maciej Krzywiecki, H. Peisert, T. Chasse, Jacek Szuber.
W: VI International Workshop on Semiconductor Surface Passivation, Zakopane, Poland, September 13-18, 2009. [B.m.] : [b.w.], 2009, s. 50

68/175
Nr opisu: 0000059230
SPS and PYS studies of electronic properties of GaAs surface cleaned by atomic hydrogen.
[Aut.]: P. Tomkiewicz, Jacek Szuber.
W: VI International Workshop on Semiconductor Surface Passivation, Zakopane, Poland, September 13-18, 2009. [B.m.] : [b.w.], 2009, s. 45

69/175
Nr opisu: 0000056791   
Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Mizsei, D. Zahn, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
-Surf. Sci. 2009 vol. 603 iss. 3, s. 498-502, bibliogr. 39 poz.. Impact Factor 1.798

Gats ; pasywacja ; chlorek siarki ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotonapięcie powierzchniowe ; potencjał styku ; sonda Kelvina

Gats ; passivation ; sulphur chloride ; interface ; Fermi level ; surface photovoltage ; contact potential ; Kelvin probe

70/175
Nr opisu: 0000073359
Zastosowanie wiązki atomowego wodoru do oczyszczania podłoży GaAs dla celów MBE.
[Aut.]: Jacek Szuber.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 71, bibliogr. 13 poz.

wodór atomowy ; MBE ; podłoże GaAs ; nanowarstwa

atomic hydrogen ; MBE ; GaAs base ; nanolayer

71/175
Nr opisu: 0000047690   
Analysis of mechanism of carbon removal from GaAs(1 0 0) surface by atomic hydrogen.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, A. Winkler, Maciej Krzywiecki, T. Chasse, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 8035-8040, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 1.576

GaAs ; oczyszczanie ; wytrawianie ; wodór atomowy ; spektroskopia elektronów Augera ; spektrometria mas ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów

GaAs ; cleaning ; etching ; atomic hydrogen ; Auger electron spectroscopy ; mass spectrometry ; X-ray photoelectron spectroscopy

72/175
Nr opisu: 0000047684   
Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(1 0 0) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 8046-8049, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.576

InP ; wyżarzanie ; pasywacja ; oczyszczanie ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotoluminescencja ; MISFET

InP ; annealing ; passivation ; cleaning ; interface ; Fermi level ; photoluminescence ; MISFET

73/175
Nr opisu: 0000049014   
V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation - preface.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 7999

74/175
Nr opisu: 0000048128   
XPS study of air exposed copper phthalocyanine ultra-thin films deposited on Si(111) native substrates.
[Aut.]: Maciej Krzywiecki, L. Grzadziel, L. Ottaviano, P. Parisse, S. Santucci, Jacek Szuber.
-Mater. Sci. Pol. 2008 vol. 26 no. 2, s. 287-294, bibliogr. 21 poz.. Impact Factor 0.368

ftalocyjanina miedzi ; CuPc ; warstwa cienka ; chemia powierzchni

copper phthalocyanine ; CuPc ; thin film ; surface chemistry

75/175
Nr opisu: 0000047687   
XPS study of the surface chemistry of Ag-covered L-CVD SnO2 thin films.
[Aut.]: Monika Kwoka, L. Ottaviano, M. Passacantando, G. Czempik, S. Santucci, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 8089-8092, bibliogr. 13 poz.. Impact Factor 1.576

dwutlenek cyny ; cienka powłoka L-CVD ; domieszkowanie Ag ; XPS ; chemia powierzchni ; profilowanie głębokościowe

tin dioxide ; L-CVD thin film ; Ag-doping ; XPS ; surface chemistry ; depth profiling

76/175
Nr opisu: 0000039992   
AFM study of the surface morphology of L-CVD SnO2 thin films.
[Aut.]: Monika Kwoka, L. Ottaviano, Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2007 vol. 515 iss. 23, s. 8328-8331, bibliogr. 14 poz.. Impact Factor 1.693

dwutlenek cyny ; cienka powłoka L-CVD ; mikroskopia sił atomowych ; morfologia powierzchni

tin dioxide ; L-CVD thin film ; atomic force microscopy ; surface morphology

77/175
Nr opisu: 0000047757
Analysis of the mechanism of cleaning process of GaAs(100) surface by atomic hydrogen.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Maciej Krzywiecki, A. Winkler, T. Chasse, Jacek Szuber.
W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 63, bibliogr. 7 poz.

78/175
Nr opisu: 0000076035
Nanoforms of SnO2 for gas sensor application.
[Aut.]: Jacek Szuber, Monika Kwoka.
W: IX Electron Technology Conference. ELTE 2007, Kraków, 4-7.09.2007. Book of abstracts. Eds: K. Zakrzewska [et al.]. Kraków : Przedsiębiorstwo Wielobranżowe STABIL, 2007, s. 126, bibliogr. 9 poz.

