Wynik wyszukiwania
Zapytanie: PASZKIEWICZ R
Liczba odnalezionych rekordów: 27



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/27
Nr opisu: 0000116344   
Sonochemical growth of nanomaterials in carbon nanotube.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian** Nowak, Krystian Mistewicz, Mirosława Kępińska, D. Stróż, I. Bednarczyk, R. Paszkiewicz.
-Ultrasonics 2018 vol. 83, s. 179-187, bibliogr. 45 poz.. Impact Factor 2.598. Punktacja MNiSW 35.000

nanorurki węglowe ; siarczan antymonu ; SbSI ; selenodiad antymonu ; SbSeI ; sonochemia ; hermetyzacja ; łączenie ultradźwiękowe

carbon nanotubes ; antimony sulfoiodide ; SbSI ; antimony selenoiodide ; SbSeI ; sonochemistry ; encapsulation ; ultrasonic joining

2/27
Nr opisu: 0000114160   
SbSI nanosensors: from gel to single nanowire devices.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, R. Paszkiewicz, A. Guiseppi-Elie.
-Nanoscale Res. Lett. 2017, s. 1-8, bibliogr. 39 poz.. Impact Factor 3.125. Punktacja MNiSW 35.000

nanodruty ; czujnik gazu ; jodosiarczek antymonu ; wilgotność ; ditlenek węgla

nanowires ; gas sensor ; antimony sulfoiodide ; humidity ; carbon dioxide

3/27
Nr opisu: 0000108885
SbSI nanosensors: from gel to single nanowire devices.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, R. Wrzalik, R. Paszkiewicz, Tomasz Rzychoń, A. Guiseppi-Elie.
W: Energy Materials Nanotechnology. EMN Croatia Meeting 2016, May 4-7, 2016, Dubrovnik, Croatia. Program & abstract. [B.m.] : [b.w.], 2016, s. 95-96, bibliogr. 6 poz.

4/27
Nr opisu: 0000106575   
SbSI nanowires for ferroelectric generators operating under shock pressure.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, D. Stróż, R. Paszkiewicz.
-Mater. Lett. 2016 vol. 180, s. 15-18, bibliogr. 24 poz.. Impact Factor 2.572. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; SbSI ; nanodruty ferroelektryczne ; uderzenie ciśnienia ; nanogenerator ; nanourządzenie

antimony sulfoiodide ; SbSI ; ferroelectric nanowires ; shock pressure ; nanogenerator ; nanodevice

5/27
Nr opisu: 0000107707
Sonochemical growth of nanomaterials in carbon nanotube.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian** Nowak, Krystian Mistewicz, D. Stróż, Iwona Bednarczyk, A. Guiseppi-Elie, R. Paszkiewicz.
W: ULTRASONICS 2016. II International Conference on Ultrasonic-based Applications: from analysis to synthesis, 6th - 8th June 2016, Caparica, Portugal. Proceedings Book. Caparica : ProteoMass, 2016, s. 181-182

nanorurki węglowe ; jodosiarczek antymonu ; sonochemia ; hermetyzacja ; półprzewodnik

carbon nanotubes ; antimony sulfoiodide ; sonochemistry ; encapsulation ; semiconductor

6/27
Nr opisu: 0000097509
Fabrication of nanodevices using ultrasonic nanowelding.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marcin Jesionek, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, Janusz Szala, R. Paszkiewicz, R. Wrzalik.
W: 43rd "Jaszowiec 2014" International School & Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Poland, June 7th - 12th, 2014. Warsaw : [b.w.], 2014, s. 143, bibliogr. 2 poz.

7/27
Nr opisu: 0000096414   
SbSI single nanowires as humidity sensors.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, R. Paszkiewicz.
-Acta Phys. Pol. A 2014 vol. 126 no. 5, s. 1113-1114, bibliogr. 8 poz.
Referat wygłoszony na: 43rd International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2014", Wisła, Poland, June 22-27, 2014. Impact Factor 0.530. Punktacja MNiSW 15.000

8/27
Nr opisu: 0000097510
SbSI single nanowires as humidity sensors.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, R. Paszkiewicz.
W: 43rd "Jaszowiec 2014" International School & Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Poland, June 7th - 12th, 2014. Warsaw : [b.w.], 2014, s. 221, bibliogr. 2 poz.

