Wynik wyszukiwania
Zapytanie: NITSCH K
Liczba odnalezionych rekordów: 12



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/12
Nr opisu: 0000089615   
Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs structure based on DLTS measurements.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Łukasz Drewniak, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
-Mater. Sci. Pol. 2013 vol. 31 no. 3, s. 446-453, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 0.327. Punktacja MNiSW 15.000

struktura MIS ; głęboki poziom ; stany międzypowierzchni ; spektroskopia admitancyjna ; DLTS

MIS structure ; deep level ; interface states ; admittance spectroscopy ; DLTS

2/12
Nr opisu: 0000089617
The analysis of filling pulse parameters influence on ICTS data of GaAs MIS structures.
[Aut.]: Łukasz Drewniak, Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz.
W: Electron Technology Conference 2013, Ryn, Poland, 16-20 April 2013. Eds: Paweł Szczepański, Ryszard Kisiel, Ryszard S. Romaniuk. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2013, art. 890209 s. 1-8, bibliogr. 16 poz. (Proceedings of SPIE ; vol. 8902 0277-786X)

struktura GaAs MIS ; ICTS ; stany międzypowierzchni

GaAs MIS structure ; ICTS ; interface states

3/12
Nr opisu: 0000046252
Characterization of insulator-semiconductor interface phenomena in MIS structures by impedance spectroscopy.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2007. IX Konferencja, Kraków, 4-7.09.2007. Materiały konferencyjne. Red. T. Stapiński [i in.]. [Kraków] : [Wydaw. Wydziału Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki. Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica], 2008, s. 47-50, bibliogr. 11 poz.

4/12
Nr opisu: 0000076033
Characterization of insulator-semiconductor interface phenomena in MIS structure by impedance spectroscopy.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
W: IX Electron Technology Conference. ELTE 2007, Kraków, 4-7.09.2007. Book of abstracts. Eds: K. Zakrzewska [et al.]. Kraków : Przedsiębiorstwo Wielobranżowe STABIL, 2007, s. 76

5/12
Nr opisu: 0000046253
An analysis of GaAs MIS structure properties by use of an equivalent circuit parameters.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2004. VIII Konferencja naukowa, Stare Jabłonki, 19-22.04.2004. Materiały konferencyjne. Łódź : CMYK Studio Poligrafii i Reklamy, 2004, s. 357-360, bibliogr. 5 poz.

6/12
Nr opisu: 0000011168   
Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 2004 vol. 467 iss. 1/2, s. 190-196, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 1.647

element stałofazowy ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; electrical properties ; electrical measurement ; gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure

7/12
Nr opisu: 0000011325   
Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor strucutres by the admittance spectroscopy method.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szydlowski.
-Appl. Surf. Sci. 2004 vol. 235 iss. 3, s. 389-394, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.497

element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; pomiary elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; electrical measurements ; gallium arsenide

8/12
Nr opisu: 0000008347   
Two constant phase element behaviour of the admittance characteristics of GaAs metal-insulator-semiconductor structure with deep traps.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 2003 vol. 444 iss. 1/2, s. 208-214, bibliogr. 34 poz.. Impact Factor 1.598

element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; gallium arsenide

9/12
Nr opisu: 0000000077   
Description of the frequency behaviour of metal-SiO2-GaAs structure characteristics by electrical equivalent circuit with constant phase element.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch.
-Thin Solid Films 2002 vol. 415 iss. 1/2, s. 133-137, bibliogr. 23 poz.. Impact Factor 1.443

10/12
Nr opisu: 0000000141
Elektryczny model zastępczy struktury metal-SiO2-GaAs.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz.
W: Technologia elektronowa. VII Konferencja naukowa. ELTE '2000, Polanica Zdrój, 18-22 września 2000. Materiały konferencyjne. Wrocław : Instytut Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej, 2000, s. 426-429, bibliogr. 8 poz.

11/12
Nr opisu: 0000007633   
Electrical properties of SiO2-(n) GaAs interface on the basis of measurements of MIS structure capacitance and conductance.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 1999 vol. 348 no. 1, s. 180-187, bibliogr. 29 poz.. Impact Factor 1.101

12/12
Nr opisu: 0000003067
Analiza częstotliwościowych charakterystyk pojemności i konduktancji struktur metal-SiO2-GaAs.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, A. Górecka-Drzazga.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 556-560, bibliogr. 6 poz.

stosując format:
Nowe wyszukiwanie