79/175
Nr opisu: 0000041334   
Preface.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2007 vol. 515 iss. 23, s. 8301
Zeszyt zawiera materiały z: 5th International Workshop on Semiconductor Gas Sensors - SGS'2006, Ustroń, Poland, 10-13 September 2006

80/175
Nr opisu: 0000047880
Space charge layer properties of wet sulfide treated GaAs sample.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, J. Mizsei, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 64, bibliogr. 5 poz.

81/175
Nr opisu: 0000076044
Studies of electronic properties of CuPc ultrathin films.
[Aut.]: Maciej Krzywiecki, Lucyna Grządziel, Jacek Szuber.
W: IX Electron Technology Conference. ELTE 2007, Kraków, 4-7.09.2007. Book of abstracts. Eds: K. Zakrzewska [et al.]. Kraków : Przedsiębiorstwo Wielobranżowe STABIL, 2007, s. 199, bibliogr. 7 poz.

82/175
Nr opisu: 0000036413   
Studies of surface properties of L-CVD SnO2 thin films. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Monika Kwoka.
Gliwice, 2007, 128 k., bibliogr. 84 poz. + zał.: 46 k.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: prof. dr hab. inż. Jacek Szuber

cienka warstwa SnO2 ; cienka powłoka L-CVD ; dwutlenek cyny ; spektroskopia fotoelektronowa ; mikroskopia sił atomowych ; chemia powierzchni ; własności elektronowe ; morfologia powierzchni ; osadzanie

SnO2 thin film ; L-CVD thin film ; tin dioxide ; photoelectron spectroscopy ; atomic force microscopy ; surface chemistry ; electronic properties ; surface morphology ; deposition

83/175
Nr opisu: 0000047881
Surface state density distribution of INP(100) surface as derived from rigorous analysis of PL efficiency.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa, Jacek Szuber.
W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 65, bibliogr. 6 poz.

84/175
Nr opisu: 0000076043
XRD and XPS comparative studies of stoichiometry of RGTO SnO2 thin films for gas sensor application.
[Aut.]: Monika Kwoka, L. Ottaviano, P. Parissi, F. Bisti, Jacek Szuber.
W: IX Electron Technology Conference. ELTE 2007, Kraków, 4-7.09.2007. Book of abstracts. Eds: K. Zakrzewska [et al.]. Kraków : Przedsiębiorstwo Wielobranżowe STABIL, 2007, s. 198, bibliogr. 7 poz.

85/175
Nr opisu: 0000025450   
Comparative photoemission study of the electronic properties of L-CVD SnO2 thin films.
[Aut.]: Monika Kwoka, L. Ottaviano, M. Passacantando, G. Czempik, S. Santucci, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7734-7738, bibliogr. 23 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

dwutlenek cyny ; powłoka cienka ; nakładanie L-CVD ; właściwości elektroniczne warstwy ładunku przestrzennego ; poziom Fermiego ; elektroniczne pasmo wzbronione

tin dioxide ; thin film ; L-CVD deposition ; electronic properties of space charge layer ; Fermi level ; electronic band gap

86/175
Nr opisu: 0000025449   
Comparative study of the GaAs(1 0 0) surface cleaned by atomic hydrogen.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, A. Winkler, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7647-7658, bibliogr. 58 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

GaAs ; wodór atomowy ; spektroskopia elektronów Augera ; spektrometria masowa ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; funkcja pracy ; potencjał jonizacyjny

GaAs ; atomic hydrogen ; Auger electron spectroscopy ; mass spectrometry ; surface states ; Fermi level ; work function ; ionization potential

87/175
Nr opisu: 0000023050
Influence of ambient air exposure on the surface chemistry and electronic properties of CuPc thin films.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, M. Krzywicki, L. Zhang, H. Peisert, T. Chasse, Jacek Szuber.
W: V International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2006, Ustroń, Poland, September 10-13, 2006. Programme and abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2006, s. 43, bibliogr. 5 poz.

88/175
Nr opisu: 0000021188   
Micro-Raman spectroscopy of disordered and ordered sulfur phases on a passivated GaAs surface.
[Aut.]: Tomasz Błachowicz, G. Salvan, D. Zahn, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 nr 21, s. 7642-7646, bibliogr. 18 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

arsenek galu ; pasywacja siarki ; spektroskopia Ramana ; morfologia powierzchni ; (NH4)2Sx ; S2Cl2

gallium arsenide ; sulfur passivation ; Raman spectroscopy ; surface morphology ; (NH4)2Sx ; S2Cl2

89/175
Nr opisu: 0000040010   
Phenomenological and spectroscopic studies on gas detection mechanism of selected gases with tin dioxide based sensors. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Dorota* Koziej.
Gliwice, 2006, 137 k., bibliogr. 160 poz. + zał. : 36 k.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. University of Tubingen. Faculty of Chemistry and Pharmacy. Promotor: prof. dr hab. inż. Jacek Szuber, dr hab. U. Weimar

fenomenologia ; spektroskopia ; czujnik gazu ; detekcja gazu ; dwutlenek cyny

phenomenology ; spectroscopy ; gas sensor ; gas detection ; tin dioxide

90/175
Nr opisu: 0000025452   
Preface.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7599
Zeszyt zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005