9/27
Nr opisu: 0000089615   
Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs structure based on DLTS measurements.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Łukasz Drewniak, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
-Mater. Sci. Pol. 2013 vol. 31 no. 3, s. 446-453, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 0.327. Punktacja MNiSW 15.000

struktura MIS ; głęboki poziom ; stany międzypowierzchni ; spektroskopia admitancyjna ; DLTS

MIS structure ; deep level ; interface states ; admittance spectroscopy ; DLTS

10/27
Nr opisu: 0000087555
Comparison of SbSI nanophotodetectors fabricated from individual nanowires and gel.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, R. Wrzalik, Marcin Jesionek, Janusz Szala, R. Paszkiewicz.
W: OPTO Meeting for Young Researchers and 8th International SPIE Student Chapters Meeting, Torun, Poland, 3-6 July 2013. Book of abstracts. Ed. S. Maliszewska. Torun : University Press Nicolaus Copernicus University, 2013, s. 48-49, bibliogr. 3 poz.

11/27
Nr opisu: 0000087595
Investigations of photoelectric properties of nanosensors made from SbSI gel and single nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, R. Wrzalik, Marcin Jesionek, Janusz Szala, R. Paszkiewicz.
W: International OSA network of students. IONS-14, Torun, July 3-6, 2013. Book of abstracts. Eds: S. Maliszewska, K. Maliszewski. Toruń : University Press Nicolaus Copernicus University, 2013, s. 36-37, bibliogr. 3 poz.

12/27
Nr opisu: 0000087562
Quantum effects in conductivity and photoconductivity of a single SbSI nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, R. Wrzalik, Marcin Jesionek, Piotr Szperlich, R. Paszkiewicz, A. Guiseppi-Elie.
W: 42nd International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2013", Wisła, Poland, June 22nd - 27th, 2013. Institute of Physics. Polish Academy of Sciences [et al.]. Warsaw : [b.w.], 2013, s. 238, bibliogr. 2 poz.

13/27
Nr opisu: 0000092716   
Quantum effects in electrical conductivity and photoconductivity of single SbSI nanowire.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, R. Wrzalik, Marcin Jesionek, Piotr Szperlich, R. Paszkiewicz, A. Guiseppi-Elie.
-Acta Phys. Pol. A 2013 vol. 124 no. 5, s. 827-829, bibliogr. 6 poz.
Referat wygłoszony na: 42th Jaszowiec International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła 2013. Impact Factor 0.604. Punktacja MNiSW 15.000

14/27
Nr opisu: 0000089617
The analysis of filling pulse parameters influence on ICTS data of GaAs MIS structures.
[Aut.]: Łukasz Drewniak, Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
W: Electron Technology Conference 2013, Ryn, Poland, 16-20 April 2013. Eds: Paweł Szczepański, Ryszard Kisiel, Ryszard S. Romaniuk. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2013, art. 890209 s. 1-8, bibliogr. 16 poz. (Proceedings of SPIE ; vol. 8902 0277-786X)

struktura GaAs MIS ; ICTS ; stany międzypowierzchni

GaAs MIS structure ; ICTS ; interface states

15/27
Nr opisu: 0000076653
Photoelectric properties of single SbSI nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian** Nowak, Piotr Szperlich, Janusz Szala, R. Paszkiewicz.
W: OPTO meeting for young reserchers and 7th international SPIE student's chapter meeting, Gliwice, 17-20th May 2012. Book of abstracts. Ed. Sabina Drewniak, Przemysław Struk. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 27, bibliogr. 4 poz.

