Wynik wyszukiwania
Zapytanie: PASZKIEWICZ B
Liczba odnalezionych rekordów: 13



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/13
Nr opisu: 0000089615   
Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs structure based on DLTS measurements.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Łukasz Drewniak, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
-Mater. Sci. Pol. 2013 vol. 31 no. 3, s. 446-453, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 0.327. Punktacja MNiSW 15.000

struktura MIS ; głęboki poziom ; stany międzypowierzchni ; spektroskopia admitancyjna ; DLTS

MIS structure ; deep level ; interface states ; admittance spectroscopy ; DLTS

2/13
Nr opisu: 0000089617
The analysis of filling pulse parameters influence on ICTS data of GaAs MIS structures.
[Aut.]: Łukasz Drewniak, Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
W: Electron Technology Conference 2013, Ryn, Poland, 16-20 April 2013. Eds: Paweł Szczepański, Ryszard Kisiel, Ryszard S. Romaniuk. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2013, art. 890209 s. 1-8, bibliogr. 16 poz. (Proceedings of SPIE ; vol. 8902 0277-786X)

struktura GaAs MIS ; ICTS ; stany międzypowierzchni

GaAs MIS structure ; ICTS ; interface states

3/13
Nr opisu: 0000046254   
Analysis of electrical equivalent circuit of metal-insulator-semiconductor structure based on admittance measurements.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
-Mater. Sci. Pol. 2008 vol. 26 no. 1, s. 63-69, bibliogr. 13 poz.. Impact Factor 0.368

spektroskopia impedancyjna ; struktura typu metal-izolator-półprzewodnik ; element stałofazowy ; własności elektryczne ; krzem

impedance spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure ; constant phase element ; electrical properties ; silicon

4/13
Nr opisu: 0000046252
Characterization of insulator-semiconductor interface phenomena in MIS structures by impedance spectroscopy.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2007. IX Konferencja, Kraków, 4-7.09.2007. Materiały konferencyjne. Red. T. Stapiński [i in.]. [Kraków] : [Wydaw. Wydziału Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki. Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica], 2008, s. 47-50, bibliogr. 11 poz.

5/13
Nr opisu: 0000076033
Characterization of insulator-semiconductor interface phenomena in MIS structure by impedance spectroscopy.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
W: IX Electron Technology Conference. ELTE 2007, Kraków, 4-7.09.2007. Book of abstracts. Eds: K. Zakrzewska [et al.]. Kraków : Przedsiębiorstwo Wielobranżowe STABIL, 2007, s. 76

6/13
Nr opisu: 0000046253
An analysis of GaAs MIS structure properties by use of an equivalent circuit parameters.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2004. VIII Konferencja naukowa, Stare Jabłonki, 19-22.04.2004. Materiały konferencyjne. Łódź : CMYK Studio Poligrafii i Reklamy, 2004, s. 357-360, bibliogr. 5 poz.

7/13
Nr opisu: 0000011168   
Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 2004 vol. 467 iss. 1/2, s. 190-196, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 1.647

element stałofazowy ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; electrical properties ; electrical measurement ; gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure

8/13
Nr opisu: 0000011325   
Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor strucutres by the admittance spectroscopy method.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szydlowski.
-Appl. Surf. Sci. 2004 vol. 235 iss. 3, s. 389-394, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.497

element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; pomiary elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; electrical measurements ; gallium arsenide

9/13
Nr opisu: 0000018841
Contribution of interface states and bulk traps to GaAs MIS admittance.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
W: Compound semiconductors 2002. Proceedings of the Twenty-ninth International Symposium on Compound Semiconductors, Lusanne, Switzerland, 7-10 October 2002. Eds: Marc Ilegems, Gunter Weimann, Joachim Wagner. Bristol : Institute of Physics Publishing, 2003, s. 37-40 (Institute of Physics Conference Series ; no. 174)

10/13
Nr opisu: 0000008347   
Two constant phase element behaviour of the admittance characteristics of GaAs metal-insulator-semiconductor structure with deep traps.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 2003 vol. 444 iss. 1/2, s. 208-214, bibliogr. 34 poz.. Impact Factor 1.598

element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; gallium arsenide

11/13
Nr opisu: 0000000140
Badanie własności elektrycznych struktur metal-SiO2-GaAs.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
W: Technologia elektronowa. VII Konferencja naukowa. ELTE '2000, Polanica Zdrój, 18-22 września 2000. Materiały konferencyjne. Wrocław : Instytut Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej, 2000, s. 394-397, bibliogr. 8 poz.

12/13
Nr opisu: 0000000141
Elektryczny model zastępczy struktury metal-SiO2-GaAs.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz.
W: Technologia elektronowa. VII Konferencja naukowa. ELTE '2000, Polanica Zdrój, 18-22 września 2000. Materiały konferencyjne. Wrocław : Instytut Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej, 2000, s. 426-429, bibliogr. 8 poz.

13/13
Nr opisu: 0000000078   
Some effects of (NH4)2Sx treatment of n-GaAs surface on electrical characteristics of metal-SiO2-GaAs structures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Vacuum 2000 vol. 57 iss. 2, s. 157-162, bibliogr. 22 poz.. Impact Factor 0.520

stosując format:
Nowe wyszukiwanie