91/175
Nr opisu: 0000025385   
Spectroscopic insights into CO sensing of undoped and palladium doped tin dioxide sensors derived from hydrothermally treated tin oxide sol.
[Aut.]: Dorota* Koziej, N. Barsan, K. Shimanoe, N. Yamazoe, Jacek Szuber, U. Weimar.
-Sens. Actuators, B Chem. 2006 vol. 118 iss. 1/2, s. 98-104, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 2.331

odczyt CO ; domieszka ; SnO2 ; podczerwień

CO sensing ; admixture ; SnO2 ; infrared

92/175
Nr opisu: 0000023051
Surface morphology of L-CVD SnO2 thin films for gas sensor application.
[Aut.]: Monika Kwoka, L. Ottaviano, M. Passacantando, S. Santucci, Jacek Szuber.
W: V International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2006, Ustroń, Poland, September 10-13, 2006. Programme and abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2006, s. 46

93/175
Nr opisu: 0000021607   
Water-oxygen interplay on tin dioxide surface. Implication on gas sensing.
[Aut.]: Dorota* Koziej, N. Barsan, U. Weimar, Jacek Szuber, K. Shimanoe, N. Yamazoe.
-Chem. Phys. Lett. 2005 vol. 410 iss. 4/6, s. 321-323, bibliogr. 19 poz.. Impact Factor 2.462

94/175
Nr opisu: 0000025453   
XPS analysis of surface chemistry of near surface region of epiready GaAs(1 0 0) surface treated with (NH4)2Sx solution.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7659-7663, bibliogr. 32 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

GaAs ; pasywacja ; XPS ; siarkowanie

GaAs ; passivation ; XPS ; sulfidation

95/175
Nr opisu: 0000025442   
XPS depth profiling studies of L-CVD SnO2 thin films.
[Aut.]: Monika Kwoka, L. Ottaviano, M. Passacantando, S. Santucci, Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7730-7733, bibliogr. 14 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

dwutlenek cyny ; powłoka cienka ; profilowanie głębokościowe ; XPS

tin dioxide ; thin film ; depth profiling ; XPS

96/175
Nr opisu: 0000023052
XPS studies of surface chemistry and electronic properties of Ag-doped L-VCD SnO2 thin films.
[Aut.]: Monika Kwoka, L. Ottaviano, M. Passacantando, G. Czempik, S. Santucci, Jacek Szuber.
W: V International Workshop on Semiconductor Gas Sensors. SGS 2006, Ustroń, Poland, September 10-13, 2006. Programme and abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2006, s. 47, bibliogr. 8 poz.

97/175
Nr opisu: 0000025543   
XPS study of surface chemistry of epiready GaAs(1 0 0) surface after (NH4)2Sx passivation.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger, Jacek Szuber.
-Vacuum 2006 vol. 80 iss. 8, s. 888-893, bibliogr. 36 poz.. Impact Factor 0.834

GaAs ; siarkowanie ; pasywacja ; XPS ; półprzewodnik

GaAs ; sulfidation ; passivation ; XPS ; semiconductor

98/175
Nr opisu: 0000021172
Badania nad opracowaniem modelowej konstrukcji czujnika gazu z sensoryczną warstwą SnO2.
[Aut.]: Krzysztof Waczyński, Jerzy Uljanow, A. Strugacz, Jacek Szuber.
W: Czwarta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 12-15 czerwca 2005 r.]. Materiały konferencji. T. 2. Koszalin : Wydaw. Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, 2005, s. 379-384, bibliogr. 12 poz.

99/175
Nr opisu: 0000021691   
Complementary phenomenological and spectroscopic studies of propane sensing with tin dioxide based sensors.
[Aut.]: Dorota* Koziej, N. Barsan, V. Hoffmann, Jacek Szuber, U. Weimar.
-Sens. Actuators, B Chem. 2005 vol. 108 iss. 1/2, s. 75-83, bibliogr. 32 poz.. Impact Factor 2.646

DRIFTS ; dwutlenek cyny ; propan ; sonda Kelvina

DRIFTS ; tin dioxide ; propane ; Kelvin probe

100/175
Nr opisu: 0000018247   
High resolution photoemission yield study of the GaAs(100) surface cleaned by atomic hydrogen.
[Aut.]: P. Tomkiewicz, Piotr* Kościelniak, Adam* Girycki, Jacek Szuber.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 385-391, bibliogr. 23 poz.. Impact Factor 0.459

101/175
Nr opisu: 0000021700   
On the correlation between morphology and gas sensing properties of RGTO SnO2 thin films.
[Aut.]: Jacek Szuber, Jerzy Uljanow, Teresa** Buczek-Karczewska, Wiesław Jakubik, Krzysztof Waczyński, Monika Kwoka, Sławomir** Kończak.
-Thin Solid Films 2005 vol. 490 iss. 1, s. 54-58, bibliogr. 18 poz.. Impact Factor 1.569

dwutlenek cyny ; powłoka cienka ; osadzanie ; utlenianie

tin dioxide ; thin film ; deposition ; oxidation

102/175
Nr opisu: 0000021604   
X-ray photoemission spectroscopy study of the surface chemistry of laser-assisted chemical vapour deposition SnOx thin films after exposure to hydrogen.
[Aut.]: Monika Kwoka, Grzegorz* Czempik, Jacek Szuber.
-Acta Phys. Slovaca 2005 vol. 55 nr 3, s. 331-339, bibliogr. 15 poz.. Impact Factor 0.359