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; zgrzewanie ultradźwiękowe ; sonochemia

antimony sulfoiodide ; nanowires ; ultrasonic welding ; sonochemistry

16/27
Nr opisu: 0000046254   
Analysis of electrical equivalent circuit of metal-insulator-semiconductor structure based on admittance measurements.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
-Mater. Sci. Pol. 2008 vol. 26 no. 1, s. 63-69, bibliogr. 13 poz.. Impact Factor 0.368

spektroskopia impedancyjna ; struktura typu metal-izolator-półprzewodnik ; element stałofazowy ; własności elektryczne ; krzem

impedance spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure ; constant phase element ; electrical properties ; silicon

17/27
Nr opisu: 0000046252
Characterization of insulator-semiconductor interface phenomena in MIS structures by impedance spectroscopy.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2007. IX Konferencja, Kraków, 4-7.09.2007. Materiały konferencyjne. Red. T. Stapiński [i in.]. [Kraków] : [Wydaw. Wydziału Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki. Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica], 2008, s. 47-50, bibliogr. 11 poz.

18/27
Nr opisu: 0000076033
Characterization of insulator-semiconductor interface phenomena in MIS structure by impedance spectroscopy.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
W: IX Electron Technology Conference. ELTE 2007, Kraków, 4-7.09.2007. Book of abstracts. Eds: K. Zakrzewska [et al.]. Kraków : Przedsiębiorstwo Wielobranżowe STABIL, 2007, s. 76

19/27
Nr opisu: 0000046253
An analysis of GaAs MIS structure properties by use of an equivalent circuit parameters.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2004. VIII Konferencja naukowa, Stare Jabłonki, 19-22.04.2004. Materiały konferencyjne. Łódź : CMYK Studio Poligrafii i Reklamy, 2004, s. 357-360, bibliogr. 5 poz.

20/27
Nr opisu: 0000011168   
Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 2004 vol. 467 iss. 1/2, s. 190-196, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 1.647

element stałofazowy ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; electrical properties ; electrical measurement ; gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure

21/27
Nr opisu: 0000011325   
Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor strucutres by the admittance spectroscopy method.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szydlowski.
-Appl. Surf. Sci. 2004 vol. 235 iss. 3, s. 389-394, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.497

element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; pomiary elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; electrical measurements ; gallium arsenide

22/27
Nr opisu: 0000018841
Contribution of interface states and bulk traps to GaAs MIS admittance.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
W: Compound semiconductors 2002. Proceedings of the Twenty-ninth International Symposium on Compound Semiconductors, Lusanne, Switzerland, 7-10 October 2002. Eds: Marc Ilegems, Gunter Weimann, Joachim Wagner. Bristol : Institute of Physics Publishing, 2003, s. 37-40 (Institute of Physics Conference Series ; no. 174)

23/27
Nr opisu: 0000008347   
Two constant phase element behaviour of the admittance characteristics of GaAs metal-insulator-semiconductor structure with deep traps.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 2003 vol. 444 iss. 1/2, s. 208-214, bibliogr. 34 poz.. Impact Factor 1.598

element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; gallium arsenide

24/27
Nr opisu: 0000000140
Badanie własności elektrycznych struktur metal-SiO2-GaAs.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
W: Technologia elektronowa. VII Konferencja naukowa. ELTE '2000, Polanica Zdrój, 18-22 września 2000. Materiały konferencyjne. Wrocław : Instytut Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej, 2000, s. 394-397, bibliogr. 8 poz.

25/27
Nr opisu: 0000000078   
Some effects of (NH4)2Sx treatment of n-GaAs surface on electrical characteristics of metal-SiO2-GaAs structures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Vacuum 2000 vol. 57 iss. 2, s. 157-162, bibliogr. 22 poz.. Impact Factor 0.520

26/27
Nr opisu: 0000007633   
Electrical properties of SiO2-(n) GaAs interface on the basis of measurements of MIS structure capacitance and conductance.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 1999 vol. 348 no. 1, s. 180-187, bibliogr. 29 poz.. Impact Factor 1.101

27/27
Nr opisu: 0000003067
Analiza częstotliwościowych charakterystyk pojemności i konduktancji struktur metal-SiO2-GaAs.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, A. Górecka-Drzazga.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 556-560, bibliogr. 6 poz.

stosując format:
Nowe wyszukiwanie