Wynik wyszukiwania
Zapytanie: ROJEK A
Liczba odnalezionych rekordów: 5



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/5
Nr opisu: 0000013462
Wpływ ilości ciśnienia dmuchu na geometrię komór spalania w wielkim piecu.
[Aut.]: Henryk** Kasprzyk, A. Rojek.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. V Seminarium naukowe, Katowice, 16 maja 1997. [B.m.] : [b.w.], [1997], s. 121-124, bibliogr. 3 poz.

2/5
Nr opisu: 0000052849   
Patent. Polska, nr 155 103. Sposób wytwarzania lakierów elektroizolacyjnych na bazie dianowych żywic epoksydowych stosowanych jako powłoki ochronne rezystorów warstwowych stałych. Int.Cl. C09D 5/25, C08L 63/02.
Politechnika Śląska, PolskaCentrum Naukowo-Produkcyjne Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów "Unitra-Telpod", Polska
Twórcy: Zygmunt** Specjał, Wiesław** Szeja, Zbigniew** Pruszowski, Andrzej** Koszorek, Tadeusz Bieg, A. Rojek, A. Heinze, W. Kucharczyk, M. Gajewski, B. Kawalec.
Zgłosz. nr P 267 557 z 01.09.1987. Opubl. 28.02.1992, 4 s.

3/5
Nr opisu: 0000052847   
Patent. Polska, nr 154 999. Sposób wytwarzania rezystorów półprecyzyjnych z warstwą metaliczną Ni-P. Int.Cl. H01C 17/18, C23C 18/36.
Politechnika Śląska, PolskaKrakowskie Zakłady Elektroniczne "UNITRA-TELPOD", Polska
Twórcy: Zygmunt** Specjał, Zbigniew** Pruszowski, Jacek** Majewski, Andrzej** Koszorek, A. Rojek, L. Kucharczyk, M. Gajewski.
Zgłosz. nr 271 043 z 04.03.1988. Opubl. 28.02.1992, 4 s. 1 tabl.

4/5
Nr opisu: 0000053944   
Patent. Polska, nr 153 114. Lakier elektroizolacyjny na powłoki zabezpieczające rezystory warstwowe stałe. Int. Cl. C09D 5/25, HO1B 3/40.
Politechnika Śląska, PolskaCentrum Naukowo-Produkcyjne Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów "Unitra-Telpod", Polska
Twórcy: Zygmunt** Specjał, Wiesław** Szeja, Zbigniew** Pruszowski, Andrzej** Koszorek, Tadeusz Bieg, Bogdan** Kawalec, A. Rojek, A. Heinze, W. Kucharczyk, M. Gajewski.
Zgłosz. nr 270 263 z 21.01.1988. Opubl. 30.08.1991, 3 s.

5/5
Nr opisu: 0000061704   
Patent. Polska, nr 149 195. Sposób wytwarzania rezystorów z warstwą metaliczną Ni-P. Int. Cl. H01C 17/06, C23C 18/00, C03C 15/00.
Politechnika Śląska, PolskaCentrum Naukowo-Produkcyjne Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów "UNITRA - TELPOD", Polska
Twórcy: Zbigniew** Pruszowski, A. Rojek, A. Heinze, W. Kucharczyk, M. Gajewski, Zbigniew* Miłek, Jacek Szuber.
Zgłosz. nr P 261 386 z 11.09.1986. Opubl. 30.04.1990, 4 s.

stosując format:
Nowe wyszukiwanie