103/175
Nr opisu: 0000021704   
XPS study of the surface chemistry of L-CVD SnO2 thin films after oxidation.
[Aut.]: Monika Kwoka, L. Ottaviano, M. Passacantando, S. Santucci, Grzegorz* Czempik, Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2005 vol. 490 iss. 1, s. 36-42, bibliogr. 18 poz.. Impact Factor 1.569

dwutlenek cyny ; powłoka cienka ; osadzanie ; utlenianie

tin dioxide ; thin film ; deposition ; oxidation

104/175
Nr opisu: 0000013979   
Badania nad optymalizacją technologii wytwarzania cienkich warstw dwutlenku cyny SnO2 metodą RGTO w aspekcie zastosowań sensorowych. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Jerzy Uljanow.
Gliwice, 2004, 117 s., bibliogr. 53 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki. Promotor: prof. dr hab. inż. Jacek Szuber

105/175
Nr opisu: 0000015577
Influence of oxidation on surface chemistry of L-CVD SnO2 thin films.
[Aut.]: Monika Kwoka, R. Larciprete, Grzegorz* Czempik, Jacek Szuber.
W: Czujniki optoelektroniczne i elektroniczne. COE 2004. VIII konferencja naukowa, Wrocław, 27-30 czerwca 2004. Materiały konferencyjne. Wrocław : Wydział Elektroniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej, 2004, s. 379-382, bibliogr. 4 poz.

106/175
Nr opisu: 0000013016
Proceedings of the 3rd International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'03. Ed. Jacek Szuber.
Amsterdam : Elsevier, 2004

107/175
Nr opisu: 0000123726   
On the correlation between morphology and electronic properties of copper phthalocyanine (CuPc) thin films.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Jerzy** Żak, Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2003 vol. 436 iss. 1, s. 70-75, bibliogr. 23 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002. Impact Factor 1.598

ftalocyjanina miedzi ; cienka powłoka ; fotoemisja ; mikroskop sił atomowych

copper phthalocyanine ; thin film ; photoemission ; atomic force microscope

108/175
Nr opisu: 0000011696   
On the correlation between the morphology and the electronic properties of copper phthalocyanine (CuPc) thin films.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Jerzy** Żak, Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 2003 vol. 436 iss. 1, s. 70-75, bibliogr. 23 poz.. Impact Factor 1.598

ftalocyjanina miedzi ; warstwa cienka ; fotoemisja ; mikroskop sił atomowych

copper phthalocyanine ; thin film ; photoemission ; atomic force microscope

109/175
Nr opisu: 0000088545
Optimisation of morphology SnO2 thin films grown by RGTO method.
[Aut.]: Jerzy Uljanow, T. Karczewska-Buczek, Krzysztof Waczyński, Dorota* Koziej, Jacek Szuber.
W: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002. Lausanne : Elsevier, 2003, s. 53 (Thin Solid Films ; vol. 436, iss. 1 0040-6090). Impact Factor 0.598

110/175
Nr opisu: 0000008464
Preface. Papers from the 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensor - SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002.
[Aut.]: Jacek Szuber.
W: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002. Lausanne : Elsevier, 2003, s. VII (Thin Solid Films ; vol. 436, iss. 1 0040-6090)

111/175
Nr opisu: 0000008373   
Some details of the electronic structure of tin oxide films.
[Aut.]: I. Shcherba, K. Zakrzewska, Jacek Szuber, Grzegorz* Czempik, A. Senkevich, I. Kravchenko.
-Phys. Status Solidi, B Basic Solid State Phys. 2003 vol. 238 iss. 1, s. 7-10, bibliogr. 24 poz.. Impact Factor 0.987

112/175
Nr opisu: 0000003877
Powierzchniowe metody badawcze w nanotechnologii półprzewodnikowej.
[Aut.]: Jacek Szuber.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2002, 196 s., bibliogr.

