Wynik wyszukiwania
Zapytanie: SOCHACKI M
Liczba odnalezionych rekordów: 6



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/6
Nr opisu: 0000093840
Analiza chemiczna AES pasywacyjnych warstw na powierzchni GaN, AlGaN i SiC.
[Aut.]: Alina Domanowska, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, M. Sochacki, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube, R. Kruszka, J. Żywicki.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 193 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; pasywacja ; analiza chemiczna ; spektroskopia elektronów Augera ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; passivation ; chemical analysis ; Auger electron spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure

2/6
Nr opisu: 0000113757
Influence of nitrogen implantation on electrical properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS structure.
[Aut.]: K. Król, M. Sochacki, M. Turek, J. Zuk, M. Przewlocki, T. Gutt, P. Borowicz, M. Guziewicz, Jacek Szuber, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, J. Szmidt.
W: Silicon carbide and related materials 2012. Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation. Ed. by Alexander A. Lebedev, Sergey Yu. Davydov, Pavel A. Ivanov and Mikhail E. Levinshtein. Durnten-Zurich : Trans Tech Publications, 2013, s. 733-736, bibliogr. 6 poz. (Materials Science Forum ; vol. 740/742 0255-5476)

implantacja jonów ; węglik krzemu ; utlenianie termiczne

ion implantation ; silicon carbide ; thermal oxidation ; ion implantation damage

3/6
Nr opisu: 0000082758
Redukcja stanów pułapkowych w strukturze MOS 4H-SiC(0001) pod wpływem implantacji azotu - wpływ profilu implantacji.
[Aut.]: K. Król, M. Sochacki, W. Strupiński, M. Turek, J. Żuk, P. Borowicz, H. Przewłocki, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, Jacek Szuber, J. Szmidt.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2013. XI Konferencja naukowa, Ryn, 10-20 kwietnia 2013. [Dokument elektroniczny]. Warszawa : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, 2013, dysk optyczny (CD-ROM) s. 155-156, bibliogr. 3 poz.

stan pułapkowy ; implantacja jonów ; struktura MOS

trapping state ; ion implantation ; MOS structure

4/6
Nr opisu: 0000080343   
Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO2/SiO2/4H-SiC and HfO2/Al2O3/4H-SiC structures.
[Aut.]: Alina Domanowska, Marcin** Miczek, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, J. Żywicki, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gierałtowska, M. Sochacki.
-Appl. Surf. Sci. 2012 vol. 258 iss. 21, s. 8354-8359, bibliogr. 43 poz.. Impact Factor 2.112. Punktacja MNiSW 30.000

węglik krzemu ; pasywacja powierzchni ; fotonapięcie powierzchniowe ; spektroskopia elektronów Augera

silicon carbide ; surface passivation ; surface photovoltage ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiling ; interface charge

5/6
Nr opisu: 0000083622
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (INTechFun).
[Aut.]: A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 129-130
Pełny tekst na CD-ROM

nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy

nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide

6/6
Nr opisu: 0000082623
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (InTechFun).
[Aut.]: A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, M. Wzorek, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki.
W: Dziewiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 30.05-02.06.2010]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2010, s. 29-30
Pełny tekst na CD-ROM

nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; technika laserowa ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy

nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; laser technique ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide

stosując format:
Nowe wyszukiwanie