113/175
Nr opisu: 0000013037   
Trójcylindryczny analizator zwierciadlany (TCMA) energii elektronów dla spektroskopii elektronów Augera. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Piotr* Kościelniak.
Gliwice, 2002, 96 s., bibliogr. 49 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: prof. dr hab. inż. Jacek Szuber

114/175
Nr opisu: 0000007354   
XPS study of the surface Fermi level of (NH4)(2)S-x-passivated GaAs(100) surface.
[Aut.]: Jacek Szuber, Piotr* Kościelniak, [i in.].
-Vacuum 2002 vol. 67 iss. 1, s. 53-58. Impact Factor 0.723

115/175
Nr opisu: 0000019560   
A new type of electron energy analyzer based on three coaxial cylindrical electrodes for Auger electron spectroscopy.
[Aut.]: Piotr* Kościelniak, S. Koszczyszyn, Jacek Szuber.
-Vacuum 2001 vol. 63 iss. 1/2, s. 361-366, bibliogr. 15 poz.. Impact Factor 0.541

116/175
Nr opisu: 0000037775   
Computer analysis of photoluminescence efficienty at InP surface with U-shaped surface state continuum.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, Jacek Szuber, H. Hasegawa.
-Vacuum 2001 vol. 63 iss. 1/2, s. 223-227, bibliogr. 19 poz.. Impact Factor 0.541

117/175
Nr opisu: 0000001896
Multiple-technique electron spectrometer for investigation of semiconductor surfaces and interfaces.
[Aut.]: Jacek Szuber, Piotr* Kościelniak, S. Kaszczyszyn.
-Elektronika 2001 R. 42 nr 8/9, s. 74-75, bibliogr. 17 poz.

118/175
Nr opisu: 0000019561   
Patent. Polska, nr 191 978. Cylindryczny analizator zwierciadlany energii cząstek naładowanych. Int. Cl. H01J 49/08, G01N 23/227.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Piotr* Kościelniak, S. Kaszczyszyn, Jacek Szuber.
Zgłosz. nr 340 741 z 12.06.2000. Opubl. 31.07.2006, 4 s.

119/175
Nr opisu: 0000004347
Electronic properties of space charge layer of copper phthalocyanine (CuPc) thin films in situ studied by photoemission yield spectroscopy.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Krzysztof* Mikołajczak, Jacek Szuber.
W: Semiconductor gas sensors - SGS'98. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000, s. 157-160, bibliogr. 26 poz. (Electron Technology ; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)

120/175
Nr opisu: 0000012175   
Fotoemisyjne badania własności elektronowych cienkich warstw ftalocyjaniny miedzi (CuPc). Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Lucyna Grządziel.
Gliwice, 2000, 99 s., bibliogr. 112 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: dr hab. Jacek Szuber

121/175
Nr opisu: 0000002936   
New procedure determination for the interface Fermi level position for automatic hydrogen cleaned GaAs(100) surface using photoemission.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Vacuum 2000 vol. 57 iss. 2, s. 209-217, bibliogr. 34 poz.. Impact Factor 0.520

122/175
Nr opisu: 0000004363
Photoemission studies of the electronic properties of the space charge layer of SnO2(110) surface.
[Aut.]: Jacek Szuber, W. Gopel.
W: Semiconductor gas sensors - SGS'98. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000, s. 261-281, bibliogr. 69 poz. (Electron Technology ; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)

123/175
Nr opisu: 0000004489
Semiconductor surface passivation'99.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Post. Fiz. 2000 t. 51 z. 3, s.157-158

124/175
Nr opisu: 0000004371
Simple, low cost quartz crystal monitor system for metal phthalocyanine thin films growth control.
[Aut.]: Piotr* Matkowski, Lucyna Grządziel, Jacek Szuber.
W: Semiconductor gas sensors - SGS'98. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000, s. 297-301, bibliogr. 16 poz. (Electron Technology ; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)

125/175
Nr opisu: 0000004366
Some comments on the band bending and origin of electronic defect states on the clean SnO2(110).
[Aut.]: Dominika* Lipa, Jacek Szuber.
W: Semiconductor gas sensors - SGS'98. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000, s. 282-285, bibliogr. 23 poz. (Electron Technology ; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)

126/175
Nr opisu: 0000004368
Surface photovoltage spectroscopy system for in situ studies of metal phthalocyanine thin films.
[Aut.]: Marek* Bilski, S. Kaszczyszyn, Lucyna Grządziel, Bogusława Adamowicz, Jacek Szuber.
W: Semiconductor gas sensors - SGS'98. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000, s. 289-291, bibliogr. 19 poz. (Electron Technology ; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)

127/175
Nr opisu: 0000008080
Application of the unipole mass filter for determination of the partial pressure of gases with near atomic mass number.
[Aut.]: Aleksander Król, Jacek Szuber, S. Kaszczyszyn.
W: Proceedings of the 19th International Seminar on Surface Physics, Polanica-Zdrój, Poland, 15-19 June 1998. Eds: T. L. Barr [i in.]. [B.m.] : Pergamon Press, 1999, s. 205-209, bibliogr. 10 poz. (Vacuum ; vol. 54, nr 1-4 0042-207X)

128/175
Nr opisu: 0000012176   
Badania własności elektronowych i strukturalnych powierzchni i cienkich warstw dwutlenku cyny. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Grzegorz* Czempik.
Gliwice, 1999, 104 s., bibliogr. 120 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: dr hab. Jacek Szuber

129/175
Nr opisu: 0000013194   
Zastosowanie unipolarnego filtru mas do kontroli ciśnień cząstkowych gazów o zbliżonych masach cząsteczkowych w bardzo wysokiej próżni. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Aleksander Król.
Gliwice, 1999, 113 s., bibliogr. 127 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: dr hab. Jacek Szuber

130/175
Nr opisu: 0000025030
An UHV experimental system for in situ determination of the electronic properties of metal phthalocyanine thin films by photoemission yield spectroscopy.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Jacek Szuber.
W: Surface and thin film structures 1997. Proceedings of the 5th seminar, Ustroń, Poland, September 23-26, 1997. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1998, s. 502-504, bibliogr. 15 poz. (Electron Technology ; vol. 31, no. 3/4 0070-9816)

131/175
Nr opisu: 0000025761
Application of the unipole mass filter (UMF) for determination of partial pressuress of gases with near atomic masses.
[Aut.]: Aleksander Król, Jacek Szuber, S. Kaszczyszyn.
W: Surface and thin film structures 1997. Proceedings of the 5th seminar, Ustroń, Poland, September 23-26, 1997. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1998, s. 505-507, bibliogr. 5 poz. (Electron Technology ; vol. 31, no. 3/4 0070-9816)

132/175
Nr opisu: 0000025768
Atomic hydrogen gun for cleaning of GaAs surface.
[Aut.]: Adam* Girycki, Jacek Szuber.
W: Surface and thin film structures 1997. Proceedings of the 5th seminar, Ustroń, Poland, September 23-26, 1997. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1998, s. 495-498, bibliogr. 15 poz. (Electron Technology ; vol. 31, no. 3/4 0070-9816)

133/175
Nr opisu: 0000026061
Sulfide passivation of GaAs surface.
[Aut.]: Jacek Szuber, G. Hollinger, E. Bergignat.
W: Surface and thin film structures 1997. Proceedings of the 5th seminar, Ustroń, Poland, September 23-26, 1997. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1998, s. 328-337, bibliogr. 58 poz. (Electron Technology ; vol. 31, no. 3/4 0070-9816)

134/175
Nr opisu: 0000026222
Surface and thin film structures 1997. Proceedings of the 5th Seminar on Surface and Thin Film Structures, Ustroń, Poland, September 23-26, 1997. Ed. by J. Szuber.
Warszawa : Institute of Electron Technology, 1998
(Electron Technology ; vol. 31, no. 3/4 0070-9816)

135/175
Nr opisu: 0000003077
Działo atomowego wodoru do oczyszczania powierzchni GaAs(100) dla celów epitaksji z wiązek molekularnych (MBE).
[Aut.]: Adam* Girycki, A. Urbaniak, Jacek Szuber.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 162-164, bibliogr. 9 poz.

136/175
Nr opisu: 0000073291
III-V semiconductor surfaces and interfaces.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1997, s. 33-34, bibliogr. 4 poz.

137/175
Nr opisu: 0000073293
Organic semiconductor thin films.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1997, s. 36-37, bibliogr. 6 poz.

138/175
Nr opisu: 0000073292
Oxide semiconductor surfaces and thin films.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1997, s. 35-36, bibliogr. 6 poz.

139/175
Nr opisu: 0000027793   
Photoemission yield study of the Fermi level position on the clean SnO2(110) surface exposed to oxygen.
[Aut.]: Jacek Szuber, Grzegorz* Czempik.
W: Proceedings of the 18th International Seminar on Surface Physics, Polanica Zdrój, Poland, 10-14 June 1996.. New York : Pergamon Press, 1997, s. 289-291, bibliogr. 22 poz. (Vacuum ; vol. 48, nr 3/4 0042-207X)

140/175
Nr opisu: 0000028067
Semiconductor gas sensors.
[Aut.]: Jacek Szuber.
W: Surface and thin film structures 1996. Proceedings of the 4th seminar, Kazimierz Dolny, Poland, September 18-21, 1996. Ed. M. Jałochowski. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1997, s. 125-133, bibliogr. 35 poz. (Electron Technology ; vol. 30, no. 2 0070-9816)

141/175
Nr opisu: 0000027770
Some comments on the electronic properties of the space charge layer of the clean and oxygen exposed SnO2(110) surface.
[Aut.]: Dominika* Lipa, Jacek Szuber.
W: Surface and thin film structures 1996. Proceedings of the 4th seminar, Kazimierz Dolny, Poland, September 18-21, 1996. Ed. M. Jałochowski. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1997, s. 202-204, bibliogr. 7 poz. (Electron Technology ; vol. 30, no. 2 0070-9816)

142/175
Nr opisu: 0000003079
Stanowisko technologiczno-pomiarowe do badania in situ własności elektronowych cienkich warstw ftalocyjanin metali przejściowych.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Aleksander Król, Jacek Szuber.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 169-172, bibliogr. 4 poz.

143/175
Nr opisu: 0000003081
Własności elektronowe i sensorowe atomowo czystej powierzchni SnO2(110) poddanej ekspozycji w tlenie.
[Aut.]: Dominika* Lipa, Jacek Szuber.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 230-233, bibliogr. 5 poz.

144/175
Nr opisu: 0000035026
Badania własności elektronowych powierzchni i cienkich warstw półprzewodników metodami spektroskopii elektronowej.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Zesz. Nauk. PŚl., Mat. 1996 z. 73, s. 235-249, bibliogr. 46 poz.

145/175
Nr opisu: 0000035356
Cleaning of MBE GaAs substrates by novel techniques using surface chemical reactions with hydrogen.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Electron Technol. 1996 vol. 29 no. 2/3, s. 182-185, bibliogr. 27 poz.

146/175
Nr opisu: 0000073234
III-V semiconductor surfaces and interfaces.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1996, s. 29-32, bibliogr. 10 poz.

147/175
Nr opisu: 0000073237
Organic semiconductor thin films.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1996, s. 34-35, bibliogr. 5 poz.

148/175
Nr opisu: 0000073236
Oxide semiconductor surfaces and thin films.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1996, s. 33-34, bibliogr. 6 poz.

149/175
Nr opisu: 0000000079   
Electronic properties of the iron phthalocyanine thin films UHV annealed and exposed to oxygen.
[Aut.]: Jacek Szuber, B. Szczepaniak, Stanisław** Kochowski, Aleksander* Opilski.
-Vacuum 1995 vol. 46 iss. 5/6, s. 547-549, bibliogr. 21 poz.

150/175
Nr opisu: 0000073263
III-V semiconductor surfaces and interfaces. Cleaning of the GaAs(100) surface by surface chemical reactions with atomic (ionized) hydrogen.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1995, s. 33, bibliogr. 2 poz.

151/175
Nr opisu: 0000073262
III-V semiconductor surfaces and interfaces. Interface Fermi level position on the differently prepared GaAs(100) surface.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1995, s. 31-33, bibliogr. 6 poz.

152/175
Nr opisu: 0000073265
III-V semiconductor surfaces and interfaces. Methodological developments.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1995, s. 34, bibliogr. 2 poz.

153/175
Nr opisu: 0000073268
Organic semiconductor thin films.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1995, s. 37-38, bibliogr. 8 poz.

154/175
Nr opisu: 0000073267
Oxide semiconductor surfaces and thin films.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1995, s. 36, bibliogr. 6 poz.

155/175
Nr opisu: 0000043924
Electronic properties and origin of gap states on the clean SnO2(110) surface exposed to oxygen.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1994, s. 24-25, bibliogr. 11 poz.

156/175
Nr opisu: 0000043925
Electronic properties of the copper phthalocyanine thin films UHV annealed and exposed to oxygen.
[Aut.]: Jacek Szuber, B. Szczepaniak, Stanisław** Kochowski, Aleksander* Opilski.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1994, s. 26-27, bibliogr. 14 poz.

157/175
Nr opisu: 0000044576
Electronic properties of the space charge layer of the clean SnO/sub 2/(110) surface.
[Aut.]: Jacek Szuber, M. Piwowarczyk.
W: Sixteenth International Seminar on Surface Physics, Kudowa, Poland, 5-10 October 1992. Oxford : Pergamon Press, 1994, s. 215-217 (Vacuum ; vol. 45, iss. 2/3 0042-207X)

158/175
Nr opisu: 0000003045
Mikrokomputerowy układ sterowania i rejestracji widm spektrometru masowego typu unipolarnego filtru mas.
[Aut.]: Michał* Piwowarczyk, S. Kaszczyszyn, Jacek Szuber.
W: Technologia elektronowa. V Konferencja naukowa. ELTE '94, Szczyrk, 20.04-23.04.1994. T. 1. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Warszawa : Oficyna Wydaw. Politechniki Warszawskiej, 1994, s. 285-287, bibliogr. 5 poz.

159/175
Nr opisu: 0000043757
Photoemission yield spectroscopy investigations of the electronic properties of copper phthalocyanine thin films UHV annealed and exposed to oxygen.
[Aut.]: Jacek Szuber, B. Szczepaniak, Stanisław** Kochowski, Aleksander* Opilski.
-Phys. Status Solidi, B Basic Solid State Phys. 1994 vol. 183 iss. 1, s. K9-13, bibliogr. 15 poz.

160/175
Nr opisu: 0000043926
UHV system for studies of cleaning procedure of semiconductor surfaces by surface chemical reactions with ionized hydrogen.
[Aut.]: Jacek Szuber, Michał* Piwowarczyk, Adam* Girycki.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1994, s. 28-29, bibliogr. 9 poz.

161/175
Nr opisu: 0000003064
Własności elektronowe obszaru przypowierzchniowego cienkich warstw ftalocyjaniny miedzi (CuPc).
[Aut.]: Jacek Szuber, B. Szczepaniak, Stanisław** Kochowski, Aleksander* Opilski.
W: Technologia elektronowa. V Konferencja naukowa. ELTE '94, Szczyrk, 20.04-23.04.1994. T. 1. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Warszawa : Oficyna Wydaw. Politechniki Warszawskiej, 1994, s. 365-368, bibliogr. 16 poz.

162/175
Nr opisu: 0000043888
Zastosowanie powierzchniowych reakcji chemicznych do oczyszczania powierzchni arsenku galu dla celów epitaksji z wiązek molekularnych.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Pr. Inst. Technol. Mater. Elektron. 1994 z. 42, s. 34-36, bibliogr. 3 poz.

163/175
Nr opisu: 0000045141   
Electronic properties of the space charge layer of the copper phthalocyanine thin films.
[Aut.]: Jacek Szuber, B. Szczepaniak, M. Piwowarczyk, Stanisław** Kochowski, Aleksander* Opilski.
-Czech. J. Phys. 1993 vol. 43 no. 9/10, s. 1041-1044, bibliogr. 20 poz.

164/175
Nr opisu: 0000044928
Some comments on the electronic properties of the surface space charge layer of copper phthalocyanine thin films.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1993 vol. 62 iss. 3, s. R1 - R4, bibliogr. 23 poz.

165/175
Nr opisu: 0000052515
The influence of oxygen adsorption on the electronic surface states and the Fermi level pinning on the clean polar GaAs (111) surface.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 1992 vol. 55, s. 143-147, bibliogr. 16 poz.

166/175
Nr opisu: 0000053881
Electronic properties of the clean oxygen exposed polar GaAs(100) and GaAs(111) surfaces. [Sprawozdanie].
[Aut.]: Jacek Szuber.
W: Collected contributions to physical properties of surface and subsurface layer of condensed matter. Information on the results obtained in the Central Project of Fundamential Research CPBP 01.08 (1986-1990). University of Lodz. Łódź : Zakład Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego, 1991, s. 39-42, bibliogr. 9 poz.

167/175
Nr opisu: 0000053698
Near-band gap transitions in the surface photovoltage spectra for GaAs, GaP and Si surfaces.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Jacek Szuber.
-Surf. Sci. 1991 vol. 247 iss. 2/3, s. 94-99, bibliogr. 28 poz.

168/175
Nr opisu: 0000061704   
Patent. Polska, nr 149 195. Sposób wytwarzania rezystorów z warstwą metaliczną Ni-P. Int. Cl. H01C 17/06, C23C 18/00, C03C 15/00.
Politechnika Śląska, PolskaCentrum Naukowo-Produkcyjne Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów "UNITRA - TELPOD", Polska
Twórcy: Zbigniew** Pruszowski, A. Rojek, A. Heinze, W. Kucharczyk, M. Gajewski, Zbigniew* Miłek, Jacek Szuber.
Zgłosz. nr P 261 386 z 11.09.1986. Opubl. 30.04.1990, 4 s.

169/175
Nr opisu: 0000060180
Surface photovoltage spectroscopy investigations of the electronic surface states on clean and oxygen - exposed polar GaAs(100) and GaAs (111) surfaces.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1990 vol. 53 iss. 1/2, s. 19 - 28, bibliogr. 55 poz.

170/175
Nr opisu: 0000062986
An improved multiple - technique electron spectrometer for investigation of semiconductor surfaces.
[Aut.]: Jacek Szuber.
W: 3rd Conference on Surface Physics, Zakopane, 7th - 11th November 1988. Proceedings. Vol. 6. Institute of Technical Physics. Military Technical Academy. Warsaw. Łódź : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1989, s. 192-196, bibliogr. 3 poz.

171/175
Nr opisu: 0000060867
The effect of oxygen adsorption on electronic properties of the polar GaAs(111) surface after thermal cleaning in ultrahigh vacuum.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Thin Solid Films 1989 vol. 170 nr 2, s. 219-226, bibliogr. 45 poz.

172/175
Nr opisu: 0000060502
The influence of oxygen adsorption on the electronic properties of the polar GaAs (100) surface after thermal cleaning in ultra-high vacuum.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-Acta Phys. Pol. A 1989 vol. 75 nr 3, s. 423-426, bibliogr. 8 poz.

173/175
Nr opisu: 0000062299
The influence of oxygen adsorption on the electronic properties of the polar GaAs(111) As surface.
[Aut.]: Jacek Szuber.
W: Proceedings of the 12th International Seminar on Surface Physics, Piechowice, Poland, 9 - 14 May 1988. Eds: S. Mróz, W. Kisiel, M. Stęślicka. Amsterdam : North -Holland, 1989, s. 294 - 302, bibliogr. 38 poz. ( Surface Science vol. 213 no 2/3)

174/175
Nr opisu: 0000064455
Electronic properties of clean and oxygen exposed GaAs (100) surfaces.
[Aut.]: Jacek Szuber.
-J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1988 vol. 46 iss. 4, s. 419-425, bibliogr. 51 poz.

175/175
Nr opisu: 0000064930
Electronic properties of the polar GaAs(111) As surface.
[Aut.]: Jacek Szuber.
W: Proceedings of the Eleventh International Seminar on Surface Physics, Piechowice, Poland, 11-16 May 1987. Eds M. Steslicka, W. Kisiel, S. Mroz. Amsterdam : North-Holland, 1988, s. 157-163, bibliogr. 46 poz. (Surface Science ; vol. 200, no. 2/3 0039-6028)

stosując format:
Nowe wyszukiwanie